显示装置、电子装置和显示装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种显示装置、电子装置和显示装置的制造方法。显示装置包括：电极构造，其包括配置在基板上的第一电极和配置在所述第一电极上的构件；绝缘体，用于覆盖所述电极构造的周边部；有机膜，用于覆盖所述第一电极和所述绝缘体；以及第二电极，用于覆盖所述有机膜。所述构件包括以覆盖所述第一电极的上面的周边部的方式配置在所述电极构造的周边部中的第一部分，并且所述电极构造的周边部的反射率比作为所述电极构造的周边部内侧的部分的中央部的反射率低。

【技术实现步骤摘要】
显示装置、电子装置和显示装置的制造方法
本专利技术涉及显示装置、电子装置和显示装置的制造方法。
技术介绍
近年来，作为自发光型装置的包括有机EL元件的有机EL显示装置已作为平板显示器而受到关注。在日本特开2012-216495中描述了如下的显示装置，其中该显示装置包括：第一电极；绝缘膜，用于覆盖第一电极的周边部；有机层，用于覆盖第一电极和绝缘膜；以及第二电极，用于覆盖有机层。日本特开2012-216495描述了第一电极可以具有在20nm厚的钛、钨、铜、钽或钼的膜上堆叠15nm厚的铝膜的构造。在日本特开2012-216495中所描述的显示装置中，被绝缘膜覆盖的第一电极的周边部没有向有机层注入电荷，因此没有促成发光。另一方面，特定像素的第一电极的周边部可以在该第一电极的上方位置处反射有机层所产生的光，并且使该光入射到邻接像素。该光被称为杂散光，并且可能会使分辨率下降或者导致在彩色显示装置中发生混色。特别地，如果如日本特开2012-216495中所描述的显示装置那样、第一电极的上面由反射率高的金属材料制成以提高第一电极的反射率，则这种分辨率下降或混色的发生可能更加明显。
技术实现思路
本专利技术提供一种具有有利于抑制分辨率下降和/或混色的发生的构造的显示装置。本专利技术的第一方面提供一种显示装置，包括：电极构造，其包括配置在基板上的第一电极和配置在所述第一电极上的构件；绝缘体，用于覆盖所述电极构造的周边部；有机膜，用于覆盖所述第一电极和所述绝缘体；以及第二电极，用于覆盖所述有机膜，其中，所述构件包括以覆盖所述第一电极的上面的周边部的方式配置在所述电极构造的周边部中的第一部分，以及所述电极构造的周边部的反射率比作为所述电极构造的周边部内侧的部分的中央部的反射率低。本专利技术的第二方面提供一种显示装置，包括：电极构造，其包括配置在基板上的第一电极、以及配置在所述第一电极上并且包括第二部分的构件，其中所述第二部分是膜厚度比作为周边部的第一部分的膜厚度小的中央部；绝缘体，用于覆盖所述构件的所述周边部；有机膜，用于覆盖所述电极构造和所述绝缘体；以及第二电极，用于覆盖所述有机膜，其中，所述第一电极包含铝，以及所述构件包含钛。本专利技术的第三方面提供一种电子装置，包括：被定义为本专利技术的第一方面或第二方面的显示装置；以及驱动单元，用于驱动所述显示装置。本专利技术的第四方面提供一种显示装置的制造方法，包括以下步骤：在基板上形成第一电极和所述第一电极上的构件层；在所述构件层上形成绝缘膜；使用掩模去除所述绝缘膜在平面视图中与所述第一电极重叠的部位的一部分以形成开口，由此形成绝缘层；以及在所述绝缘层的该开口内，使用所述掩模去除所述构件层的一部分以在所述构件层中形成开口，由此形成构件。通过以下参考附图对典型实施例的说明，本专利技术的其它特征将变得明显。附图说明图1是示意性示出根据本专利技术的第一实施例的显示装置(有机EL显示装置)的截面构造的图；图2是示出图1所示的显示装置中的有机膜的配置的图；图3是示出连接插塞和电极构造相对于基板的表面的正交投影的图；图4是示出根据比较例的显示装置的配置的图；图5是用于说明根据本专利技术的第一实施例的显示装置中的杂散光的抑制的示意图；图6是示出根据本专利技术的第二实施例的显示装置的截面构造的图；图7是示出根据本专利技术的第三实施例的显示装置的截面构造的图；图8是示出根据本专利技术的第四实施例的显示装置的截面构造的图；图9是示出根据本专利技术的第五实施例的显示装置的截面构造的图；图10A～10C是示出根据本专利技术的第五实施例的显示装置的配置的图；图11A和11B是示出根据本专利技术的实施例的显示装置的制造方法的图；图12A和12B是示出根据本专利技术的实施例的显示装置的制造方法的图；图13是根据本专利技术的第一实施例的显示装置的平面图；图14是根据本专利技术的第六实施例的显示装置的平面图；图15是示出根据本专利技术的第六实施例的显示装置的截面构造的图；以及图16是示出包括根据本专利技术的显示装置的电子装置的示例的图。具体实施方式现在将参考附图通过实施例来说明本专利技术。图1示意性示出根据本专利技术的第一实施例的显示装置(有机EL显示装置)100的截面构造。图13是根据第一实施例的显示装置100的平面图(布局图)。图1与沿着图13的线A-A'所截取的截面图相对应。尽管图1仅示出两个像素、并且图13仅示出三个像素，但显示装置100可以包括更多的像素。各像素包括有机EL元件。显示装置100可以包括：基板10；驱动电路层11，其配置在基板10上；第一平坦化层12，用于覆盖驱动电路层11；以及多个电极构造30，其配置在第一平坦化层12上。驱动电路层11包括多个驱动电路，并且各驱动电路驱动相应像素的电极构造30。各电极构造30可以包括配置在基板10(第一平坦化层12)上的第一电极14和配置在第一电极14上的构件15。在多个电极构造30中的各电极构造30中，构件15包括以覆盖第一电极14的上面的周边部的方式配置在电极构造30的周边部31上的第一部分151。另外，在多个电极构造30中的各电极构造30中，构件15可以包括以覆盖第一电极14的上面的中央部的方式配置在电极构造30的中央部32的第二部分152。电极构造30的周边部31的反射率低于作为电极构造30的周边部31内侧的部分的中央部32的反射率。基板10可以是诸如玻璃基板等的绝缘性基板，可以是诸如金属基板等的导电性基板，或者可以是诸如硅基板等的半导体基板。驱动电路层11的多个驱动电路中的各驱动电路可以包括诸如TFT或MOSFET等的晶体管。如果基板10是诸如玻璃基板等的绝缘性基板，则可以将晶体管配置在基板10上。如果基板10是半导体基板，则可以在该半导体基板中形成晶体管的有源区。第一平坦化层12由于含水量低，因而可以由例如氧化硅或氮化硅等的无机材料制成。然而，第一平坦化层12可以由有机材料制成。显示装置100可以包括：绝缘体16，用于覆盖多个电极构造30中的各电极构造30的周边部31；有机膜17，用于覆盖绝缘体16和多个电极构造30中的各电极构造30的第一电极14；以及第二电极18，其被配置成覆盖有机膜17。在第一平坦化层12中，可以配置用于使驱动电路层11的各驱动电路连接至相应的电极构造30(第一电极14)的连接插塞13。绝缘体16可被配置成使多个电极构造30彼此分离。一个像素包括一个电极构造30。有机膜17和第二电极18可以由多个像素共用。显示装置100例如可以包括多个R像素(红色像素)、多个G像素(绿色像素)和多个B像素(蓝色像素)。图2示出有机膜17的配置的示例。有机膜17可以具有如下配置：例如，在电极构造30上顺次堆叠空穴注入层17a、空穴输送层17b、发光层17c、电子输送层17d和电子注入层17e。发光层17c所产生的光可以经由第二电极18被提取到外部。空穴注入层17a可被配置成覆盖构件15和绝缘体16。空穴注入层17a可以覆盖第一部分151的侧面和第二部分152的表面。显示装置100可以包括：第一保护层19，用于覆盖第二电极18；第二平坦化层20，用于覆盖第一保护层19；滤色层21，其配置在第二平坦化层20上；以及第二保护层22，其配置在滤色层21上。各像素的大小例如约为1～5μm。邻接的电极构造30之间的间隔例如可以为0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包括：电极构造，其包括配置在基板上的第一电极和配置在所述第一电极上的构件；绝缘体，用于覆盖所述电极构造的周边部；有机膜，用于覆盖所述第一电极和所述绝缘体；以及第二电极，用于覆盖所述有机膜，其中，所述构件包括以覆盖所述第一电极的上面的周边部的方式配置在所述电极构造的周边部中的第一部分，以及所述电极构造的周边部的反射率比作为所述电极构造的周边部内侧的部分的中央部的反射率低。

【技术特征摘要】
2016.11.30 JP 2016-233498;2017.10.27 JP 2017-208511.一种显示装置，包括：电极构造，其包括配置在基板上的第一电极和配置在所述第一电极上的构件；绝缘体，用于覆盖所述电极构造的周边部；有机膜，用于覆盖所述第一电极和所述绝缘体；以及第二电极，用于覆盖所述有机膜，其中，所述构件包括以覆盖所述第一电极的上面的周边部的方式配置在所述电极构造的周边部中的第一部分，以及所述电极构造的周边部的反射率比作为所述电极构造的周边部内侧的部分的中央部的反射率低。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极包含铝、银、铝合金和银合金至少之一。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述构件包含钛和氮化钛至少之一。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述构件包括以覆盖所述第一电极的上面的中央部的方式配置在所述电极构造的中央部的第二部分。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二部分的膜厚度小于所述第一部分的膜厚度。6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述有机膜被配置成与所述第一部分的侧面和所述第二部分的上面相接触。7.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一部分的厚度和所述第二部分的厚度之间的差不小于5nm。8.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二部分的厚度不大于8nm。9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，还包括：驱动电路，其配置在所述基板和所述第一电极之间，并且用于驱动所述电极构造；以及连接插塞，用于使所述驱动电路和所述电极构造相连接，其中，在相对于所述基板的表面的正交投影中，所述连接插塞配置在所述第一部分的区域内。10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述绝缘体包括使所述电极构造的所述中央部暴露的开口，并且所述有机膜包括配置在所述开口中的部分。11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，在所述正交投影中，所述开口与所述连接插塞之间的最短距离不小于0.1μm且不大于0.5μm。12.根据权利要求9所述的显示装置，其中，在所述正交投影中，所述连接插塞与所述第一电极的外侧端之间的最短距离不小于0.1μm且不大于0.5μm。13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一部分包括第一开口，所述绝缘体在平面视图中与所述第一开口重叠的位置处包括开口，以及所述有机膜包括配置在所述第一开口和所述开口中的部分，以使得与所述第一部分的面向所述第一开口的侧面相接触。14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，在所述第一部分和所述绝缘体之间的边界处，所述绝缘体的所述开口的侧面和所述第一部分的所述第一开口的侧面构成连续面。15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一部分的所述第一开口在与所述基板的表面平行的方向上的最大大小不大于所述绝缘体的所述开口在该方向上的最大大小。16.根据权利要求14所述的显...

【专利技术属性】
技术研发人员：古田真梨子，浮贺谷信贵，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP