硅晶体工件平整度检测装置制造方法及图纸

本申请公开一种硅晶体工件平整度检测装置，包括：接触式检测仪；检测仪移位机构，用于设置所述接触式检测仪；控制器，与所述接触式检测仪和所述检测仪移位机构连接，用于控制所述检测仪移位机构带动所述接触式检测仪移位以及控制所述接触式检测仪依序检测硅晶体工件中待测面上各个检测点的相对距离，从而根据检测到的各个检测点的距离值来判断所述待测面的平整度。本申请硅晶体工件平整度检测装置具有结构简单、检测精度高、易于操作且抗干扰性强等优点。

【技术实现步骤摘要】
硅晶体工件平整度检测装置
本申请涉及硅晶体
，特别是涉及一种硅晶体工件平整度检测装置。
技术介绍
目前，随着社会对绿色可再生能源利用的重视和开放，光伏太阳能发电领域越来越得到重视和发展。光伏太阳能发电领域中，通常的硅晶体太阳能电池是在高质量硅片上制成的，这种硅片是由硅棒或硅锭经加工而形成的。以硅棒为例，一般是将硅棒(例如单晶硅棒或多晶硅棒)通过开方机进行开方，使得硅棒整体呈类矩形；开方完毕后，需预先对硅棒的各个开方面进行表面平整度检测，根据检测结果而对这些开方面进行磨面、滚圆及抛光等处理，再对硅棒的各个开方面进行表面平整度检测以判定经磨面、滚圆及抛光等处理后的各个开方面中平整度是否符合规范；最后，再采用多线切片机对开方后的硅棒进行切片。另以硅锭切割为例，一般地，先使用硅锭开方机对初级硅方体进行开方加工以形成次级硅方体；开方完毕后，使用硅锭截断机对次级硅方体的头尾部进行截断加工；截断完毕后，预先对次级硅方体的各个开方面进行表面平整度检测，根据检测结果而对这些开方面进行磨面、滚圆及抛光等处理，再对次级硅方体的各个开方面进行表面平整度检测以判定经磨面、滚圆及抛光等处理后的各个开方面中平整度是否符合规范；后续再使用切片机对次级硅方体进行切片加工，则得到硅片。无论是硅棒还是硅锭(以下统称为“硅晶体工件”)，都需要对它们的开方面进行相应的表面平整度检测，在现有技术中，对于表面平整度检测多采用测距仪(例如：超声波测距仪、红外测距仪、激光测距仪)。以最常用的红外测距仪为例，利用的是红外线传播时的不扩散原理，由红外测距仪朝向硅晶体工件的待测面发出外红光线，所述红外光线在空间传播直至碰到硅晶体工件的待测面之后反射回来且被红外测距仪接收到，根据红外光线的传播速度和从发出到被接收之间的时间差就可计算出出光点到待测面的距离。但，红外测距存在精度低(误差为0.1mm级别)、易受环境干扰、方向性差等缺点。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于公开一种硅晶体工件平整度检测装置，用于解决现有技术中硅晶体表面平整度检测中存在的精度低、易受环境干扰、方向性差等缺点。本申请在一方面公开一种硅晶体工件平整度检测装置，包括：接触式检测仪；检测仪移位机构，用于设置所述接触式检测仪；控制器，与所述接触式检测仪和所述检测仪移位机构连接，用于控制所述检测仪移位机构带动所述接触式检测仪移位以及控制所述接触式检测仪依序检测硅晶体工件中待测面上各个检测点的相对距离。在某些实施方式中，所述接触式检测仪包括：伸缩式接触探头；通断开关，关联于所述伸缩式接触探头且与所述控制器连接。在某些实施方式中，所述检测仪移位机构为三维移位机构,包括：第一方向移位机构、第二方向移位机构、以及第三方向移位机构。。在某些实施方式中，所述第一方向移位机构包括：底座；第一方向移位单元，用于驱动所述底座在第一方向上的移位。在某些实施方式中，所述第二方向移位机构包括：检测仪安装结构；第二方向移位单元，用于驱动所述检测仪安装结构相对所述底座而在第二方向上移位。在某些实施方式中，所述第三方向移位机构包括：检测仪支架；第三方向移位单元，用于驱动所述检测仪支架及装配的所述接触式检测仪相对所述检测仪安装结构而在第三方向上移位。在某些实施方式中，所述硅晶体工件平整度检测装置还包括工件装载结构，用于装载所述硅晶体工件。在某些实施方式中，所述工件装载结构包括：承托座，用于承托所述硅晶体工件；压制件，用于压制住所述硅晶体工件。在某些实施方式中，所述硅晶体工件的待测面的数量为多个，所述工件装载结构设有工件转动机构，用于转动所述硅晶体工件以切换所述硅晶体工件的待测面。在某些实施方式中，所述硅晶体工件平整度检测装置还包括数显设备，与所述控制器连接，用于显示所述待测面上各个检测点的检测结果。本申请所公开的硅晶体工件平整度检测装置，采用的是接触式检测仪，利用控制器来控制检测探头移位机构及所设置的接触式检测仪，使得接触式检测仪根据预设的检测步骤依序通过接触硅晶体工件中待测面上的各个检测点来实现距离检测，从而根据检测到的各个检测点的距离值来判断所述待测面的平整度。本申请硅晶体工件平整度检测装置具有结构简单、检测精度高、易于操作且抗干扰性强等优点。附图说明图1为本申请硅晶体工件平整度检测装置在一视角下的立体示意图。图2为本申请硅晶体工件平整度检测装置在另一视角下的局部立体示意图。图3为本申请硅晶体工件平整度检测装置的侧视图。图4为本申请硅晶体工件平整度检测装置的俯视图。图5为本申请硅晶体工件平整度检测装置的控制模块图。图6为利用本申请硅晶体工件平整度检测装置对硅晶体工件进行平整度检测的流程示意图。图7显示了通过对硅晶体工件的多个待测面的各个检测点进行检测而得到的检测数据的显示界面示意图。具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本申请的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点及功效。请参阅图1至图7。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本申请可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本申请所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本申请所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本申请可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本申请可实施的范畴。本申请的专利技术人发现，在相关的针对硅晶体工件的表面平整度检测技术中，若采用光学类的测距仪，利用检测光线的传播速度和从发出到被接收之间的时间差来计算出出光点到待测面的距离，这类检测技术多存在精度低、易受环境干扰、方向性差等缺点。有鉴于此，本申请提出了一种硅晶体工件平整度检测装置，采用的是接触式检测仪，通过控制接触式检测仪移位以依序接触硅晶体工件中待测面上的各个检测点来实现平整度检测，相对于非接触式检测技术，具有结构简单、检测精度高、易于操作且抗干扰性强等优点。请参阅图1至图5，为本申请硅晶体工件平整度检测装置在一实施方式中的结构示意图，其中，图1为本申请硅晶体工件平整度检测装置在一视角下的立体示意图，图2为本申请硅晶体工件平整度检测装置在另一视角下的局部立体示意图，图3为本申请硅晶体工件平整度检测装置的侧视图，图4为本申请硅晶体工件平整度检测装置的俯视图，图5为本申请硅晶体工件平整度检测装置的控制模块图。结合图1至图5，本申请硅晶体工件平整度检测装置包括：接触式检测仪1、检测仪移位机构3、以及控制器5，其中，利用控制器5来控制检测仪移位机构3带动接触式检测仪1移位以及控制接触式检测仪1依序检测硅晶体工件中待测面上各个检测点的相对距离。本申请硅晶体工件平整度检测装置是用于对硅晶体工件的各个作业面进行平整度检测，这样，一方面，平整度检测的检测结果整度检测的结果可作为后续对硅晶体工件的作业面进行相应作业加工的参考依据，另一方面，平整度检测的检测结果可作为判定针对硅晶体工件的作业面进行相应作业加工是否符合规范的评判依据。在本实施例中，所述硅晶体工件可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅晶体工件平整度检测装置，其特征在于，包括：接触式检测仪；检测仪移位机构，用于设置所述接触式检测仪；以及控制器，与所述接触式检测仪和所述检测仪移位机构连接，用于控制所述检测仪移位机构带动所述接触式检测仪移位以及控制所述接触式检测仪依序检测硅晶体工件中待测面上各个检测点的相对距离。

【技术特征摘要】
1.一种硅晶体工件平整度检测装置，其特征在于，包括：接触式检测仪；检测仪移位机构，用于设置所述接触式检测仪；以及控制器，与所述接触式检测仪和所述检测仪移位机构连接，用于控制所述检测仪移位机构带动所述接触式检测仪移位以及控制所述接触式检测仪依序检测硅晶体工件中待测面上各个检测点的相对距离。2.根据权利要求1所述的硅晶体工件平整度检测装置，其特征在于，所述接触式检测仪包括：伸缩式接触探头；以及通断开关，关联于所述伸缩式接触探头且与所述控制器连接。3.根据权利要求1所述的硅晶体工件平整度检测装置，其特征在于，所述检测仪移位机构为三维移位机构，包括：第一方向移位机构、第二方向移位机构、以及第三方向移位机构。4.根据权利要求3所述的硅晶体工件平整度检测装置，其特征在于，所述第一方向移位机构包括：底座；以及第一方向移位单元，用于驱动所述底座在第一方向上的移位。5.根据权利要求4所述的硅晶体工件平整度检测装置，其特征在于，所述第二方向移位机构包括：检测仪安装结构；以及第...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢建伟，蒋伟源，李鑫，
申请(专利权)人：上海日进机床有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31