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非可逆电路元件和使用其的通信装置制造方法及图纸

技术编号:18052925 阅读:54 留言:0更新日期:2018-05-26 09:51
本发明专利技术涉及非可逆电路元件和使用其的通信装置,技术问题为改善小型且能够以低成本制作的非可逆电路元件的电气特性。非可逆电路元件具有与层叠方向平行的安装面(11)、垂直于安装面且与层叠方向平行的侧面(13)、(14),包括:永磁铁(31);磁转子(40),相对于永磁铁在层叠方向层叠,具有中心导体(50)、从中心导体导出的端口(51)、(52);外部端子(21),设置于侧面(13),与端口(51)连接;外部端子(22),设置于侧面(14),与端口(52)连接。根据本发明专利技术,安装面与层叠方向平行,因而能不横截永磁铁而配置外部端子(21)、(22)。由此能防止起因于外部端子与永磁铁的重叠的电气特性的劣化。

【技术实现步骤摘要】
非可逆电路元件和使用其的通信装置
本专利技术涉及非可逆电路元件和使用其的通信装置,特别是涉及分布常数型的非可逆电路元件和使用其的通信装置。
技术介绍
隔离器或循环器等非可逆电路元件例如组装在手机那样的移动通信设备或在基站使用的通信装置等来进行使用。非可逆电路元件有分布常数型或集中常数型等的类型,其中,分布常数型的非可逆电路元件适合于基站等要求高输出的用途。分布常数型的非可逆电路元件的构造例如在专利文献1中被记载。专利文献1所记载的非可逆电路元件具有在壳体收纳有中心导体和永磁铁的结构,该中心导体具有彼此以120°的角度呈放射状延伸的3个端口,该永磁铁对铁氧体芯赋予磁场。但是,将中心导体或永磁铁收纳在壳体的类型的非可逆电路元件存在难以小型化或者降低制造成本等的问题。特别是在设想超过20GHz那样的高频区域中的使用的情况下,与数百MHz频带的非可逆电路元件相比,有必要将尺寸充分地小型化,因此,难以制作将中心导体或永磁铁收纳在壳体的类型的非可逆电路元件。因此,为了以低成本制作更加小型的非可逆电路元件,不是将中心导体或永磁铁收纳在壳体而是使用集合基板来制作的层叠型的非可逆电路元件是有利的。图14是表示层叠型的非可逆电路元件的一个例子的大致立体图。图14所示的非可逆电路元件100具有由2个永磁铁111、112夹持的磁转子120,其外形为大致长方体形状。磁转子120具有2个铁氧体芯121、122和由它们夹持的中心导体123,从中心导体123导出的3个端口131~133分别与外部端子141~143连接。图14所示的非可逆电路元件100具有如下结构:XY面是安装面,在与XY面正交的Z方向上依次层叠永磁铁111、磁转子120和永磁铁112。具有这样的结构的非可逆电路元件100在以集合基板的状态进行层叠后,通过切割进行单片化,从而能够获取多个,因此,能够降低制造成本,并且能够小型化整体的尺寸。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2012-29123号公报但是,在图14所示的非可逆电路元件100中,由于外部端子141~143在Z方向上横截永磁铁111,因此,外部端子141~143较大地受到来自永磁铁111的磁特性的影响。由此,对外部端子141~143具有的电感成分产生不良影响,因此,存在电气特性劣化、特别是插入损耗劣化等的问题。这样的问题在作为对象的频带低时并不突出,但是,在作为对象的频带例如成为20GHz以上时,电气特性会大幅劣化。
技术实现思路
因此,本专利技术的目的在于,改善小型并且能够以低成本制作的非可逆电路元件的电气特性。另外,本专利技术的目的在于,提供具有这样的非可逆电路元件的通信装置。本专利技术的非可逆电路元件,其特征在于,具有与层叠方向平行的安装面、和垂直于所述安装面并且与所述层叠方向平行的第一和第二侧面,所述非可逆电路元件包括:第一永磁铁;磁转子,相对于所述第一永磁铁在所述层叠方向上被层叠,并且具有中心导体和从所述中心导体导出的至少第一和第二端口;第一外部端子,设置在所述第一侧面,并且与所述第一端口连接;和第二外部端子,设置在所述第二侧面,并且与所述第二端口连接。另外,本专利技术的通信装置,其特征在于,具有上述的非可逆电路元件。根据本专利技术,由于安装面与层叠方向平行,因此,能够不横截永磁铁而配置外部端子。由此,能够防止起因于外部端子与永磁铁的重叠的电气特性的劣化。优选地,本专利技术的非可逆电路元件还包括磁性体基板,所述磁转子在所述层叠方向上被所述第一永磁铁和所述磁性体基板夹持。此时,进一步优选所述磁性体基板是第二永磁铁。由此,能够对中心导体垂直地施加强磁场。本专利技术中,优选所述磁转子包含在所述层叠方向上夹持所述中心导体的第一和第二铁氧体芯。由此,能够得到更加良好的电气特性。优选地,本专利技术的非可逆电路元件还包括设置在所述安装面的第三外部端子,所述中心导体还具有与所述第三外部端子连接的第三端口。由此,能够作为3端口结构的隔离器或者循环器来使用。此时,优选所述第一和第二外部端子的一部分设置在所述安装面。由此,能够提高安装强度和连接可靠性。优选地,本专利技术中,以所述中心导体的中心点为基准的所述第一端口的延伸方向与以所述中心导体的中心点为基准的所述第三端口的延伸方向所成的角度为锐角,以所述中心导体的中心点为基准的所述第二端口的延伸方向与以所述中心导体的中心点为基准的所述第三端口的延伸方向所成的角度为锐角。由此,由于能够缩短外部端子的长度,因此,能够得到良好的高频特性。优选地,本专利技术的非可逆电路元件还包括:导体板,在所述层叠方向上被所述第一永磁铁与所述磁转子夹持;和与所述导体板连接的第四外部端子。由此,能够对导体板赋予接地等的基准电位。优选地,本专利技术的非可逆电路元件还包括:连接导体,覆盖位于所述安装面的相反侧的上表面,连接所述导体板与所述第四外部端子。此时,优选所述导体板从所述安装面、所述第一侧面和所述第二侧面均不露出,从上表面露出而与所述连接导体连接。由此,能够防止导体板与外部端子之间的短路不良状况。根据本专利技术,能够提供非可逆电路元件,其小型并且能够以低成本制作,并且高频特性优异。另外,根据本专利技术,能够提供具有这样的非可逆电路元件的通信装置。附图说明图1是从上表面侧观察本专利技术的优选的实施方式的非可逆电路元件10的大致立体图。图2是从安装面侧观察非可逆电路元件10的大致立体图。图3是从上表面侧观察删除了非可逆电路元件10所包含的外部端子和连接导体的状态的大致立体图。图4是从安装面侧观察删除了非可逆电路元件10所包含的外部端子和连接导体的状态的大致立体图。图5是用于说明非可逆电路元件10的主要部分的大致分解立体图。图6是用于说明中心导体50的形状的YZ截面图。图7是用于说明设置于中心导体50的端口51~53的位置的示意图。图8是用于说明第一变形例的中心导体50的形状的图。图9是用于说明第二变形例的中心导体50的形状的图。图10是用于说明非可逆电路元件10的制作方法的工序图。图11是用于说明非可逆电路元件10的制作方法的工序图。图12是用于说明导体图案40B与导体板50A的位置关系的俯视图。图13是表示使用了本实施方式的非可逆电路元件的通信装置80的结构的框图。图14是表示层叠型的非可逆电路元件的一个例子的大致立体图。符号的说明10、91、92非可逆电路元件11安装面12上表面13~16侧面21~24外部端子25连接导体30A、31、32永磁铁30B、40B导体图案40磁转子40A、41、42铁氧体芯50中心导体50A导体板51~53端口54虚拟端口60、61导体板71、72粘接层73层叠体80通信装置80R接收电路部80T发送电路部81接收用放大电路82接收电路83发送电路84功率放大电路ANT天线C中心点D切割线L1~L4直线R0终端电阻器。具体实施方式以下,参照附图,对本专利技术的优选的实施方式进行详细的说明。图1和图2是表示本专利技术的优选的实施方式的非可逆电路元件10的结构的大致立体图,图1是从上表面侧观察的大致立体图,图2是从安装面侧观察的大致立体图。另外,图3和图4是删除了非可逆电路元件10所包含的外部端子和连接导体的状态的大致立体图,图3是从上面侧观察的大致立体图,图4是从安装面侧观察的大致立体图。再有,图5是用于说明非可逆电路元本文档来自技高网
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非可逆电路元件和使用其的通信装置

【技术保护点】
一种非可逆电路元件,其特征在于,具有与层叠方向平行的安装面和垂直于所述安装面并且与所述层叠方向平行的第一和第二侧面,所述非可逆电路元件包括:第一永磁铁;磁转子,相对于所述第一永磁铁在所述层叠方向上被层叠,具有中心导体和从所述中心导体导出的至少第一和第二端口;第一外部端子,设置于所述第一侧面,与所述第一端口连接;和第二外部端子,设置于所述第二侧面,与所述第二端口连接。

【技术特征摘要】
2016.11.14 JP 2016-2212671.一种非可逆电路元件,其特征在于,具有与层叠方向平行的安装面和垂直于所述安装面并且与所述层叠方向平行的第一和第二侧面,所述非可逆电路元件包括:第一永磁铁;磁转子,相对于所述第一永磁铁在所述层叠方向上被层叠,具有中心导体和从所述中心导体导出的至少第一和第二端口;第一外部端子,设置于所述第一侧面,与所述第一端口连接;和第二外部端子,设置于所述第二侧面,与所述第二端口连接。2.如权利要求1所述的非可逆电路元件,其特征在于,还包括磁性体基板,所述磁转子在所述层叠方向上被所述第一永磁铁和所述磁性体基板夹持。3.如权利要求2所述的非可逆电路元件,其特征在于,所述磁性体基板是第二永磁铁。4.如权利要求1所述的非可逆电路元件,其特征在于,所述磁转子包含在所述层叠方向上夹持所述中心导体的第一和第二铁氧体芯。5.如权利要求1所述的非可逆电路元件,其特征在于,还包括设置于所述安装面的第三外部端子,所述中心导体还具有与所述第三外部端子连接的第三端...

【专利技术属性】
技术研发人员:大波多秀典中村淳一
申请(专利权)人:TDK株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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