大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法和系统技术方案

本发明专利技术涉及电子器件辐射效应领域，特别是涉及一种大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法和系统，通过对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测，获取SRAM阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据；获取所述SRAM阵列的总容量；根据所述测量数据以及所述SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率。在此方案中，所述测量数据为对SRAM进行大气中子单粒子效应检测后获得的数据，所述测量数据能够提高大气中子单粒子效应下的获取的SRAM器件失效率的准确度，从而实现SRAM器件大气中子单粒子效应敏感性的准确定量评价，解决我国目前SRAM器件大气中子单粒子效应评价方法缺失的难题。

【技术实现步骤摘要】
大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法和系统
本专利技术涉及电子器件辐射效应领域，特别是涉及一种大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法和系统。
技术介绍
银河宇宙射线、太阳宇宙射线等各种宇宙射线进入到地球的中性大气，并与大气中的氮和氧发生相互作用，形成了各种辐射粒子，使得大气空间辐射环境非常复杂。在各种辐射粒子之中，由于中子不带电、穿透力极强而且在大气中的含量高，因此大气中子入射电子系统所引起的单粒子效应，成为了威胁电子设备安全工作的关键因素。SRAM(StaticRandomAccessMemory)是一种静态存储器件，通常由存储矩阵、地址译码和读写控制逻辑三部分组成，正常工作状态下可以随时读出或写入数据。由于SRAM器件的读写速度非常快，各种电子设备对SRAM器件的依赖性越来越强；随着科技的发展，SRAM器件自身的集成度提高，复杂性增加，造成SRAM器件对单粒子效应更加敏感。为了评估大气中子诱发的单粒子效应对SRAM器件产生的影响，需要对大气中子单粒子效应下的SRAM器件的敏感特性进行分析。目前为了对SRAM器件进行单粒子效应敏感特性进行分析，一般采用地面加速辐照试验的方式，即使用具有高通量的地面辐射源辐照SRAM器件，模拟SRAM器件在真实大气环境下的辐射粒子，根据辐照试验结果分析SRAM器件的大气中子单粒子效应敏感特性。然而这种方式引发的SRAM器件的失效率，是一种模拟结果，用于对大气中子单粒子效应下的SRAM器件的敏感特性进行分析时，其准确度较低。
技术实现思路
基于此，有必要针对目前对大气中子单粒子效应下的SRAM器件的敏感特性进行分析时，其准确度较低的问题，提供一种大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法和系统。一种大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法，包括以下步骤：对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测，获取SRAM阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据；获取所述SRAM阵列的总容量；根据所述测量数据以及所述SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率。在其中一个实施例中，所述测量数据包括单粒子翻转数和测量时间；所述根据所述测量数据以及所述SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率的步骤包括以下步骤：根据所述单粒子翻转数、测量时间和SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率。在其中一个实施例中，所述根据所述单粒子翻转数、测量时间和SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率的步骤包括以下步骤：根据以下函数关系式获取SRAM器件失效率：λ＝(NSEU×109)÷(T测量×NSRAM)式中，λ为SRAM器件失效率，NSEU为单粒子翻转数，T测量为测量时间，NSRAM为SRAM阵列的总容量。在其中一个实施例中，在海拔高度大于预设值的位置执行所述对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤。在其中一个实施例中，在所述SRAM器件实际应用的位置执行所述对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤。在其中一个实施例中，所述对所述SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测，获取SRAM阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据的步骤还包括以下步骤：当检测过程中单粒子翻转数达到预设阈值时，结束所述大气中子单粒子效应检测的步骤，执行所述获取所述SRAM阵列的总容量的步骤。在其中一个实施例中，所述对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤包括以下步骤：当检测到所述SRAM阵列发生单粒子锁定时，切断所述SRAM阵列的电源。在其中一个实施例中，所述切断所述SRAM阵列的电源的步骤之后还包括以下步骤：再次执行所述对所述SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤，继续获取所述SRAM阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据。一种大气中子诱发的SRAM器件失效率检测系统，包括以下模块：单粒子效应检测模块，用于对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测，获取SRAM阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据；容量获取模块，用于获取所述SRAM阵列的总容量；失效率获取模块，用于根据所述测量数据以及所述SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率。根据上述大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法和系统，通过对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测，获取SRAM阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据；获取所述SRAM阵列的总容量；根据所述测量数据以及所述SRAM阵列的总容量，可以获得SRAM器件失效率。在此方案中，所述测量数据为对SRAM进行大气中子单粒子效应检测后获得的数据，所述测量数据能够提高大气中子单粒子效应下的获取的SRAM器件失效率的准确度，从而实现SRAM器件大气中子单粒子效应敏感性的准确定量评价，解决我国目前SRAM器件大气中子单粒子效应评价方法缺失的难题。一种可读存储介质，其上存储有可执行程序，该程序被处理器执行时实现上述大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法的步骤。一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的可执行程序，所述处理器执行所述程序时实现上述大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法的步骤。附图说明图1为本专利技术大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法一个实施例的流程示意图；图2为本专利技术大气中子诱发的SRAM器件失效率检测系统一个实施例的结构示意图；图3为本专利技术大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法一个实施例的流程示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步的详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本专利技术，并不限定本专利技术的保护范围。参见图1所示，为本专利技术大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法一个实施例的流程示意图，该实施例中的大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法包括以下步骤：步骤S110：对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测，获取SRAM阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据；在本步骤中，所述SRAM阵列包括多个SRAM器件，通过对多个SRAM器件同时测量，可以等效为对一个SRAM器件进行长时间的测量，缩短了所述测量数据的获取时间，提高了SRAM器件大气中子单粒子效应检测的效率。进一步地，所述对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤中检测所述SRAM阵列中的SRAM器件是否发生单粒子翻转，在另一个实施例中，在海拔高度大于预设值的位置执行所述对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤。在本实施例中，空间环境中的大气中子通量随海拔高度变化而变化，当在海拔高度高的位置进行大气中子单粒子效应检测时，由于所述位置具有较高的中子通量，因此更易触发SRAM器件发生单粒子效应，缩短获取所述测量数据的时间，提高了大气中子单粒子效应检测的效率。可选地，所述对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤，可以在高海拔地区进行，也可以通过飞机搭载的方式进行。根据实际检测过程中对获取所述测量数据耗时的要求确定所述预设值。例如，由于海拔高度越高，对应的环境中的大气中子通量也越高，越容易导致SRAM器件发生单粒子效应。众多的试验数据表明，海拔高度在0km～18km之内时，大气中子通量与海拔高度之间关系为正相关，并在海拔高度约18km处的大气中子通量达到最大值。民航飞机之中，短航线飞机飞行高度一般为6本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法，其特征在于，包括以下步骤：对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测，获取SRAM阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据；获取所述SRAM阵列的总容量；根据所述测量数据以及所述SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率。

【技术特征摘要】
1.一种大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法，其特征在于，包括以下步骤：对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测，获取SRAM阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据；获取所述SRAM阵列的总容量；根据所述测量数据以及所述SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率。2.根据权利要求1所述的大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法，其特征在于，所述测量数据包括单粒子翻转数和测量时间；所述根据所述测量数据以及所述SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率的步骤包括以下步骤：根据所述单粒子翻转数、测量时间和SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率。3.根据权利要求2所述的大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法，其特征在于，所述根据所述单粒子翻转数、测量时间和SRAM阵列的总容量获取SRAM器件失效率的步骤包括以下步骤：根据以下函数关系式获取SRAM器件失效率：λ＝(NSEU×109)÷(T测量×NSRAM)式中，λ为SRAM器件失效率，NSEU为单粒子翻转数，T测量为测量时间，NSRAM为SRAM阵列总容量。4.根据权利要求1所述的大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法，其特征在于，在海拔高度大于预设值的位置执行所述对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤。5.根据权利要求1所述的大气中子诱发的SRAM器件失效率检测方法，其特征在于，在所述SRAM器件实际应用的位置执行所述对SRAM阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤。6.根据权利要求1所述的大气中子诱...

【专利技术属性】
技术研发人员：张战刚，雷志锋，何玉娟，彭超，师谦，黄云，恩云飞，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所，
类型：发明
国别省市：广东,44