【技术实现步骤摘要】
一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构
本技术涉及一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构,具体涉及一种PVT法生长大尺寸碳化硅晶体的反向温度梯度控制的装置结构。
技术介绍
碳化硅作为第三代半导体材料,具有高出传统硅材料数倍的禁带的优良特性,并且击穿电场强度高、热稳定性好等特点,在高温、高压、大功率、光电、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。综上碳化硅晶体的优点,未来碳化硅将在各个领域替代硅材料的位置,因此对碳化硅材料的需求量也随之增大。目前碳化硅单晶生长的尺寸较小,并且生长较困难,导致晶体的价格较昂贵,拖延了碳化硅晶体材料发展的局势,因此解决大尺寸、高品质的碳化硅单晶的生长对碳化硅晶体材料发展有着重要意义。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种PVT法生长大尺寸、半绝缘碳化硅单晶的,可控制生长末期快速生长碳化硅晶体的生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构。本技术的目的是这样实现的:它包括坩埚、坩埚盖、籽晶杆、上部保温层结构、下部保温层结构、侧面保温层结构以及感应线圈结构组成,坩埚分为筒状无底结构和坩埚托两个部分,筒状无底结构放置于坩埚托上部;坩埚上方依次放置坩埚盖和上部保温层结构;籽晶杆下端设有籽晶托盘结构,并且籽晶杆可以轴向移动;侧面保温层结构围绕在坩埚的外部,侧面保温层结构外侧的感应线圈结构可轴向移动。本技术还有这样一些特征:1、所述的筒状无底结构的外径为Φ160~Φ240mm,内径为Φ100~Φ180mm,高度为330-430mm;坩埚托直径为Φ160~Φ240mm,厚度为80-140mm;筒状无底结构放置于坩埚托上部,用于盛放固体 ...
【技术保护点】
一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构,其特征在于它包括坩埚、坩埚盖、籽晶杆、上部保温层结构、下部保温层结构、侧面保温层结构以及设置在侧面保温层结构外侧的感应线圈结构组成,坩埚分为筒状无底结构和坩埚托两个部分,筒状无底结构放置于坩埚托上部;坩埚上方依次放置坩埚盖和上部保温层结构;籽晶杆下端设有籽晶托盘结构,并且籽晶杆可以轴向移动;侧面保温层结构围绕在坩埚的外部,侧面保温层结构外侧的感应线圈结构可轴向移动,上部保温层结构位于坩埚盖的顶部,下部保温层结构位于坩埚托的底端。
【技术特征摘要】
1.一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构,其特征在于它包括坩埚、坩埚盖、籽晶杆、上部保温层结构、下部保温层结构、侧面保温层结构以及设置在侧面保温层结构外侧的感应线圈结构组成,坩埚分为筒状无底结构和坩埚托两个部分,筒状无底结构放置于坩埚托上部;坩埚上方依次放置坩埚盖和上部保温层结构;籽晶杆下端设有籽晶托盘结构,并且籽晶杆可以轴向移动;侧面保温层结构围绕在坩埚的外部,侧面保温层结构外侧的感应线圈结构可轴向移动,上部保温层结构位于坩埚盖的顶部,下部保温层结构位于坩埚托的底端。2.根据权利要求1所述的一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构,其特征在于所述的筒状无底结构的外径为Φ160~Φ240mm,内径为Φ100~Φ180mm,高度为330-430mm。3.根据权利要求2所述的一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构,其特征在于所述的坩埚托直径为Φ160~Φ240mm,厚度为80-140mm;筒状无底结构放置于坩埚托上部。4.根据权利要求3所述的一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构,其特征在于所述的坩埚盖的直径为Φ180~Φ260mm,厚度为80-120mm,坩埚盖中心留有放置籽晶杆的通孔,直径为Φ60~Φ81mm,并且向圆周的边缘方向开一个宽度为60-81mm、长度为90-130mm的通槽;通槽的一侧设置一个可关闭的扇形划片,扇形划片的角度为90°,半径为Φ60~Φ90mm。5.根据权利要求4所述的一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构,其特征在于所述的籽晶杆的直径为Φ60~Φ80mm,长度为200-...
【专利技术属性】
技术研发人员:左洪波,杨鑫宏,李铁,袁帅,
申请(专利权)人:哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司,
类型:新型
国别省市:黑龙江,23
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