光学临近效应校正方法及系统技术方案

本发明专利技术涉及一种光学临近效应校正方法及系统。所述方法包括：对光刻的设计图形进行分类；对各类别的图形进行区域划分，按区域对产品造成负面影响的风险相应赋予权重；将一设计图形作为待校正图形并在图形边缘设置多个目标点；根据OPC模型得到待校正图形的OPC修正图形并进行模拟，得到图形模拟结果；计算各目标点的位置处图形模拟结果与待校正图形之间的差异；根据差异和权重对OPC修正图形进行调整，并再次进行模拟得到调整后的图形模拟结果；反复执行以上两步骤，得到最终的OPC修正图形。本发明专利技术对图形上的不同目标点引入权重概念，当不同区域的修正需求产生冲突时，优先满足高权重目标点的修正需求，从而能够提高元器件的良率。

【技术实现步骤摘要】
光学临近效应校正方法及系统
本专利技术涉及光学临近效应校正(OPC)工艺，特别是涉及一种光学临近效应校正方法，还涉及一种光学临近效应校正系统。
技术介绍
在0.18微米及以下技术节点的关键层次，比如有源区层次(TO)、栅氧化层层次(GT)、金属连线层次(An)的关键尺寸(CD)越来越小，CD已经接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波波长。因此在光刻过程中，由于光的干涉和衍射现象，硅片上实际得到的光刻图形与掩膜版图形之间存在一定的变形和偏差。光刻中的这种误差直接影响元器件性能和生产成品率。为尽量消除这种误差，一种有效的方法是采用光学临近效应校正(OPC)工艺。随着光刻关键尺寸越来越小、设计图形越来越复杂，对OPC修正的精度提出了更高的要求。在传统的OPC修正过程中，往往存在一个图形的不同区域产生修正冲突的问题。参见图1，长方形区域10为设计图形(一线条端)，即我们想在硅片上光刻出的目标图形；指尖区域20为根据OPC修正图形进行模拟得到的图形模拟结果。可以看到A处存在修正不足(即图形模拟结果比设计图形要小)的问题，而B处存在修正过量(即图形模拟结果比设计图形要大)的问题。而且A、B两处的修正需求是冲突的，比如如果想要弥补A处的修正不足，会导致B处的修正过量问题更严重，反之亦然。传统的光学临近效应校正工艺对此往往是简单地对OPC修正需求存在冲突的区域进行平均牺牲。但这样的方法无法有效平衡修正结果，从而无法适应复杂图形环境下的精确修正。经过该OPC修正方法修正过的产品仍然会出现良率的问题。
技术实现思路
基于此，有必要提供新的一种光学临近效应校正方法，以带来更高的元器件良率。一种光学临近效应校正方法，包括：步骤A，对光刻的设计图形进行分类，得到所述设计图形所属的类别；步骤B，对各类别的设计图形进行区域划分，按照在光刻时出现图形变形对产品造成负面影响的风险高低，给设计图形的每一个区域相应赋予权重，风险越高赋予的权重越高；步骤C，将一所述设计图形作为待校正图形，并在所述待校正图形边缘设置多个目标点；步骤D，根据OPC模型得到所述待校正图形的OPC修正图形，并对所述OPC修正图形进行模拟，得到图形模拟结果；步骤E，计算各目标点的位置处所述图形模拟结果与所述待校正图形之间的差异；步骤F，根据各目标点的所述差异和相应目标点所属区域的所述权重，对所述OPC修正图形进行调整，调整时相应目标点所属区域的所述权重越高，则越优先满足该目标点的修正需求；再次进行模拟得到调整后的图形模拟结果；步骤G，反复执行步骤F，得到最终的OPC修正图形。在其中一个实施例中，所述差异是边缘放置误差。在其中一个实施例中，所述步骤C还包括对所述待校正图形的外边进行解析分割、成为多个片段的步骤。在其中一个实施例中，所述步骤B具体是统计因该类设计图形出现光刻误差导致的缺陷产品中设计图形的每一个区域出现光刻误差所占的百分比，设计图形的所述百分比越高的区域，被赋予的权重越高。在其中一个实施例中，所述步骤B具体是统计因该类设计图形出现光刻误差导致的缺陷产品中各个区域因OPC修正不足导致缺陷所占的百分比和因OPC修正过量导致缺陷所占的百分比，所述百分比越高则对设计图形的相应区域OPC修正不足或OPC修正过量赋予的权重越高。在其中一个实施例中，所述设计图形所属的类别包括孤立线条，对孤立线条的图形进行区域划分包括划分出线条端区域和线条端邻边区域，所述线条端区域的所述权重大于所述线条端邻边区域的所述权重。在其中一个实施例中，所述设计图形所属的类别包括转角内侧，对转角内侧的图形进行区域划分包括划分出角落区域和角落邻边区域，所述角落区域的所述权重小于所述角落邻边区域的所述权重。在其中一个实施例中，所述步骤G具体是反复执行步骤F预设的迭代次数后，得到最终的OPC修正图形。在其中一个实施例中，所述步骤F包括判断本次图形模拟结果与所述待校正图形的误差是否在预设范围内，若是，则将所述本次图形模拟结果作为所述最终的OPC修正图形。还有必要提供一种光学临近效应校正系统。一种光学临近效应校正系统，包括：分类模块，用于对光刻的设计图形进行分类，得到所述设计图形所属的类别；权重设置模块，用于对各类别的图形进行区域划分，按照每一个区域在光刻时出现图形变形对产品造成负面影响的风险高低相应赋予权重，风险越高赋予的权重越高；目标点设置模块，用于将一所述设计图形作为待校正图形并在图形边缘设置多个目标点；初次模拟模块，用于根据OPC模型得到所述待校正图形的OPC修正图形，并对所述OPC修正图形进行模拟，得到图形模拟结果；差异计算模块，用于计算各目标点的位置处所述图形模拟结果与所述待校正图形之间的差异；OPC修正模块，用于根据各目标点的所述差异和相应目标点所属区域的所述权重，对所述OPC修正图形进行调整，并再次进行模拟得到调整后的图形模拟结果；调整时目标点的权重越高、则越优先满足该目标点的修正需求；迭代模块，用于循环调用所述差异计算模块和所述OPC修正模块，直到得到最终的OPC修正图形。上述光学临近效应校正方法及系统，对图形上的不同目标点引入权重概念，对处于关键位置的目标点，给予更高的权重；而对于处在非关键位置的目标点，则适当降低权重。OPC修正过程中，当不同区域的修正需求产生冲突时，按权重高低分配修正需求，优先满足高权重目标点的修正需求，从而有效提高OPC修正精度，降低工艺风险，达到复杂环境下的精确修正，提高光刻版图形在晶圆上成像的准确度，从而减小实际硅片上得到的图形与设计图形之间变形与偏差，提高元器件的良率。附图说明图1是OPC修正后的图形存在相互冲突的OPC修正需求的示意图；图2是一实施例中光学临近效应校正方法的流程图；图3是设计图形中金属条的线条端与通孔接触处的示意图；图4是根据本专利技术的光学临近效应校正方法对孤立线条端进行OPC修正后得到的图形模拟结果与传统的光学临近效应校正方法得到的图形模拟结果的比较图；图5是本专利技术的光学临近效应校正方法对转角内侧进行OPC修正后得到的图形模拟结果与传统的光学临近效应校正方法得到的图形模拟结果的比较图。具体实施方式中给出了本专利技术的首选实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本专利技术的思路是对传统的OPC修正方式进行改进，对图形上的不同目标点引入权重概念，对处于关键位置的目标点，即该位置处的光刻图形发生变形很容易导致产品缺陷的目标点，给予更高的权重；而对于处在非关键位置的目标点，即该位置处的光刻图形即使发生变形也不容易导致产品缺陷的目标点，则可以适当降低权重。OPC修正过程中，当不同区域的修正需求产生冲突时，按权重高低分配修正需求，优先满足高权重目标点的修正需求，从而有效提高OPC修正精度，降低工艺风险，提高元器件的良率。图2是一实施例中光学临近效应校正方法的流程图，包括下列步骤：S110，对光刻的设计图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学临近效应校正方法，包括：步骤A，对光刻的设计图形进行分类，得到所述设计图形所属的类别；步骤B，对各类别的设计图形进行区域划分，按照在光刻时出现图形变形对产品造成负面影响的风险高低，给设计图形的每一个区域相应赋予权重，风险越高赋予的权重越高；步骤C，将一所述设计图形作为待校正图形，并在所述待校正图形边缘设置多个目标点；步骤D，根据OPC模型得到所述待校正图形的OPC修正图形，并对所述OPC修正图形进行模拟，得到图形模拟结果；步骤E，计算各目标点的位置处所述图形模拟结果与所述待校正图形之间的差异；步骤F，根据各目标点的所述差异和相应目标点所属区域的所述权重，对所述OPC修正图形进行调整，调整时相应目标点所属区域的所述权重越高，则越优先满足该目标点的修正需求；再次进行模拟得到调整后的图形模拟结果；步骤G，反复执行步骤F，得到最终的OPC修正图形。

【技术特征摘要】
1.一种光学临近效应校正方法，包括：步骤A，对光刻的设计图形进行分类，得到所述设计图形所属的类别；步骤B，对各类别的设计图形进行区域划分，按照在光刻时出现图形变形对产品造成负面影响的风险高低，给设计图形的每一个区域相应赋予权重，风险越高赋予的权重越高；步骤C，将一所述设计图形作为待校正图形，并在所述待校正图形边缘设置多个目标点；步骤D，根据OPC模型得到所述待校正图形的OPC修正图形，并对所述OPC修正图形进行模拟，得到图形模拟结果；步骤E，计算各目标点的位置处所述图形模拟结果与所述待校正图形之间的差异；步骤F，根据各目标点的所述差异和相应目标点所属区域的所述权重，对所述OPC修正图形进行调整，调整时相应目标点所属区域的所述权重越高，则越优先满足该目标点的修正需求；再次进行模拟得到调整后的图形模拟结果；步骤G，反复执行步骤F，得到最终的OPC修正图形。2.根据权利要求1所述的光学临近效应校正方法，其特征在于，所述差异是边缘放置误差。3.根据权利要求1所述的光学临近效应校正方法，其特征在于，所述步骤C还包括对所述待校正图形的外边进行解析分割、成为多个片段的步骤。4.根据权利要求1所述的光学临近效应校正方法，其特征在于，所述步骤B具体是统计因该类设计图形出现光刻误差导致的缺陷产品中设计图形的每一个区域出现光刻误差所占的百分比，设计图形的所述百分比越高的区域，被赋予的权重越高。5.根据权利要求1所述的光学临近效应校正方法，其特征在于，所述步骤B具体是统计因该类设计图形出现光刻误差导致的缺陷产品中各个区域因OPC修正不足导致缺陷所占的百分比和因OPC修正过量导致缺陷所占的百分比，所述百分比越高则对设计图形的相应区域OPC修正不足或OPC修正过量赋予的权重越高。6.根据权利要求1或3所述的光学临近效应校正方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：万金垠，王谨恒，张雷，陈洁，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32