一种防静电保护膜及其用途制造技术

本发明专利技术涉及一种防静电保护膜，所述防静电保护膜包括底层和使用层，所述底层包括由离型胶层(13)一侧依次连接的第一基材层(12)和第一防静电层(11)，所述使用层包括由粘合胶层(23)依次连接的第二基材层(22)和第二防静电层(21)，所述底层和使用层通过所述离型胶层(13)和粘合胶层(23)相连接；所述防静电保护膜的电阻率低，撕离电压小，同时耐高温高湿性能好。

【技术实现步骤摘要】
一种防静电保护膜及其用途
本专利技术属于膜科学领域，涉及一种保护膜，尤其涉及一种防静电保护膜。
技术介绍
目前，一些电子产品的玻璃基材表面，在搬运和使用过程中，容易受到一些化学物质的接触性污染或指甲等的磨痕划伤，通常需要在其表面贴附保护膜来使之免受损伤和污染。现有技术中的保护膜一般采用PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)材料作为基材，再涂上涂层材料制备。由于PET材料的电阻率高达1010-1020Ω·cm，容易积蓄静电。当这类保护膜在电子产品上使用时，容易吸附灰尘和杂质，同时也容易产生静电对电子部件材料造成损害，并且不利于人体健康。CN203198346U公开了一种防静电膜，所述防静电膜包括表层和内层，所述表层和内层之间还设置有外基层、中间层、和内基层，其特征是所述内层为聚噻吩分散液层或碳纳米管分散液层。所述聚噻吩分散液层或碳纳米管分散液层的厚度为U，0μm<U<μm。所述外基层为PET，所述PET的厚度为W，12μm<W<30μm。所述内基层为PE、CPP或CPE，所述内基层的厚度为M，20μm<M。所述中间层为Al层，所述中间层的厚度为N，N>40埃。该技术提供的防静电膜内层为聚噻吩分散液层或碳纳米管分散液，直接与被保护的电子元件或电器表面接触，首先无法使聚噻吩分散液层或碳纳米管分散液粘合在上述表面上，同时虽然聚噻吩分散液层或碳纳米管分散液具有导电性，可以分散静电，但是分散的静电实施上依旧停留在电子元件或电器表面，且由于该层处于防静电膜的最内侧，静电无法耗散，并未实质上将静电分散，在静电积聚到一定程度，或静电电荷过大时并不能起到永久防静电的作用。CN104419337A公开了一种PET双面防静电保护膜及其制备方法，所述PET防静电保护膜由PET基材、压敏胶层、离型膜和防静电层构成，PET基材的一面为防静电处理层，另一面与离型膜通过压敏胶层相贴合，该压敏胶层中含有防静电微粒。该专利技术在的双层防静电的原理为基材一侧防静电层，而另一层的压敏胶中添加防静电微粒来抵抗静电，实质上该保护膜的使用层包括防静电层、基材层和压敏胶层，而使用层与外界的隔绝仍为离型层，由于离型层的高电阻，会使压敏胶层表面继续静电，即使其中含有防静电微粒，由于其两侧为高电阻的离型层和基材层，静电无法耗散，静电积蓄问题依旧没有得到很好的解决。因此，针对现有技术保护膜电阻率高，易积蓄静电，同时防静电膜的防静电效率低，使用寿命短的问题，研究一种新型的防静电保护膜十分重要。
技术实现思路
针对现有技术中存在的保护膜电阻率高，易积蓄静电，同时防静电膜的防静电效率低，使用寿命短的问题，本专利技术提供一种防静电保护膜，所述防静电保护膜防静电效果明显，防静电寿命长，撕离电压小，且防静电效果不受环境温度和湿度影响。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：本专利技术目的之一在于提供一种防静电保护膜，所述防静电保护膜包括底层和使用层，所述底层包括由离型胶层一侧依次连接的基材层和防静电层，所述使用层包括由粘合胶层依次连接的基材层和防静电层，所述底层和使用层通过所述离型胶层和粘合胶层相连接。作为本专利技术优选的技术方案，所述第二基材层和所述第一基材层为PET基材层，所述PET基材层中含有聚噻吩。作为本专利技术优选的技术方案，所述第二基材层中所述聚噻吩与PET基材的质量比为(0.1～5):100，如0.1:100、0.2:100、0.5:100、1:100、2:100、3:100、4:100或5:100等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内包含的其他未列举的数值也同样适用，进一步优选为(1～3):100。在PET基材中掺杂聚噻吩，由于聚噻吩为芳香性的噻吩聚合得到，而PET中也含有苯环，因此二者具有良好的相容性。而加入导电聚合物聚噻吩后，一方面聚噻吩本身可以导电，同时通过共轭作用提高了PET分子中电子的活性，降低了PET基材的电阻率；另一方面，当PET基材层中有静电存在时，聚噻吩可以及时将静电分散，避免了因静电的积累，而使部分区域电压过高而损害电子元件的问题。同时，当聚噻吩的加入量与PET基材的质量比小于0.1:100时，聚噻吩含量过低，不能有效降低PET基材层的电阻率同时传递静电；而当聚噻吩的加入量与PET基材的质量比大于5:100时，由于聚噻吩本身具有水溶性，虽然增大聚噻吩的加入量可以进一步降低PET基材层的电阻率，但是PET层表面的亲水性质会增加，在潮湿环境下的使用寿命下降。优选地，所述第二基材层的厚度为9～50μm，如9μm、10μm、12μm、15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm或50μm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内包含的其他未列举的数值也同样适用。优选地，所述第二基材层的电阻率为106～1011Ω·cm，如106Ω·cm、107Ω·cm、108Ω·cm、109Ω·cm、1010Ω·cm或1011Ω·cm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内包含的其他未列举的数值也同样适用。作为本专利技术优选的技术方案，所述第一基材层中所述聚噻吩与PET基材的质量比为(0.1～5):100，如0.1:100、0.2:100、0.5:100、1:100、2:100、3:100、4:100或5:100等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内包含的其他未列举的数值也同样适用，进一步优选为(1～3):100。优选地，所述第一基材层的厚度为9～50μm，如9μm、10μm、12μm、15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm或50μm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内包含的其他未列举的数值也同样适用。优选地，所述第一基材层的电阻率为106～1011Ω·cm，如106Ω·cm、107Ω·cm、108Ω·cm、109Ω·cm、1010Ω·cm或1011Ω·cm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内包含的其他未列举的数值也同样适用。作为本专利技术优选的技术方案，所述第二防静电层的材料包括石墨黑、乙炔黑、科琴黑、聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩中任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性实例有：石墨黑和乙炔黑的组合、石墨黑和科琴黑的组合、聚苯胺和聚吡咯的组合、聚吡咯和聚噻吩的组合、聚噻吩或乙炔黑的组合或石墨黑、科琴黑和聚苯胺的组合等，优选为聚噻吩。优选地，所述第二防静电层的厚度为1～10μm，如1μm、2μm、3μm、4μm、5μm、6μm、7μm、8μm、9μm或10μm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内包含的其他未列举的数值也同样适用，进一步优选为3～6μm。优选地，所述第二防静电层的电阻率为105～1011Ω·cm，如105Ω·cm、106Ω·cm、107Ω·cm、108Ω·cm、109Ω·cm、1010Ω·cm或1011Ω·cm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内包含的其他未列举的数值也同样适用。作为本专利技术优选的技术方案，所述第一防静电层的材料包括石墨黑、乙炔黑、科琴黑、聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩中任意一种或至少两种的组合，所述组合典型但非限制性实例有：石墨黑和乙炔黑的组合、石墨黑和科琴黑的组合、聚苯胺和聚吡咯的组合、聚吡咯和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防静电保护膜，其特征在于，所述防静电保护膜包括底层和使用层，所述底层包括由离型胶层(13)一侧依次连接的第一基材层(12)和第一防静电层(11)，所述使用层包括由粘合胶层(23)依次连接的第二基材层(22)和第二防静电层(21)，所述底层和使用层通过所述离型胶层(13)和粘合胶层(23)相连接。

【技术特征摘要】
1.一种防静电保护膜，其特征在于，所述防静电保护膜包括底层和使用层，所述底层包括由离型胶层(13)一侧依次连接的第一基材层(12)和第一防静电层(11)，所述使用层包括由粘合胶层(23)依次连接的第二基材层(22)和第二防静电层(21)，所述底层和使用层通过所述离型胶层(13)和粘合胶层(23)相连接。2.根据权利要求1所述的防静电保护膜，其特征在于，所述第二基材层(22)和第一基材层(12)为PET基材层，所述PET基材层中含有聚噻吩。3.根据权利要求1或2所述的防静电保护膜，其特征在于，所述第二基材层(22)中所述聚噻吩与PET基材的质量比为(0.1～5):100，进一步优选为(1～3):100；优选地，所述第二基材层(22)的厚度为9～50μm；优选地，所述第二基材层(22)的电阻率为106～1011Ω·cm。4.根据权利要求1-3所述的防静电保护膜，其特征在于，所述第一基材层(12)中所述聚噻吩与PET基材的质量比为(0.1～5):100，进一步优选为(1～3):100；优选地，所述第一基材层(12)的厚度为9～50μm；优选地，所述第一基材层(12)的电阻率为106～1011Ω·cm。5.根据权利要求1-4任一项所述的防静电保护膜，其特征在于，所述第二防静电层(21)的材料包括石墨黑、乙炔黑、科琴黑、聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩中任意一种或至少两种的组合，优选为聚噻吩；优选地，所述第二防静电层(21)的厚度为1～10μm，进一步优选为3～6μm；优选地，所述第二防静电层(...

【专利技术属性】
技术研发人员：金国华，
申请(专利权)人：浙江欣麟新材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33