蚀刻速率控制制造技术

技术编号:1814778 阅读:183 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
在基底(例如,适于与一个或多个附加板组装以限定出模具(42)的模板(50),模具(42)用于在接触紧固件的钩子组件上形成钩子或杆)的一面形成空腔(10)的方法,包括:在基底上形成具有蚀刻剂通过区(65)和蚀刻剂阻滞区(59)图案的光刻胶材料(64)层;并且将化学蚀刻剂施用到基底上施用,使得蚀刻剂底蚀蚀刻剂阻滞区(59)以在基底中形成单独连续的空腔(68a、68b)。该空腔各个区域的相对蚀刻深度部分地由光刻胶材料中蚀刻剂通过区的密度控制。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光化学蚀刻以在基底上形成空腔。
技术介绍
光化学蚀刻通常包括在已涂覆光刻胶材料层的可蚀刻基底上放置掩模,然后曝光该光刻胶材料。如果使用负性光刻胶,则曝光区域的光刻胶被固化并且耐化学蚀刻剂。用溶剂洗去未曝光的光刻胶区域,使得下面的基底层的一部分未被覆盖以备蚀刻。如果使用正性光刻胶,则曝光区域不牢固并易于洗去。当已施用光刻胶掩模时,将化学蚀刻剂施用到基底以在基底上未覆盖的区域产生空腔。通常的应用,例如用于制造钩子紧固件的微钩模,寻求制造具有复杂形状的非常小的模。美国专利US5900350描述了一种为钩子紧固件产生微钩模的方法,并且其全文通过引用在此纳入。专利技术概述一方面,本专利技术的特点在于一种在基底(例如,微钩模板、半导体冲模、光学镜片板等)上形成空腔的方法,其包括在基底上形成一个具有蚀刻剂通过区和蚀刻剂阻滞区图案的光刻胶材料层。将化学蚀刻剂施用到基底上,使得蚀刻剂通过蚀刻剂通过区并底蚀蚀刻剂阻滞区,以在基底上的蚀刻剂通过区和蚀刻剂阻滞区下面形成单独连续的空腔。在某些结构中,在第一模板上形成的光刻胶材料图案层包括将光刻胶材料施用于基底的至少一面;在光刻胶材料上放置具有遮蔽区的掩模,适于部分阻挡位于遮蔽区之下的光刻胶材料;以及使通过掩模的光曝光光刻胶材料。如果使用负性光刻胶,未曝光区域被除去,以产生具有蚀刻剂通过区和蚀刻剂阻滞区图案的光刻胶材料层。如果使用正性光刻胶,曝光区域被除去以产生图案层。某些结构中的光刻胶的蚀刻剂通过区可以包括由蚀刻剂阻滞区限定的孔,并且蚀刻剂阻滞区可以包括由无光刻胶材料的蚀刻剂通过区包围的光刻胶材料的离散、限定区域。蚀刻剂通过区和蚀刻剂阻滞区的图案可以为一致的以形成深度基本一致的空腔,或者也可以为非一致的以形成具有不同深度的空腔。在某些结构中,当施用蚀刻剂时,可以选择蚀刻剂通过区和蚀刻剂阻滞区以形成延伸完全穿过基底的空腔。在某些结构中,基底可以是适合与一个或多个附加板组装的模板,以限定用于接触紧固件的钩子组件上的钩子或杆的模。另一方面,本专利技术的特点在于一种在基底上形成空腔方法,该方法包括将光刻胶材料施用到基底上;在光刻胶材料上放置具有遮蔽区的掩模,适于部分阻挡位于遮蔽区下面的光刻胶材料曝光;使通过掩模的光曝光光刻胶材料;以及向该板施用化学蚀刻剂使得在基底上对应于掩模遮蔽区的区域内形成单独的连续空腔。另一方面,本专利技术的特点为一种形成片状产品的方法,该片状产品具有从宽表面延伸的凸出物阵列,该方法包括通过形成光刻胶材料层来在第一模板上形成空腔,所述光刻胶材料层包括在第一模板至少一面上的蚀刻剂通过区和蚀刻剂阻滞区的图案。将化学蚀刻剂施用到该板上,以使蚀刻剂底蚀蚀刻剂阻滞区以在该板上蚀刻剂通过区和蚀刻剂阻滞区下面的区域内形成单独的连续空腔。第一模板与一个或多个附加板组装以形成模具,空腔协同临近板的表面至少部分地限定从模表面向内延伸的模空腔阵列之一。将树脂施用到模表面并且迫使一些树脂进入模空腔以形成从形成于模表面上的树脂层整体延伸的凸出物阵列。在某些结构中,第一模板的光刻胶图案层的形成包括将光刻胶施用到该板的至少一面上;在光刻胶上放置具有遮蔽区的掩模,适合部分阻挡位于遮蔽区下的光刻胶材料;以及使通过掩模的光曝光光刻胶材料。如果使用负性光刻胶,未曝光区域被除去以产生具有光刻胶通过区和光刻胶阻滞区的图案的光刻胶材料层。如果使用正性光刻胶,曝光区域被除去以产生图案层。在某些结构中,光刻胶的蚀刻剂通过区可以包括由蚀刻剂阻滞区限定的孔,并且蚀刻剂阻滞区可以包括由无光刻胶材料的蚀刻剂通过区包围的光刻胶材料的离散、限定区域。蚀刻剂通过区和蚀刻剂阻滞区的图案可以是一致的以形成深度基本一致的空腔,或者也可以是不一致的以形成具有不同深度的空腔。在某些结构中,在第一模板上形成的空腔是用于接触紧固件的钩子组件的钩子或杆形状。另一方面,本专利技术特点在于一种形成用于制造片状产品的模(moldform)的方法,该片状产品具有从其宽表面延伸出的凸出物阵列,该方法包括将光刻胶材料施用到第一模板的至少一面;在光刻胶材料上放置具有遮蔽区的掩模,适于部分地阻挡位于遮蔽区下面的光刻胶材料曝光;以及使通过掩模的光曝光光刻胶材料。将化学蚀刻剂施用到该板上,从而在该板上与掩模遮蔽区对应的区域上形成单独连续的空腔。第一模板与一个或多个附加模板组装以形成模,使得空腔协同相邻板的表面至少部分地限定出从该模表面向内延伸的one or an array of模空腔。在某些结构中,掩模的遮蔽区包括使用高分辨率绘图机或打印机印刷在非不透明片(例如Mylar胶片)上的光阻滞区和光通过区图案(例如,由光阻滞区限定的孔或由无掩模材料的光通过区包围的掩模材料的离散、限定区域)。掩模的遮蔽区可以包括具有一致曝光密度的区域,使得施用到板上的化学蚀刻剂得以在与具有一致曝光密度的掩模遮蔽区对应的区域产生深度大致一致的空腔。遮蔽区域可以包括具有不一致的曝光密度的区域,使得施用到板上的化学蚀刻剂得以在与具有不一致曝光密度的掩模遮蔽区对应的区域产生具有不同深度的空腔。掩模也可以包括第二区,该第二区适于完全阻挡位于第二区之下的光刻胶材料曝光。在某些结构中,可蚀刻板限定某些截面形状(例如,圆形、矩形等)的周长并且空腔是被沿着该板的周长蚀刻的。板中形成的空腔可以具有钩子形状,例如这样一种形状,其包括底部和顶端且横截面积从空腔的底部到顶端逐渐减少。空腔也可以具有这样的钩子形状,其包括邻接弯曲部分的底座部分和至少一个从底座部分或弯曲部分凸出的倒钩。在其他结构中,空腔可以具有杆的形状。本专利技术一个或更多个实施方案的细节在下面的附图和说明中展现。本专利技术的其他特点、目的、和优点可以从说明书、附图和权利要求中体现。附图说明图1是钩子模的侧视图。图2-3是图1中钩子模的剖视图。图4-5是摈触紧固件的钩子组件图。图6是制造模制成型的钩子组件过程的示意图。图7A-7C是制造模制成型的钩子部件的模制辊的示意图。图8是用于产生钩子模空腔的掩模的示意图。图9A-9D是说明产生钩子模空腔过程的系列示意图。图10A-10D为产生具有在基底上深度逐步增加的空腔的过程的系列示意图。图11A-11C用于产生钩子模空腔的掩模示意图。图12A和13A是用于制造分别示于图12B和13B的钩子的掩模的示意图。图12B和13B是使用由分别示于图12A和13A的掩模制造的模形成的钩子部件的前视图。图14A-14C是用来产生钩子模空腔的掩模的示意图。图15A、15C、15E、16A和17A是用来产生分别示于图15B、15D、15F、16B和17B的钩子和杆的掩模的示意图。图15B、15D和15F是使用由分别示于图15A、15C和15E的掩模形成的模成型的钩子部件的前视图。图16B是如图16A所示的掩模产生的杆的透视图。图17B是如图17A所示的掩模产生的杆的顶视图。图18A是用来产生如图18B-18C所示的杆的掩模的示意图。图18B和18C是由图18A所示的掩模成型的杆的侧视图和剖面图。图18D是由图18B-18C所示的杆形成的杆状钩子的示意图。图19是用来制造带有环状转向器的钩子模的空腔的掩模的示意图。相同附图标记在不同附图中代表相同部件。专利技术详述参考图1-3,用来形成接触紧固件的钩子组件的钩子的模空本文档来自技高网...

【技术保护点】
形成片状产品的方法,所述片状产品具有从其宽表面延伸的凸出物(34)阵列,该方法包括:在第一模板(50)上形成空腔,包括:在该第一模板(50)的至少一面上形成光刻胶材料层(64),该光刻胶材料层包括蚀刻剂通过区(63)和蚀刻剂 阻滞区(59)的图案;和将化学蚀刻剂施用到该板上使得蚀刻剂底蚀该蚀刻剂阻滞区以在该板上在所述蚀刻剂通过区和蚀刻剂阻滞区的图案下面的区域内形成单独的连续空腔(68a、68b);用一个或多个附加板与第一模板组装以形成模(42), 该空腔协同相邻板的表面以至少部分限定从该模表面向内延伸的模空腔(10)阵列之一,和将树脂(40)施用到该模的表面且迫使一些树脂进入模空腔以形成从形成在该模表面的树脂层(32)整体延伸的凸出物(34)阵列。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:马克A克拉纳
申请(专利权)人:维尔克罗工业公司
类型:发明
国别省市:AN[菏属安的列斯群岛]

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