真空离子镀膜装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种真空离子镀膜装置，涉及离子镀膜领域，该装置包括：镀膜炉，其设有腔体，所述腔体内设有基片架、膜料和离子源，所述基片架用于承放待镀膜的基片，所述离子源用于使所述膜料成为蒸汽并镀在所述基片上；真空泵，其与所述腔体相连；冷水箱，其通过进水管与所述腔体相连，所述进水管上设有增压泵；热水箱，其通过出水管与所述腔体相连；以及冷水机，其通过冷水管与所述冷水箱相连，并通过热水管与所述热水箱相连。本实用新型专利技术中的真空离子镀膜装置能提高镀膜的质量。

【技术实现步骤摘要】
真空离子镀膜装置
本技术涉及离子镀膜领域，具体涉及一种真空离子镀膜装置。
技术介绍
光学薄膜，就是在镜片上镶上一层或多层非常薄的特殊材料，使镜片能达到某种特定的光学效果。光学薄膜的制造是以真空蒸镀方式制作，最普通的方式为热电阻式，是将蒸镀材料在真空蒸镀机内置于电阻丝或片上，在高真空的情况下，加热使材料成为蒸气，直接镀于镜片上。离子镀膜是目前发展起来的一种镀膜新技术，其将各种气体放电方式引入到气相沉积领域，整个气相沉积过程都是在等离子体中进行的。离子镀大大提高了膜层粒子能量，可以获得更优异性能的膜层，扩大了“薄膜”的应用领域。但是在现有技术中，真空镀膜机在使用时，基片的镀膜厚度不易控制，且镀膜的质量及膜层的附着度不高，易从基片上脱落。此外在真空离子镀层时需要对真空离子镀膜机进行不间断的冷却，以保证工艺要求。而目前的对真空离子镀膜机进行冷却的效果较差，从而会导致真空离子镀膜机过热而对镀膜带来影响，影响了镀膜质量。
技术实现思路
针对现有技术中存在的缺陷，本技术的目的在于提供一种能提高镀膜的质量的真空离子镀膜装置。为达到以上目的，本技术采取的技术方案是：一种真空离子镀膜装置，包括：镀膜炉，其设有腔体，所述腔体内设有基片架、膜料和离子源，所述基片架用于承放待镀膜的基片，所述离子源用于使所述膜料成为蒸汽并镀在所述基片上；真空泵，其与所述腔体相连；冷水箱，其通过进水管与所述腔体相连，所述进水管上设有增压泵；热水箱，其通过出水管与所述腔体相连；以及冷水机，其通过冷水管与所述冷水箱相连，并通过热水管与所述热水箱相连。在上述技术方案的基础上，所述腔体内还设有电子枪，所述电子枪用于发射离子束。在上述技术方案的基础上，所述镀膜炉顶端设有第一顶窗。在上述技术方案的基础上，所述真空离子镀膜装置还包括罩体，所述罩体用于收容所述镀膜炉。在上述技术方案的基础上，所述罩体上设有第二顶窗。在上述技术方案的基础上，所述基片架上还设有基片加热器。在上述技术方案的基础上，所述冷水箱和热水箱一体设置。与现有技术相比，本技术的优点在于：(1)本技术中的真空离子镀膜装置包括冷水箱、热水箱和冷水机，可以在镀膜时对镀膜炉进行不间断的冷却，避免镀膜炉过热而对镀膜过程带来影响，保证了工艺要求，提高了镀膜的质量。(2)本技术中的真空离子镀膜装置还包括电子枪，电子枪用于发射离子束，在离子束的辅助下，可以形成致密均匀的膜层结构，从而可以提高镀膜膜层的稳定性，提高了镀膜层的质量，使之不易脱落，达到改善镀膜膜层光学和机械性能的目的。附图说明图1为本技术中真空离子镀膜装置的结构示意图；图2为本技术中镀膜炉和罩体的结构示意图。图中：1-镀膜炉，11-腔体，12-基片架，13-膜料，14-离子源，15-第一顶窗，16-基片加热器，2-真空泵，3-冷水箱，31-进水管，32-增压泵，4-热水箱，41-出水管，5-冷水机，51-冷水管，52-热水管，6-电子枪，7-罩体，71-第二顶窗。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步详细说明。参见图1和图2所示，本技术提供一种真空离子镀膜装置，其包括镀膜炉1、真空泵2、冷水箱3、热水箱4和冷水机5。其中，镀膜炉1设有腔体11，腔体11内设有基片架12、膜料13和离子源14。基片架12用于承放待镀膜的基片，离子源14用于使膜料13成为蒸汽并镀在基片架12上。腔体11内还设有电子枪6，电子枪6用于发射离子束。在用离子束轰击正在生成的膜层后，可以形成致密均匀的膜层结构，从而可以提高镀膜膜层的稳定性，提高了镀膜层的质量，使之不易脱落，达到改善镀膜膜层光学和机械性能的目的。镀膜炉1顶端设有第一顶窗15，通过打开顶窗15，可以方便的将基片放在基片架12上，通常基片指的是玻璃片。基片架12上还设有基片加热器16，通过基片加热器16在镀膜前对基片进行稳定均匀加热，从而可以改善膜层均匀性和致密性。本技术中的真空离子镀膜装置还包括罩体7，罩体7用于收容镀膜炉1，设置罩体7后可以起到一定的防护作用。同时在罩体7上设有第二顶窗71，方便放置基片。真空泵2与腔体11相连，其用于使腔体11保持真空环境。冷水箱3通过进水管31与腔体11相连，进水管31上设有增压泵32。热水箱4通过出水管41与腔体11相连。冷水机5通过冷水管51与冷水箱3相连，并通过热水管52与热水箱4相连。本技术中的冷水箱3和热水箱4一体设置。本技术中的真空离子镀膜装置使用时，先在热水箱4内蓄水。当镀膜炉1开始工作时，开启冷水机5，水通过热水管52进入冷水机5进行冷却降温，降温后的水通过冷水管51进入冷水箱3，再通过进水管31进入增压泵32，开启增压泵32使冷却水加压进入镀膜炉1进行冷却作业，之后升温后的水通过出水管41流回热水箱4，完成循环过程。本技术中的真空离子镀膜装置在设置了冷水箱3、热水箱4和冷水机5后，可以在镀膜时对镀膜炉1进行不间断的冷却，避免镀膜炉1过热而对镀膜过程带来影响，保证了工艺要求。本技术不仅局限于上述最佳实施方式，任何人在本技术的启示下都可得出其他各种形式的产品，但不论在其形状或结构上作任何变化，凡是具有与本技术相同或相近似的技术方案，均在其保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空离子镀膜装置，其特征在于，包括：镀膜炉(1)，其设有腔体(11)，所述腔体(11)内设有基片架(12)、膜料(13)和离子源(14)，所述基片架(12)用于承放待镀膜的基片，所述离子源(14)用于使所述膜料(13)成为蒸汽并镀在所述基片上；真空泵(2)，其与所述腔体(11)相连；冷水箱(3)，其通过进水管(31)与所述腔体(11)相连，所述进水管(31)上设有增压泵(32)；热水箱(4)，其通过出水管(41)与所述腔体(11)相连；以及冷水机(5)，其通过冷水管(51)与所述冷水箱(3)相连，并通过热水管(52)与所述热水箱(4)相连。

【技术特征摘要】
1.一种真空离子镀膜装置，其特征在于，包括：镀膜炉(1)，其设有腔体(11)，所述腔体(11)内设有基片架(12)、膜料(13)和离子源(14)，所述基片架(12)用于承放待镀膜的基片，所述离子源(14)用于使所述膜料(13)成为蒸汽并镀在所述基片上；真空泵(2)，其与所述腔体(11)相连；冷水箱(3)，其通过进水管(31)与所述腔体(11)相连，所述进水管(31)上设有增压泵(32)；热水箱(4)，其通过出水管(41)与所述腔体(11)相连；以及冷水机(5)，其通过冷水管(51)与所述冷水箱(3)相连，并通过热水管(52)与所述热水箱(4)相连。2.如权利要求1所述的真空离子镀膜装...

【专利技术属性】
技术研发人员：付德君，李娜，曾晓梅，
申请(专利权)人：武汉江海行纳米科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42