一种高强度屏下指纹识别光电保护膜及其制备方法技术

本发明专利技术旨在提供一种高强度屏下指纹识别光电保护膜及其制备方法，包括离型底膜层及功能层，所述功能层沿远离所述离型底膜层方向依次包括安装硅胶层、使用基膜层、HC层、保护硅胶层和保护基膜层，所述使用基膜层为双层的使用基膜，其中所述使用基膜的至少一面设置有防腐蚀易接着层，所述防腐蚀易接着层的材质为聚酯、聚氨酯、丙烯酸、有机硅涂层中的一种或几种的组合，双层的所述使用瘠基膜之间设置有黏胶层，所述黏胶层为OCA压敏胶、丙烯酸压敏胶、聚氨酯胶、聚酯胶中的一种或几种的组合，所述黏胶层的粘合力为500‑5000g。

A photoelectric protective film for fingerprint recognition under high intensity screen and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种高强度屏下指纹识别光电保护膜及其制备方法
本专利技术涉及一种高强度屏下指纹识别光电保护膜，属于电子产品的表明保护领域。
技术介绍
随着智能穿戴设备技术的迅猛发展，弧面屏幕应用于电子产品特别是电视、电脑、手机上也越来越广。弧面屏幕具有以下特点：弧面屏幕其重量小，功率低，一定程度上解决了续航问题；弧面屏幕也更加符合人体工程学设计，佩戴舒适度更高。而现有高强度屏下指纹识别光电保护膜，其使用层包括单层型和复合型，单层型弧度仅适合于2.5D屏使用；复合型可适合于目前市面流行的2.5D、3D、4D等不同弧度的触摸屏保护膜两种。由于使用基膜层一般为PC材质，容易被其上下表面的有机层所含的有机溶剂腐蚀，从而使使用基膜层自身的强度降低，抗拉强度大大降低。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种抗拉力好的高强度屏下指纹识别光电保护膜及其制备方法。本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，包括离型底膜层及功能层，所述功能层沿远离所述离型底膜层方向依次包括安装硅胶层、使用基膜层、HC层、保护硅胶层和保护基膜层，所述使用基膜层为双层的使用基膜，其中所述使用基膜的至少一面设置有防腐蚀易接着层，所述防腐蚀易接着层的材质为聚酯、聚氨酯、丙烯酸、有机硅涂层中的一种或几种的组合，双层的所述使用瘠基膜之间设置有黏胶层，所述黏胶层为OCA压敏胶、丙烯酸压敏胶、聚氨酯胶、聚酯胶中的一种或几种的组合，所述黏胶层的粘合力为500-5000g。进一步地，本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，离型底膜层的厚度为36-125μm，安装硅胶层的厚度为10-100μm，使用基膜层的厚度为50-250μm，HC层的厚度为1-10μm，保护硅胶层的厚度为5-25μm，保护基膜层的厚度为36-125μm。进一步地，本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，所述离型底膜层为氟素离型膜，所述使用基膜层的基膜材质为PC、TPU、PMMA、TAC、PP、SRF、COP中的一种或几种的组合，所述保护基膜层的材质为PET保护基膜。进一步地，本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，所述HC层的硬度为1-9H,水滴角95-120°，表面摩擦系数为小于0.1，表面摩擦电压小于400V，表面阻抗为109-110Ω，附着力为大于5B。进一步地，本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，所述HC层的硬度为2-3H,水滴角102-110°，表面摩擦系数为小于0.05。进一步地，本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，所述安装硅胶的剥离力为1-1500g。进一步地，本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，所述使用PC基膜层的材质为PC或PC与PMMA的组合。进一步地，本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，所述防腐蚀易接着层和黏胶层层的厚度之和占所述使用基膜层的5%-15%，其中黏胶层层的厚度占，所述防腐蚀易接着层和黏胶层层的厚度之和的30%-40%。进一步地，本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，所述PC膜的上下两面均设置有防腐蚀易接着层。本专利技术的另一目的在于提供一种制备上述高强度屏下指纹识别光电保护膜的方法，在使用基膜层的所述使用基膜的至少一面预先涂覆防腐蚀易接着层，所述防腐蚀易接着层的材质为聚酯、聚氨酯、丙烯酸、有机硅涂层中的一种或几种的组合，将离型底膜层和功能层依次进行叠合压制而成。有益效果：本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，在使用基膜（特别是PC使用基膜）上涂HC层或安装硅胶层之前预先涂布设置防腐蚀易接着层，有效避免有机溶剂容易对使用基膜造成腐蚀，从而使使用基膜自身的强度降低，因此为了提高使用基膜的抗拉强度。附图说明图1、单层的使用基膜的屏下指纹识别光电保护膜的结构示意图。图2、双层的使用基膜的高强度屏下指纹识别光电保护膜的结构示意图。图3、本专利技术的屏下指纹识别光电保护膜的抗拉强度性能测试结果对比表。附图标记：1、保护基膜层、2保护硅胶层，3、HC层，4、使用基膜层，41、使用基膜，42、黏胶层，43、防腐蚀易接着层，5、安装硅胶层,6、离型底膜层。具体实施方式下面结合说明书附图及具体实施例对本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜进行详细说明。如图1-3所示，本专利技术旨在提供一种抗拉力好的高强度屏下指纹识别光电保护膜。本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，包括离型底膜层6及功能层，所述功能层沿远离所述离型底膜层6方向依次包括安装硅胶层5、使用基膜4、HC层3、保护硅胶层2和保护基膜层1，所述使用基膜4为双层的使用基膜41，其中所述使用基膜41的至少一面设置有防腐蚀易接着层43，所述防腐蚀易接着层43的材质为聚酯、聚氨酯、丙烯酸、有机硅涂层中的一种或几种的组合，双层的所述使用瘠基膜之间设置有黏胶层42，所述黏胶层42为OCA压敏胶、丙烯酸压敏胶、聚氨酯胶、聚酯胶中的一种或几种的组合，所述黏胶层42的粘合力为500-5000g。进一步地，本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，离型底膜层6的厚度为36-125μm，安装硅胶层5的厚度为10-100μm，使用基膜4的厚度为50-250μm，HC层3的厚度为1-10μm，保护硅胶层2的厚度为5-25μm，保护基膜层1的厚度为36-125μm。进一步地，本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，所述离型底膜层6为氟素离型膜，所述使用基膜4的基膜材质为PC、TPU、PMMA、TAC、PP、SRF、COP中的一种或几种的组合，所述保护基膜层1的材质为PET保护基膜。进一步地，本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，所述HC层3的硬度为1-9H,水滴角95-120°，表面摩擦系数为小于0.1，表面摩擦电压小于400V，表面阻抗为109-110Ω，附着力为大于5B。进一步地，本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，所述HC层3的硬度为2-3H,水滴角102-110°，表面摩擦系数为小于0.05。进一步地，本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，所述安装硅胶的剥离力为1-1500g。进一步地，本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，所述使用PC基膜层的材质为PC或PC与PMMA的组合。进一步地，本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，所述防腐蚀易接着层43和黏胶层42层的厚度之和占所述使用基膜4的5%-15%，其中黏胶层42层的厚度占，所述防腐蚀易接着层43和黏胶层42层的厚度之和的30%-40%。进一步地，本专利技术的高强度屏下指纹识别光电保护膜，所述PC膜的上下两面均设置有防腐蚀易接着层43。本专利技术的另一目的在于提供一种制备上述高强度屏下指纹识别光电保护膜的方法，在使用基膜4的所述使用基膜41的至少一面预先涂覆防腐蚀易接着层43，所述防腐蚀易接着层43的材质为聚酯、聚氨酯、丙烯酸、有机硅涂层中的一种或几种的组合，将离型底膜层6和功能层依次进行叠合压制而成。由于使用基膜4的使用基膜41，特别是PC材质的使用基膜41，容易被市面上几乎所有的有机溶剂都会有一定程度的腐蚀，因本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高强度屏下指纹识别光电保护膜，其特征在于，包括离型底膜层及功能层，所述功能层沿远离所述离型底膜层方向依次包括安装硅胶层、使用基膜层、HC层、保护硅胶层和保护基膜层，所述使用基膜层为双层的使用基膜，其中所述使用基膜的至少一面设置有防腐蚀易接着层，所述防腐蚀易接着层的材质为聚酯、聚氨酯、丙烯酸、有机硅涂层中的一种或几种的组合，双层的所述使用瘠基膜之间设置有黏胶层，所述黏胶层为OCA压敏胶、丙烯酸压敏胶、聚氨酯胶、聚酯胶中的一种或几种的组合，所述黏胶层的粘合力为500-5000g。/n

【技术特征摘要】
1.一种高强度屏下指纹识别光电保护膜，其特征在于，包括离型底膜层及功能层，所述功能层沿远离所述离型底膜层方向依次包括安装硅胶层、使用基膜层、HC层、保护硅胶层和保护基膜层，所述使用基膜层为双层的使用基膜，其中所述使用基膜的至少一面设置有防腐蚀易接着层，所述防腐蚀易接着层的材质为聚酯、聚氨酯、丙烯酸、有机硅涂层中的一种或几种的组合，双层的所述使用瘠基膜之间设置有黏胶层，所述黏胶层为OCA压敏胶、丙烯酸压敏胶、聚氨酯胶、聚酯胶中的一种或几种的组合，所述黏胶层的粘合力为500-5000g。


2.根据权利要求1所述高强度屏下指纹识别光电保护膜，其特征在于，离型底膜层的厚度为36-125μm，安装硅胶层的厚度为10-100μm，使用基膜层的厚度为50-250μm，HC层的厚度为1-10μm，保护硅胶层的厚度为5-25μm，保护基膜层的厚度为36-125μm。


3.根据权利要求1所述高强度屏下指纹识别光电保护膜，其特征在于，所述离型底膜层为氟素离型膜，所述使用基膜层的基膜材质为PC、TPU、PMMA、TAC、PP、SRF、COP中的一种或几种的组合，所述保护基膜层的材质为PET保护基膜。


4.根据权利要求1所述高强度屏下指纹识别光电保护膜，其特征在于，所述HC层的硬度为1-9H,水滴角95-120°，表面摩...

【专利技术属性】
技术研发人员：金国华，
申请(专利权)人：浙江欣麟新材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33