应用于显示面板的老化处理方法及老化处理系统技术方案

本发明专利技术公开了一种应用于显示面板的老化处理方法及老化处理系统，通过根据显示面板中需要进行老化处理的晶体管的初始特性曲线，确定晶体管的初始截止电压范围；根据初始截止电压范围，确定晶体管所需的栅源电压和漏源电压，以增大晶体管的截止电压范围；根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理。该方法中由于对各显示面板施加的老化处理电压是根据该显示面板中的晶体管获得的，因此老化处理后的效果好，能够有效保证工艺良率及产品TFT特性的稳定性。

Aging treatment method and aging treatment system applied to display panel

The present invention discloses an aging processing method and an aging processing system applied to the display panel. The initial cut-off voltage range of the transistor is determined by the initial characteristic curve of the transistor which needs to be aged in the display panel, and the gate source voltage and leakage required by the transistor are determined according to the initial cut-off voltage range. The source voltage is used to increase the cut-off voltage range of the transistors; the aging processing of the transistors that need to be aged in the display panel is processed according to the required gate source voltage and the drain source voltage determined by the transistors. In this method, the aging processing voltage applied to each display panel is obtained according to the transistors in the display panel, so the effect after aging is good, and it can effectively guarantee the good rate of the process and the stability of the TFT characteristics of the product.

【技术实现步骤摘要】
应用于显示面板的老化处理方法及老化处理系统
本专利技术涉及显示
，尤指一种应用于显示面板的老化处理方法及老化处理系统。
技术介绍
在有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)器件制作过程中，OLED器件成型后需对OLED器件中的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)进行老化(Aging)处理，简称TFT-Aging，以达到消除亮点且保证TFT特性稳定的目的。目前在进行TFT-Aging处理时，通过给OLED器件加载固定的电压值，形成较大的应力(Stress)作用于TFT上，从而达到老化效果。老化效果与Stress相关，适中的Stress可使得OLED器件良品率提高和TFT特性稳定性提高。现阶段TFT-Aging是通过给TFT写入固定的电压值，形成固定的Stress(Vgs和Vds)作用于TFT上，通过多次调试，最终得到理想的AgingStress。但是由于现有产品TFT特性离散型较大，单一固定的AgingStress无法使所有产品均达到好的老化效果，Stress过大、过小都会造成TFT漏电而产生亮点和无法保证TFT特性稳定性。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种应用于显示面板的老化处理方法及老化处理系统，用以解决现有技术中存在的单一固定的AgingStress无法使所有产品均达到好的老化效果的问题。本专利技术实施例提供的一种应用于显示面板的老化处理方法，包括：对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管，获取所述晶体管的初始特性曲线；根据获取的所述初始特性曲线确定所述晶体管的初始截止电压范围；根据所述初始截止电压范围，确定所述晶体管所需的栅源电压和漏源电压，以增大所述晶体管的截止电压范围；根据所述确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理。可选地，在本专利技术实施例提供的老化处理方法中，根据所述初始截止电压范围，确定所述晶体管所需的栅源电压和漏源电压，具体包括：根据所述初始截止电压范围确定所述晶体管对应的参考截止电压范围；以所述参考截止电压范围为目标截止电压范围，确定所述晶体管要达到所述目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压；将所述参考栅源电压和所述参考漏源电压施加于所述晶体管后获取所述晶体管当前的特性曲线；确定获取的所述晶体管当前的特性曲线是否满足要求；若获取的所述晶体管当前的特性曲线不满足要求，则增大所述参考截止电压范围，并以增大后的所述参考截止电压范围为目标截止电压范围；直到所述晶体管当前的特性曲线满足要求，并将满足要求时的参考栅源电压和参考漏源电压作为所述晶体管所需的栅源电压和漏源电压。可选地，在本专利技术实施例提供的老化处理方法中，根据预先获取的栅源电压、漏源电压和截止电压范围的对应关系，确定所述晶体管要达到所述目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压。可选地，在本专利技术实施例提供的老化处理方法中，确定获取的所述晶体管当前的特性曲线是否满足要求，具体为：确定点亮所述显示面板时所述晶体管所需的栅源电压是否在所述晶体管当前的截止电压范围内；若是，则满足要求；若否，则不满足要求。可选地，在本专利技术实施例提供的老化处理方法中，所述获取该晶体管的初始特性曲线，具体为：根据预先获取的所述晶体管的特性测试结果模拟所述晶体管的初始特性曲线。可选地，在本专利技术实施例提供的老化处理方法中，预先获取的所述晶体管的特性测试结果是所述显示面板在进行阵列基板测试时获得的。可选地，在本专利技术实施例提供的老化处理方法中，根据所述确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理，具体为：根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，确定的各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压；将各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压施加至对应的晶体管上，以对需要进行老化处理的各所述晶体管进行老化处理。相应地，本专利技术实施例还提供了一种应用于显示面板的老化处理系统，包括：分析模块，用于对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管，获取所述晶体管的初始特性曲线；并根据获取的所述初始特性曲线确定所述晶体管的初始截止电压范围；电压确定模块，用于根据所述初始截止电压范围，确定所述晶体管所需的栅源电压和漏源电压，以增大所述晶体管的截止电压范围；测试模块，用于根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理。可选地，在本专利技术实施例提供的老化处理系统中，所述电压确定模块具体用于：根据所述初始截止电压范围确定所述晶体管对应的参考截止电压范围；以所述参考截止电压范围为目标截止电压范围，确定所述晶体管要达到所述目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压；将所述参考栅源电压和所述参考漏源电压施加于所述晶体管后获取所述晶体管当前的特性曲线；确定获取的所述晶体管当前的特性曲线是否满足要求；若获取的所述晶体管当前的特性曲线不满足要求，则增大所述参考截止电压范围，并以增大后的所述参考截止电压范围为目标截止电压范围；直到所述晶体管当前的特性曲线满足要求，并将满足要求时的参考栅源电压和参考漏源电压作为所述晶体管所需的栅源电压和漏源电压。可选地，在本专利技术实施例提供的老化处理系统中，所述电压确定模块用于根据预先获取的栅源电压、漏源电压和截止电压范围的对应关系，确定所述晶体管要达到所述目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压。可选地，在本专利技术实施例提供的老化处理系统中，所述电压确定模块用于确定获取的所述晶体管当前的特性曲线是否满足要求，具体为：确定点亮所述显示面板时所述晶体管所需的栅源电压是否在所述晶体管当前的截止电压范围内；若是，则满足要求；若否，则不满足要求。可选地，在本专利技术实施例提供的老化处理系统中，所述分析模块具体用于：根据预先获取的所述晶体管的特性测试结果模拟所述晶体管的初始特性曲线。可选地，在本专利技术实施例提供的老化处理系统中，预先获取的所述晶体管的特性测试结果是所述显示面板在进行阵列基板测试时获得的。可选地，在本专利技术实施例提供的老化处理系统中，所述测试模块具体用于：根据所述确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，确定的各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压；将各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压施加至对应的晶体管上，以对需要进行老化处理的各所述晶体管进行老化处理。本专利技术有益效果如下：本专利技术实施例提供的上述应用于显示面板的老化处理方法及老化处理系统，通过根据显示面板中需要进行老化处理的晶体管的初始特性曲线，确定晶体管的初始截止电压范围；根据初始截止电压范围，确定晶体管所需的栅源电压和漏源电压，以增大晶体管的截止电压范围；根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理。该方法中由于对各显示面板施加的老化处理电压是根据该显示面板中的晶体管获得的，因此老化处理后的效果好，能够有效保证工艺良率及产品TFT特性的稳定性。附图说明图1为本专利技术实施例提供的老化处理方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例提供的晶体管的Id-Vg曲线的示意图；图3为本专利技术实施例提供的TFT-Aging前后的Id-Vg曲线示意本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于显示面板的老化处理方法，其特征在于，包括：对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管，获取所述显示面板中所述晶体管的初始特性曲线；根据获取的所述初始特性曲线确定所述晶体管的初始截止电压范围；根据所述初始截止电压范围，确定所述晶体管所需的栅源电压和漏源电压，以增大所述晶体管的截止电压范围；根据所述确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理。

【技术特征摘要】
1.一种应用于显示面板的老化处理方法，其特征在于，包括：对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管，获取所述显示面板中所述晶体管的初始特性曲线；根据获取的所述初始特性曲线确定所述晶体管的初始截止电压范围；根据所述初始截止电压范围，确定所述晶体管所需的栅源电压和漏源电压，以增大所述晶体管的截止电压范围；根据所述确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理。2.如权利要求1所述的老化处理方法，其特征在于，根据所述初始截止电压范围，确定所述晶体管所需的栅源电压和漏源电压，具体包括：根据所述初始截止电压范围确定所述晶体管对应的参考截止电压范围；以所述参考截止电压范围为目标截止电压范围，确定所述晶体管要达到所述目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压；将所述参考栅源电压和所述参考漏源电压施加于所述晶体管后获取所述晶体管当前的特性曲线；确定获取的所述晶体管当前的特性曲线是否满足要求；若获取的所述晶体管当前的特性曲线不满足要求，则增大所述参考截止电压范围，并以增大后的所述参考截止电压范围为目标截止电压范围；直到所述晶体管当前的特性曲线满足要求，并将满足要求时的参考栅源电压和参考漏源电压作为所述晶体管所需的栅源电压和漏源电压。3.如权利要求2所述的老化处理方法，其特征在于，根据预先获取的栅源电压、漏源电压和截止电压范围的对应关系，确定所述晶体管要达到所述目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压。4.如权利要求2所述的老化处理方法，其特征在于，确定获取的所述晶体管当前的特性曲线是否满足要求，具体为：确定点亮所述显示面板时所述晶体管所需的栅源电压是否在所述晶体管当前的截止电压范围内；若是，则满足要求；若否，则不满足要求。5.如权利要求1-4任一项所述的老化处理方法，其特征在于，所述获取该晶体管的初始特性曲线，具体为：根据预先获取的所述晶体管的特性测试结果模拟所述晶体管的初始特性曲线。6.如权利要求5所述的老化处理方法，其特征在于，预先获取的所述晶体管的特性测试结果是所述显示面板在进行阵列基板测试时获得的。7.如权利要求1-4任一项所述的老化处理方法，其特征在于，根据所述确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理，具体为：根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，确定的各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压；将各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压施加至对应的晶体管上，以对需要进行老化...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵科，张国庆，高弘玮，王晓伟，贾智慧，宗岩，杨龙飞，杨红霞，郭美利，王伟峰，赵普查，郭志鑫，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11