一种用于电子工业的清洗剂及其制备方法技术

一种用于电子工业的清洗剂及其制备方法，属于化学产品制备技术领域。本发明专利技术清洗剂一套两个型号Ⅰ和Ⅱ，选用中性表面活性剂，添加适量助剂，与超纯去离子水配成均匀透明的液体，复配温度５０－９０℃，ｐＨ值为６．４－８．５，经灭菌处理，浓缩后进行成品检验包装。本发明专利技术的清洗剂清洗成本低，效好，清洗工作温度６０－８０℃。（*该技术在2009年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种中性清洗剂及其制备方法，属于化学产品制备
在电子工业中，制造和使用非晶硅太阳电池、液晶平面显示器、半导体元件、半导体器件和集成电路等，都需要清洗处理，目的去除玻璃衬底表面、TCO膜表面、半导体片表面和所用器皿表面的油脂类沾污，以及离子型和原子型杂质沾污。目前使用的清洗剂是采用酸碱类化学试剂和有机溶剂，如用双氧水、氨水、盐酸和水配制成清洗液;再如，用甲苯、丙酮和乙醇进行去油脂类处理，然后用煮硫酸和煮王水清洗。这类清洗剂需用酸、碱类化学试剂及有机溶剂，不仅有损操作人员的健康，而且清洗废液中的废酸废碱还会造成环境污染，另外，上述方法清洗过程复杂，时间长，费用高。国际上常用氟里昂和三氯乙烯清洗剂，清洗玻璃衬底和线路板，但是氟里昂对大气臭氧层有较强的破坏作用，三氯乙烯对环境造成严重污染。1984年日本专利J59，104，132记载的“洗净方法”，采用了以胆碱为主要成分的清洗剂，同时需要吹臭氧泡到清洗液中，这样能够清洗硅片表面微小的硅颗粒和细菌，胆碱是一种离子性表面活性剂，是一种强碱，对硅片表面有些腐蚀作用，且清洗工艺所需设备较多。为克服已有技术的不足，本专利技术提供一种中性清洗剂及其制备方法，无腐蚀无污染，成本低，操作简单。本专利技术的清洗剂一套两个型号。选用几种去污力极强的表面活性剂配制清洗剂Ⅰ号，使用时与95%(重量百分比，下同)的去离子水配成中性清洗液，利用超声处理，可有效地清除被洗件表面尘埃、有机物、油脂等物理吸附;清洗剂Ⅱ号选用多种去污力强和具有络合作用的表面活性剂、添加助剂制成，使用时与95%的去离子水配成中性清洗液，用来去除被洗件表面离子型和原子型杂质。Ⅰ、Ⅱ清洗剂所用原料配比如表1、表2中所列。原料纯度最低为化学纯，去离子水要超纯。表1 Ⅰ号清洗剂配方组份 原料 重量百分比 最佳重量百分比A 辛基酚聚氯乙烯醚或 15-25% 15-20%壬基酚聚氯乙烯醚B 椰子油酸二乙醇酰胺 10-20% 12-15%C 脂肪醇聚氯乙烯醚 4-8% 5-6%AEO9或AEO3D 聚醚型表面活性剂 5-11% 7-10%E 三聚磷酸钠 1-3% 1.5-2%I 四乙酸乙二胺 0.5-2% 1.0-1.5%J 乙醇 4-6% 4.5-5.5%L 碘 0.1-0.6% 0.2-0.3%M 异丙醇 3-5% 3.5-4.5%N 去离子水 余量 余量表2 Ⅱ号清洗剂配方组份 原料 重量百分比 最佳重量百分比A 辛基酚聚氯乙烯醚或 8-20% 10-15%壬基酚聚氯乙烯醚 10-20%B 椰子油酸二乙醇酰胺 10-20% 12-15%C 脂肪醇氯乙烯醚 3-8% 5-7%AEO9F 甜菜碱型表面活性剂 1-2.5% 1.5-2%G 氨基酸型表面活性剂 4.5-6.5% 5.5-6%H 脂肪醇聚氯乙烯醚硫酸钠 5-9% 7-8%I 四乙酸乙二胺 1.5-2.5% 2.0-2.5%J 乙醇 10% 10%K 三乙醇胺 12% 12%L 碘 0.1-0.6% 0.2-0.3%M 异丙醇 3-5% 3.5-4.5%N 去离子水 余量 余量用表1表2所列原料制备Ⅰ、Ⅱ号清洗剂，工艺流程如下1、去离子水超滤纯化。2、按表中配比分别进行Ⅰ、Ⅱ号清洗剂的复配，在50-90℃温度范围内，加热溶解搅拌，混合均匀。最佳复配温度78-82℃，常压下进行。3、溶液静止24-48小时，消泡。4、用柠檬酸调节Ⅰ、Ⅱ号溶液的PH值至6.4-8.5PH＝7.5-8.2为佳。5、用无水乙醇调节Ⅰ、Ⅱ号液的粘度，ηⅠ＝200-240厘泊，ηⅡ＝180-220厘泊。6、沉析萃取。7、压滤。8、灭菌处理。9、浓缩至表面活性物含量为42-47%。(重量)以45%为佳。10、成品检验包装。上述工艺均使用常规设备，在常压下进行。所得产品为无色或略带黄色的透明粘稠状液体，有微弱香味。η测定温度25℃。本专利技术的Ⅰ、Ⅱ号清洗剂使用时，加95%的去离子水配成中性溶液，清洗工作温度在60-80℃为宜。下面是本专利技术的几个实施例。实施例一配制Ⅰ、Ⅱ号清洗剂各100Kg1、配方如下(均为重量)组份 Ⅰ(单位Kg) Ⅱ(单位Kg)A 18 15B 15 15C 6 7D 10E 2F 2G 6H 8I 1.0 2.5J 5 10K 12L 0.2 0.3M 4 4.5N 余量 余量2、将上述原料称量混合，加热至80℃，常压，搅拌，得均匀透明液体。静置24小时，消泡后，用柠檬酸调节溶液PH8.0。用无水乙醇调节Ⅰ、Ⅱ号液的粘度ηⅠ220厘泊、ηⅡ200厘泊。经沉析萃取，压滤，紫外线灭菌，浓缩至表面活性物含量45%(重量)，进行成品检验包装。实施例二 配制Ⅰ、Ⅱ号清洗剂各100Kg1、配方如下(均为重量)组份 Ⅰ(单位Kg) Ⅱ(单位Kg)A 15 10B 12 12C 5 5D 8E 1.5F 1.5G 5.5H 7I 1.0 2.0J 4.5 10K 12L 0.3 0.2M 3.5 3.5N 余量 余量2、操作过程同实施例一，所不同的是，复配温度75℃，静止36小时，PH7.5，Ⅰ、Ⅱ号液粘度调节为ηⅠ236厘泊、ηⅡ205厘泊。浓缩至表面活性物含量42%。(重量)本专利技术选用具有络合作用的表面活性剂，添加适当助剂配成中性清洗剂，无毒无腐蚀，性能稳定，长期存放不影响使用效能。用本专利技术清洗剂进行清洗比已有技术成本低1-10%，清洗效果略优于已有清洗剂。本专利技术清洗剂清洗 常规清洗剂清洗Na 5.0×10-12g/cm22.4×10-11g/cm2Cu ＜2.0×10-11g/cm2＜2.0×10-11g/cm2Fe 7.6×10-10g/cm28.0×10-10g/cm2Cr 1.1×10-9/cm21.1×10-9g/cm2氧化层中可动离子8.72 5.04密度(1011/cm2)权利要求1.，其特征在于，一套清洗剂包括两个型号，其配方如下(均为重量百分比)原料组份原料组份 I号清洗剂 Ⅱ号清洗剂A15-25% 80-20%B10-20% 10-20%C4-8%AEOAEO93或3-8%AEO9D5-11%E1-3%F1-2.5%G4.5-6.5%H5-9%I0.5-2%1.5-2.5%J4-6% 10%K12%L0.1-0.6% 0.1-0.6%M3-5% 3.5-4.5%N余量 余量将上述原料，在50-90℃温度范围加热溶解，搅拌均匀，静止24-48小时，消泡后用柠檬酸调节溶液PH=6.4-8.5，用无水乙醇调节Ⅰ、Ⅱ号液粘度ηⅠ200-240厘泊，ηⅡ180-220厘泊，经沉析萃取、压滤、灭菌后，浓缩至表面活性物含量42-47%即可，本专利技术所用设备均为常规仪器，在常压下进行。2.如权利要求1所述的清洗剂及制备方法，其特征在于Ⅰ号清洗剂的最佳配方为组份 A B C百分含量(%) 10-20 12-15 5-6组份 D E I百分含量(%) 7-10 1.5-2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于电子工业的清洗剂及其制备方法，其特征在于，一套清洗剂包括两个型号，其配方如下（均为重量百分比）：原料组分原料组份Ｉ号清洗剂Ⅱ号清洗剂Ａ１５－２５％８０－２０％Ｂ１０－２０％１０－２０％Ｃ４－８％ＡＥＯＡＥＯ９３或３－ ８％ＡＥＯ９Ｄ５－１１％Ｅ１－３％Ｆ１－２．５％Ｇ４．５－６．５％Ｈ５－９％Ｉ０．５－２％１．５－２．５％Ｊ４－６％１０％Ｋ１２％Ｌ０．１－０．６％０．１－０．６％Ｍ３－５％３．５－４．５％Ｎ余量 余量将上述原料，在５０－９０℃温度范围加热溶解，搅拌均匀，静止２４－４８小时，消泡后用柠檬酸调节溶液ＰＨ＝６．４－８．５，用无水乙醇调节Ｉ、Ⅱ号液粘度ηＩ２００－２４０厘泊，ηⅡ１８０－２２０厘泊，经沉析萃取、压滤、灭菌后，浓缩至表面活 性物含量４２－４７％即可，本专利技术所用设备均为常规仪器，在常压下进行。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗升旭，马洪垒，刘可辛，申英魁，于新好，杜信荣，曹宝成，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：37[中国|山东]