阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

一种阵列基板及其制造方法、显示装置。该阵列基板包括：基板、有源层、偏振板和遮光结构；有源层，设置于基板上；偏振板，与基板层叠设置，且设置在有源层的面向基板的一侧；遮光结构，设置于基板与有源层之间，其中，遮光结构具有偏振特性，且遮光结构的偏振方向与偏振板的偏振方向大致垂直。该阵列基板采用具有与偏振板的偏振方向大致垂直的偏振特性的遮光结构，既可以避免一般的遮光层厚度和坡度角引起的有源层的晶化不良，又可以简化工艺，降低成本，提升良率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示装置
本专利技术至少一实施例涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
现有产品以n型金属氧化物半导体(nMOS)低温多晶硅-液晶显示器(LTPS-LCD)为例，通常采用9步图案化工艺进行生产，一般在有源层形成之前，采用钼等金属材料作为遮光层形成在基板上。现有技术中，一方面形成遮光层的金属材料的厚度及坡度会影响有源层的晶化效果，另一方面多步图案化工艺会增加成本并影响良率。
技术实现思路
本专利技术的至少一实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置。该阵列基板的遮光结构具有与偏振板的偏振方向大致垂直的偏振特性，既可以避免一般的遮光层厚度和坡度角引起的有源层的晶化不良，又可以简化工艺，降低成本。本专利技术的至少一实施例提供一种阵列基板。该阵列基板包括基板、有源层、偏振板和遮光结构；有源层，设置于基板上；偏振板，与基板层叠设置，且设置在有源层的面向基板的一侧；遮光结构，设置于基板与有源层之间，该遮光结构具有偏振特性，且遮光结构的偏振方向与偏振板的偏振方向大致垂直。本专利技术的至少一实施例提供一种阵列基板的制造方法，包括：在基板的一侧贴附偏振板；在基板上形成偏振层；在偏振层上形成半导体层；将偏振层和半导体层图案化，被图案化的半导体层形成有源层，被图案化的偏振层形成遮光结构，该遮光结构的偏振方向与偏振板的偏振方向大致垂直。本专利技术的至少一实施例提供一种显示装置，包括上述任一种阵列基板。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1为一种阵列基板制造工艺中图案化工艺流程图；图2a为本专利技术一实施例提供的一种阵列基板；图2b为本专利技术一实施例提供的另一种阵列基板；图2c为本专利技术另一实施例提供的一种阵列基板；图3为本专利技术一实施例提供的一种阵列基板制造方法示意图；图4为本专利技术一实施例提供的一种阵列基板制造图案化工艺流程图；图5a-5i为本专利技术一实施例提供的一种阵列基板各步图案化工艺后截面示意图。附图标记：101-基板；102-有源层；1021-半导体层；103-偏振板；104-遮光结构；1041-偏振层；105-缓冲层；106-绝缘层；110-栅绝缘层；111-栅极；112-接触孔；1131-源极；1132-漏极；114平坦化层；1141-过孔；1142-过孔；115-公共电极；116-钝化层；117-像素电极；118-公共电极线；119-层间绝缘层。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，本专利技术使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。图1为一种阵列基板制造工艺中图案化工艺流程图。如图1所示，以n型金属氧化物半导体(nMOS)低温多晶硅-液晶显示器(LTPS-LCD)为例，包括：基板、遮光层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源漏电极、平坦化层、公共电极、钝化层和像素电极。为了制作此阵列基板，通常需要利用9张掩膜板进行9次构图工艺，分别是：S01：利用遮光层掩膜板(Mask1)通过构图工艺形成遮光层；S02：利用有源层掩膜板(Mask2)通过构图工艺对半导体层进行刻蚀形成有源层；S03：利用栅电极掩膜板(Mask3)通过构图工艺形成栅电极；S04：利用接触孔掩膜板(Mask4)通过构图工艺形成用于连接源漏电极与有源层的接触孔；S05：利用源漏电极掩膜板(Mask5)通过构图工艺形成源/漏电极；S06：利用平坦化层掩膜板(Mask6)通过构图工艺对平坦化层处理形成过孔，用以露出漏极和公共电极线；S07：利用公共电极掩膜板(Mask7)通过构图工艺形成公共电极；S08：利用钝化层掩膜板(Mask8)通过构图工艺对钝化层处理形成过孔，用以露出漏极；S09：利用像素电极掩膜板(Mask9)通过构图工艺形成像素电极，使像素电极与漏极电连接。在步骤S01中利用遮光层掩膜板(Mask1)通过构图工艺形成遮光层。一方面，采用钼等金属材料在基板上形成整面遮光层，针对不同产品中的每个产品都需要一块掩膜板，对遮光层采用大面积湿刻的方法进行图案化刻蚀，刻蚀后的遮光层的尺寸一般大于后续形成的有源层尺寸，并且很难与有源层同时图案化形成。另一方面，遮光层的厚度和坡度角也会影响后续有源层晶化的效果。本专利技术至少一个实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括基板、有源层、偏振板和遮光结构；有源层，设置于基板上；偏振板，与基板层叠设置，且设置在有源层的面向基板的一侧；遮光结构，设置于基板与有源层之间，遮光结构具有偏振特性，且遮光结构的偏振方向与偏振板的偏振方向大致垂直。这里“大致垂直”是指严格垂直和近似垂直，保证遮光结构和偏振板的结合可以起到遮光效果。该阵列基板中的遮光结构的偏振方向与偏振板的偏振方向大致垂直，从而使得在后续形成液晶盒后，有源层靠近基板的一侧的背光源无光线射入有源层，以避免背光源照射有源层产生光生漏电流。本专利技术的至少一实施例提供一种阵列基板的制造方法，包括：在基板的一侧贴附偏振板；在基板上形成偏振层；在偏振层上形成半导体层；将偏振层和半导体层图案化，被图案化的半导体层形成有源层，被图案化的偏振层形成遮光结构，该遮光结构的偏振方向与偏振板的偏振方向大致垂直。在该阵列基板的制造方法中由于利用偏振层形成遮光结构，所形成的遮光结构厚度较薄，可以避免因遮光结构的厚度和坡度角引起有源层后续的晶化不良。本专利技术的至少一实施例提供一种显示装置，包括上述任一种阵列基板。该显示装置采用上述阵列基板，可以避免有源层被光照射产生光生漏电流，提升了良率。以下通过几个实施例予以说明。实施例一本专利技术实施例提供了一种阵列基板，如图2a所示，阵列基板包括：基板101、有源层102、偏振板103和遮光结构104；有源层102，设置于基板101上；偏振板103，与基板101层叠设置，且设置在有源层102的面向基板101的一侧；遮光结构104，设置于基板101与有源层102之间，遮光结构104具有偏振特性，且遮光结构104的偏振方向与偏振板103的偏振方向大致垂直。基板101上的遮光结构104的偏振方向与基板101远离遮光结构104一侧的偏振板103的偏振方向大致垂直，当光源从偏振板103远离基板101的一侧入射时，偏振板103吸收了与其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：基板；有源层，设置于所述基板上；偏振板，与所述基板层叠设置，且设置在所述有源层的面向所述基板的一侧；遮光结构，设置于所述基板与所述有源层之间；其中，所述遮光结构具有偏振特性，且所述遮光结构的偏振方向与所述偏振板的偏振方向大致垂直。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：基板；有源层，设置于所述基板上；偏振板，与所述基板层叠设置，且设置在所述有源层的面向所述基板的一侧；遮光结构，设置于所述基板与所述有源层之间；其中，所述遮光结构具有偏振特性，且所述遮光结构的偏振方向与所述偏振板的偏振方向大致垂直。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述有源层在所述基板上的正投影落入所述遮光结构在所述基板上的正投影内，且所述有源层和所述遮光结构在所述基板上的正投影均落入所述偏振板在所述基板上的正投影内。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述有源层和所述遮光结构在所述基板上的正投影彼此重叠。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述遮光结构的厚度为50埃-200埃。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述偏振板设置于所述基板远离所述有源层的一侧。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述偏振板设置于所述基板与所述有源层之间。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述遮光结构的材料包括金属或含有导电物质的树脂。8.根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板，其中，所述遮光结构具有纳米尺寸的光栅图案。9.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括缓冲层，设置于所述遮光结构与所述有源层之间。10.一种阵列基板的制造方法，包括：在基板的一侧贴附偏振板；在所述基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚琪，曹占锋，张锋，李海旭，班圣光，刘英伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11