一种高频耦合薄膜电容制造技术

技术编号:18081189 阅读:33 留言:0更新日期:2018-05-31 10:23
本实用新型专利技术公开了一种高频耦合薄膜电容,包括电容壳体、正极座脚和正极导柱,所述电容壳体的内侧设置有散热栅板,所述电容壳体的右侧上表面设置有负极座脚,所述负极座脚的上侧表面设置有负极引脚,所述正极座脚安装在电容壳体的上侧表面靠近负极座脚的左侧;在电容引脚下设置有引脚座脚,不但增加了引脚的连接可靠性,并且可以通过引脚座脚与电路板之间的接触,将电容产生的热量传输到电板上,且在介质膜下的金属箔外侧设置有金属箔散热片,与散热栅板相互配合增大了与空气间的接触面积,可以使介质膜产生的热量快速排散,保证了电容介质在高频交流电的作用下保持良好的介电性质,从而保证电容的工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种高频耦合薄膜电容
本技术属于电子器件
,具体涉及一种高频耦合薄膜电容。
技术介绍
薄膜电容器可分为直流薄膜电容器和交流薄膜电容器两大类:直流薄膜电容器是指工作在以直流电源供电的电路中的薄膜电容器,可分为通用类、抑制电源电磁干扰类、脉冲类和精密类四类;交流薄膜电容器是指工作在以交流电源供电的电路中的薄膜电容器,按功能分电动机启动运行、功率因素补偿等。原有的薄膜电容将高频交流信号合并传输到下一级电路,作为两个电路之间的连接,由于高频电流在电容中不断变化,使电极介质间产生大量热量,容易造成电容介质性质发生变化,甚至导致介质被电流击穿,损坏电容。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种高频耦合薄膜电容,以解决上述
技术介绍
中提出的原有的薄膜电容将高频交流信号合并传输到下一级电路,作为两个电路之间的连接,由于高频电流在电容中不断变化,使电极介质间产生大量热量,容易造成电容介质性质发生变化,甚至导致介质被电流击穿,损坏电容的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种高频耦合薄膜电容,包括电容壳体、正极座脚和正极导柱,所述电容壳体的内侧设置有散热栅板,所述电容壳体的右侧上表面设置有负极座脚,所述负极座脚的上侧表面设置有负极引脚,所述正极座脚安装在电容壳体的上侧表面靠近负极座脚的左侧,所述正极座脚的上侧设置有正极引脚,所述电容壳体的内部靠近负极座脚的下侧设置有负极导柱,所述负极导柱的外侧靠近散热栅板的内侧设置有金属箔散热片,所述负极导柱的下侧设置有保护垫,所述负极座脚的中间位置处靠近电容壳体的上侧设置有座脚卡槽,所述负极引脚的中间位置处设置有引脚线孔,所述正极导柱安装在正极座脚的下侧表面,所述正极导柱的内侧表面设置有正极金属箔,所述正极金属箔的上侧设置有正极介质膜,所述正极金属箔的左侧靠近正极导柱的内部设置有金属箔固定座,所述负极导柱的内侧表面设置有负极金属箔,所述负极金属箔的上侧设置有负极介质膜,所述正极导柱的下侧设置有卡槽,所述卡槽的内侧设置有保护膜,所述引脚线孔与外部电源电性连接。优选的,所述正极座脚与电容壳体之间通过座脚卡槽固定连接,所述负极座脚与电容壳体之间通过座脚卡槽固定连接,所述正极座脚相较于负极座脚横截面积较大。优选的,所述金属箔散热片共设置有十个,其中六个金属箔散热片安装在负极金属箔的外侧靠近散热栅板的内侧,另外四个金属箔散热片安装在正极金属箔的外侧靠近散热栅板的内侧。优选的,所述正极金属箔与正极导柱之间通过金属箔固定座固定连接,所述负极金属箔与负极导柱之间通过金属箔固定座固定连接,所述正极金属箔与负极金属箔均设置成波浪形状。优选的,所述正极引脚与正极导柱之间通过正极座脚固定连接,所述负极引脚与负极导柱之间通过负极座脚固定连接。与现有技术相比,本技术的有益效果是:本技术结构科学合理,使用安全方便,在电容引脚下设置有引脚座脚,不但增加了引脚的连接可靠性,并且可以通过引脚座脚与电路板之间的接触,将电容产生的热量传输到电板上,且在介质膜下的金属箔外侧设置有金属箔散热片,与散热栅板相互配合增大了与空气间的接触面积,可以使介质膜产生的热量快速排散,保证了电容介质在高频交流电的作用下保持良好的介电性质,从而保证电容的工作效率。附图说明图1为本技术的结构示意图;图2为本技术的侧视结构示意图;图3为本技术的负极导柱结构示意图;图中:1-电容壳体、2-正极座脚、3-正极引脚、4-负极引脚、5-负极座脚、6-散热栅板、7-负极导柱、8-座脚卡槽、9-引脚线孔、10-金属箔散热片、11-保护垫、12-金属箔固定座、13-正极金属箔、14-正极导柱、15-负极金属箔、16-负极介质膜、17-正极介质膜、18-保护膜、19-卡槽。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。请参阅图1-3,本技术提供一种技术方案:一种高频耦合薄膜电容,包括电容壳体1、正极座脚2和正极导柱14,电容壳体1的内侧设置有散热栅板6,电容壳体1的右侧上表面设置有负极座脚5,负极座脚5的上侧表面设置有负极引脚4,正极座脚2安装在电容壳体1的上侧表面靠近负极座脚5的左侧,正极座脚2的上侧设置有正极引脚3,电容壳体1的内部靠近负极座脚5的下侧设置有负极导柱7,负极导柱7的外侧靠近散热栅板6的内侧设置有金属箔散热片10,负极导柱7的下侧设置有保护垫11,负极座脚5的中间位置处靠近电容壳体1的上侧设置有座脚卡槽8,负极引脚4的中间位置处设置有引脚线孔9,正极导柱14安装在正极座脚2的下侧表面,正极导柱14的内侧表面设置有正极金属箔13,正极金属箔13的上侧设置有正极介质膜17,正极金属箔13的左侧靠近正极导柱14的内部设置有金属箔固定座12,负极导柱7的内侧表面设置有负极金属箔15,负极金属箔15的上侧设置有负极介质膜16,正极导柱14的下侧设置有卡槽19,卡槽19的内侧设置有保护膜18,引脚线孔9与外部电源电性连接。为了使得通过电容引脚将热量传输到电板上,并保证引脚连接的可靠性,本实施例中,优选的,正极座脚2与电容壳体1之间通过座脚卡槽8固定连接,负极座脚5与电容壳体1之间通过座脚卡槽8固定连接,正极座脚2相较于负极座脚5面积较大。为了使得方便通过散热栅板6增大内部发热元件与空气的接触面积,对电容进行散热处理,本实施例中,优选的,金属箔散热片10共设置有十个,其中六个金属箔散热片10安装在负极金属箔15的外侧靠近散热栅板6的内侧,另外四个金属箔散热片10安装在正极金属箔13的外侧靠近散热栅板6的内侧。为了使得方便对电容内金属箔进行散热,保证电容器在高频耦合作业中使用的可靠性,本实施例中,优选的,正极金属箔13与正极导柱14之间通过金属箔固定座12固定连接,负极金属箔15与负极导柱7之间通过金属箔固定座12固定连接,正极金属箔13与负极金属箔15均设置成波浪形状。为了使得保证引脚与电容之间连接的可靠性,保证电容的使用寿命,本实施例中,优选的,正极引脚3与正极导柱14之间通过正极座脚2固定连接,负极引脚4与负极导柱7之间通过负极座脚5固定连接。本技术的工作原理及使用流程:本技术安装好过后,将正极引脚3和负极引脚4通过焊锡焊接到电路板上,在电容进行耦合作业时,负极导柱7和正极导柱14之间的电压不断变化,导柱间的负极介质膜16和正极介质膜17两侧的电压不断发生变化,从而产生大量热量,热量通过介质膜间的正极金属箔13和负极金属箔15将热量传输到金属箔散热片10上,通过流动的空气将散热栅板6上的热量带走,另外通过电极导柱将热量传输到正极座脚2以及负极座脚5上,将热量导入电路板中,从而保证电容的高效工作。尽管已经示出和描述了本技术的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...
一种高频耦合薄膜电容

【技术保护点】
一种高频耦合薄膜电容,包括电容壳体(1)、正极座脚(2)和正极导柱(14),其特征在于:所述电容壳体(1)的内侧设置有散热栅板(6),所述电容壳体(1)的右侧上表面设置有负极座脚(5),所述负极座脚(5)的上侧表面设置有负极引脚(4),所述正极座脚(2)安装在电容壳体(1)的上侧表面靠近负极座脚(5)的左侧,所述正极座脚(2)的上侧设置有正极引脚(3),所述电容壳体(1)的内部靠近负极座脚(5)的下侧设置有负极导柱(7),所述负极导柱(7)的外侧靠近散热栅板(6)的内侧设置有金属箔散热片(10),所述负极导柱(7)的下侧设置有保护垫(11),所述负极座脚(5)的中间位置处靠近电容壳体(1)的上侧设置有座脚卡槽(8),所述负极引脚(4)的中间位置处设置有引脚线孔(9),所述正极导柱(14)安装在正极座脚(2)的下侧表面,所述正极导柱(14)的内侧表面设置有正极金属箔(13),所述正极金属箔(13)的上侧设置有正极介质膜(17),所述正极金属箔(13)的左侧靠近正极导柱(14)的内部设置有金属箔固定座(12),所述负极导柱(7)的内侧表面设置有负极金属箔(15),所述负极金属箔(15)的上侧设置有负极介质膜(16),所述正极导柱(14)的下侧设置有卡槽(19),所述卡槽(19)的内侧设置有保护膜(18),所述引脚线孔(9)与外部电源电性连接。...

【技术特征摘要】
1.一种高频耦合薄膜电容,包括电容壳体(1)、正极座脚(2)和正极导柱(14),其特征在于:所述电容壳体(1)的内侧设置有散热栅板(6),所述电容壳体(1)的右侧上表面设置有负极座脚(5),所述负极座脚(5)的上侧表面设置有负极引脚(4),所述正极座脚(2)安装在电容壳体(1)的上侧表面靠近负极座脚(5)的左侧,所述正极座脚(2)的上侧设置有正极引脚(3),所述电容壳体(1)的内部靠近负极座脚(5)的下侧设置有负极导柱(7),所述负极导柱(7)的外侧靠近散热栅板(6)的内侧设置有金属箔散热片(10),所述负极导柱(7)的下侧设置有保护垫(11),所述负极座脚(5)的中间位置处靠近电容壳体(1)的上侧设置有座脚卡槽(8),所述负极引脚(4)的中间位置处设置有引脚线孔(9),所述正极导柱(14)安装在正极座脚(2)的下侧表面,所述正极导柱(14)的内侧表面设置有正极金属箔(13),所述正极金属箔(13)的上侧设置有正极介质膜(17),所述正极金属箔(13)的左侧靠近正极导柱(14)的内部设置有金属箔固定座(12),所述负极导柱(7)的内侧表面设置有负极金属箔(15),所述负极金属箔(15)的上侧设置有负极介质膜(16),所述正极导柱(14)的下侧设置有...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏三春李建军
申请(专利权)人:东莞市弘富瑞电子有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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