SiC晶片的生成方法技术

提供实现生产率提高的SiC晶片的生成方法。该SiC晶片的生成方法包括下述工序：改质部形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离SiC晶锭(50)的第一面(52)相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对SiC晶锭(50)照射脉冲激光光线(LB)，在c面上形成SiC分离成Si和C的改质部(60)；剥离层形成工序，连续地形成改质部(60)，从改质部(60)起在c面各向同性地形成裂纹(62)，形成用于从SiC晶锭(50)将SiC晶片剥离的剥离层(64)；和晶片生成工序，以剥离层(64)为界面将SiC晶锭(50)的一部分剥离而生成SiC晶片(66)。

The generation method of SiC chip

A method of generating SiC chips for improving productivity is provided. The generation method of the SiC wafer includes the following procedure: a modification section forming process, and a pulse laser ray (LB) point (FP) for a wavelength of the single crystal SiC (LB) is positioned at the depth of the first surface (52) of the SiC crystal ingot (50) equal to the thickness of the SiC wafer to be generated, and the SiC crystal ingot (50) is irradiated with a pulse laser ray (LB), On the C surface, SiC is formed to separate the modified part of Si and C (60); the peeling layer forms a process to form a modification part (60) continuously. From the modification part (60), the crack (62) is formed in the C surface, forming a stripping layer (64) for stripping the SiC wafers from the SiC ingot (50), and the production process of the crystal sheet, with the peel layer (64) as the interface of the SiC ingot (50). A part of the strip is stripped to produce a SiC chip (66).

【技术实现步骤摘要】
SiC晶片的生成方法
本专利技术涉及一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片。
技术介绍
IC、LSI、LED等器件形成于将功能层层叠在以Si(硅)、Al2O3(蓝宝石)等作为材料的晶片的正面并由多条交叉的分割预定线所划分的区域。另外，功率器件、LED等形成于将功能层层叠在以单晶SiC(碳化硅)作为材料的晶片的正面并由多条交叉的分割预定线所划分的区域。形成有器件的晶片利用切削装置或激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片。分割得到的各器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电气设备中。形成器件的晶片通常是通过利用划片锯将圆柱形状的晶锭薄薄地切断而生成的。切断得到的晶片的正面和背面通过研磨而精加工成镜面(参见专利文献1)。但是，在利用划片锯将晶锭切断并对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨时，晶锭的大部分(70％～80％)会被浪费，存在不经济的问题。特别是单晶SiC晶锭，其硬度高，难以利用划片锯进行切断，需要花费相当长的时间，因而生产率差，并且晶锭的单价高，在高效地生成晶片方面存在问题。因此，有人提出了下述技术：将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在单晶SiC晶锭的内部来对单晶SiC晶锭照射激光光线，从而在切断预定面上形成改质层，将形成有改质层的切断预定面切断，从单晶SiC晶锭生成SiC晶片(参见专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2000-94221号公报专利文献2：日本特开2013-49161号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，在日本特开2013-49161号公报中记载的方法中，为了从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，必须每隔10μm左右的间隔致密地形成改质层，存在生产率差的问题。由此，本专利技术的目的在于提供实现生产率提高的SiC晶片的生成方法。用于解决课题的手段根据本专利技术，提供一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，该单晶SiC晶锭具有c轴和与该c轴垂直的c面，该SiC晶片的生成方法具备下述工序：改质部形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的端面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射脉冲激光光线，在c面上形成SiC分离成Si和C的改质部；剥离层形成工序，连续地形成该改质部，从该改质部起在c面各向同性地形成裂纹，形成用于从单晶SiC晶锭将SiC晶片剥离的剥离层；和SiC晶片生成工序，以该剥离层为界面将单晶SiC晶锭的一部分剥离而生成SiC晶片，在该剥离层形成工序中，将该改质部的直径设为D，将相邻的聚光点的间隔设为L时，在具有D>L的关系的区域形成裂纹，在不超过裂纹的宽度的范围对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给而连续地形成改质部，使裂纹与裂纹连结，形成该剥离层。优选的是，在该剥离层形成工序中，将改质部的直径设为D，将相邻的聚光点的间隔设为L时，具有0.75D>L>0.1D的关系。在该剥离层形成工序中照射的脉冲激光光线的能量优选为9μJ以上。优选的是，在该剥离层形成工序中，将聚光点定位在相同的c面上，连续地形成改质部。优选的是，在c轴相对于单晶SiC晶锭的端面的垂线倾斜的情况下，在该剥离层形成工序中，在与通过c面和端面形成偏离角的第2方向垂直的第1方向连续地形成改质部，从改质部起各向同性地形成裂纹，在该第2方向上在不超过裂纹的宽度的范围对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给，在该第1方向连续地形成改质部，从改质部起各向同性地依次形成裂纹。优选的是，在单晶SiC晶锭的端面的垂线与c轴一致的情况下，在该剥离层形成工序中，在不超过从连续形成的改质部起各向同性地形成的裂纹的宽度的范围，对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给，连续地形成改质部，使裂纹与裂纹连结。专利技术效果根据本专利技术的SiC晶片的生成方法，剥离层由连续延伸的多个改质部和从改质部起各向同性地延伸的裂纹构成且在转位进给方向上相邻的裂纹与裂纹连结在一起，以剥离层为界面，将单晶SiC晶锭的一部分剥离，由此能够高效地生成所期望的厚度的SiC晶片，并且能够减轻被浪费的材料量，因此可实现生产率的提高。附图说明图1是激光加工装置的立体图。图2是端面的垂线与c轴一致的单晶SiC晶锭的立体图。图3是示出实施剥离层形成工序的状态的立体图(a)和主视图(b)。图4是示出从上方观察到的改质部和裂纹的示意图。图5是示出从上方观察到的改质部的示意图。图6是示出在剥离层形成工序中沿圆周方向连续地形成有改质部的状态的立体图。图7是示出实施SiC晶片的生成工序的状态的立体图。图8是c轴相对于端面的垂线倾斜的单晶SiC晶锭的俯视图(a)和主视图(b)。图9是示出实施剥离层形成工序的状态的立体图(a)和主视图(b)。图10是形成有剥离层的单晶SiC晶锭的俯视图(a)和B-B线截面图。具体实施方式无论单晶SiC晶锭的c轴相对于端面的垂线是否倾斜，均能使用本专利技术的SiC晶片的生成方法，首先，参照图1～图7，对端面的垂线与c轴一致的单晶SiC晶锭下的本专利技术的SiC晶片的生成方法的实施方式进行说明。图1中示出了能够实施本专利技术的SiC晶片的生成方法的激光加工装置2。激光加工装置2具备：基台4；保持被加工物的保持单元6；使保持单元6移动的移动单元8；对保持单元6所保持的被加工物照射激光光线的激光光线照射单元10；对保持单元6所保持的被加工物进行拍摄的拍摄单元12；显示由拍摄单元12所拍摄的图像的显示单元14；和将保持单元6所保持的被加工物的一部分剥离的剥离单元16。保持单元6包含：矩形状的X方向可动板18，其在X方向上自由移动地搭载在基台4上；矩形状的Y方向可动板20，其在Y方向上自由移动地搭载在X方向可动板18上；以及圆筒形状的卡盘工作台22，其自由旋转地搭载在Y方向可动板20的上表面上。另外，X方向是图1中箭头X所示的方向，Y方向是图1中箭头Y所示的方向，是与X方向垂直的方向。X方向和Y方向所规定的XY平面实际上是水平的。移动单元8包含X方向移动单元24、Y方向移动单元26以及旋转单元(未图示)。X方向移动单元24具有：滚珠丝杠28，其在基台4上沿X方向延伸；以及电动机30，其与滚珠丝杠28的一个端部连结。滚珠丝杠28的螺母部(未图示)固定在X方向可动板18的下表面上。并且X方向移动单元24通过滚珠丝杠28将电动机30的旋转运动转换成直线运动而传递给X方向可动板18，使X方向可动板18沿着基台4上的导轨4a在X方向上进退。Y方向移动单元26具有：滚珠丝杠32，其在X方向可动板18上沿Y方向延伸；以及电动机34，其与滚珠丝杠32的一个端部连结。滚珠丝杠32的螺母部(未图示)固定在Y方向可动板20的下表面上。并且Y方向移动单元26通过滚珠丝杠32将电动机34的旋转运动转换成直线运动而传递给Y方向可动板20，使Y方向可动板20沿着X方向可动板18上的导轨18a在Y方向上进退。旋转单元具有内设在卡盘工作台22中的电动机(未图示)而使卡盘工作台22相对于Y方向可动板20进行旋转。激光光线照射单元10包含：壳体36，其从基台4的上表面向上方延伸随后实际上水平延伸；振荡单元(未图示)，其内设在壳体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，该单晶SiC晶锭具有c轴和与该c轴垂直的c面，该SiC晶片的生成方法具备下述工序：改质部形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的端面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射脉冲激光光线，在c面上形成SiC分离成Si和C的改质部；剥离层形成工序，连续地形成该改质部，从该改质部起在c面各向同性地形成裂纹，形成用于从单晶SiC晶锭将SiC晶片剥离的剥离层；和SiC晶片生成工序，以该剥离层为界面将单晶SiC晶锭的一部分剥离而生成SiC晶片，在该剥离层形成工序中，将该改质部的直径设为D，将相邻的聚光点的间隔设为L时，在具有D>L的关系的区域形成裂纹，在不超过裂纹的宽度的范围对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给而连续地形成改质部，使裂纹与裂纹连结，形成该剥离层。

【技术特征摘要】
2016.12.02 JP 2016-2349581.一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，该单晶SiC晶锭具有c轴和与该c轴垂直的c面，该SiC晶片的生成方法具备下述工序：改质部形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的端面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射脉冲激光光线，在c面上形成SiC分离成Si和C的改质部；剥离层形成工序，连续地形成该改质部，从该改质部起在c面各向同性地形成裂纹，形成用于从单晶SiC晶锭将SiC晶片剥离的剥离层；和SiC晶片生成工序，以该剥离层为界面将单晶SiC晶锭的一部分剥离而生成SiC晶片，在该剥离层形成工序中，将该改质部的直径设为D，将相邻的聚光点的间隔设为L时，在具有D>L的关系的区域形成裂纹，在不超过裂纹的宽度的范围对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给而连续地形成改质部，使裂纹与裂纹连结，形成该剥离层。2.如权利要求1所述的SiC晶片的生成方法，其中，在该剥离层形成工序中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：平田和也，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP