一种抑制电磁干扰光模块制造技术

本发明专利技术涉及光模块电磁干扰技术领域，提供了一种抑制电磁干扰光模块。包括光模块外壳和光组件，其中，所述光模块外壳包括壳体和壳盖，所述光组件固定在所述壳体上，并由所述壳盖封盖后完成组装，在所述壳体上的用于固定光组件对外连接的接口侧设置有第一隔膜组，所述第一隔膜组由至少2个隔膜片平行排列组成；各隔膜片的前后排列方向与电接口的信号传输方向平行；所述光组件固定在所述壳体上后，位于所述第一隔膜组上方。本发明专利技术实施例提出了一种利用在设计光模块壳体时，就在其固定光组件对外连接的接口侧设计一隔膜组，并利用隔膜组对指定频率电磁干扰信号的抑制作用，实现对于光模块工作过程中产生的电磁干扰信号的阻隔和衰减。

【技术实现步骤摘要】
一种抑制电磁干扰光模块
本专利技术涉及光模块电磁干扰
，特别是涉及一种抑制电磁干扰光模块。
技术介绍
近年来数据通信特别是数据中心的急剧发展，市场需要大量高性能的光模块。高性能主要指光模块的高速率化，集成化和小型化。目前可见的单通道速率已经从原来的数百兆bps(BitPerSecond)上升到10Gbps，25Gbps，甚至更高；多通道已经从40Gbps(4X10G),100Gbps(4X25G)，以致将来的200Gbps，400Gbps等。这么高的速率和这么多的高频通道集中在一起(交换机内通常有几十只光模块同时存在)，势必造成非常复杂的电磁环境，这种情况对高速率光模块的设计和制造提出了非常严酷的要求。仅仅从电路设计阶段的注意是不够的，特别是在产生高次谐波，并且高次谐波在光模块的外壳上满足传输条件时，基波以及高次谐波可以在光模块外壳上传播，会大大增加光模块产生电磁干扰的能力。因此，需要对此找出解决方法。
技术实现思路
本专利技术实施例要解决的技术问题之一是如何在高速光模块使用过程中减少其可能产生的电磁干扰。本专利技术实施例采用如下技术方案：第一方面，本专利技术实施例提供了一种抑制电磁干扰光模块，包括光模块外壳和光组件，其中，所述光模块外壳包括壳体和壳盖，所述光组件固定在所述壳体上，并由所述壳盖封盖后完成组装，在所述壳体上的用于固定光组件对外连接的接口侧设置有第一隔膜组，所述第一隔膜组由至少2个隔膜片平行排列组成；各隔膜片的前后排列方向与电接口的信号传输方向平行；所述光组件固定在所述壳体上后，位于所述第一隔膜组上方。可选的，所述壳体位于固定光组件对外连接的接口侧设置有第一凹槽，所述第一隔膜组位于所述第一凹槽内，所述第一凹槽内的隔膜片的顶端低于所述凹槽两侧壳体的表面。可选的，所述第一凹槽内填充有定形剂。可选的，所述壳盖的用于固定光组件对外连接的接口侧设置有第二隔膜组，所述第二隔膜组由至少2个隔膜片平行排列组成；各隔膜片的前后排列方向与电接口的信号传输方向平行。可选的，所述壳盖位于光组件对外连接的接口侧设置有第二凹槽，所述第二隔膜组结构位于所述第二凹槽内，所述第二凹槽内的隔膜片的顶端低于所述凹槽两侧壳盖的内表面。可选的，所述第二凹槽内填充有定形剂。可选的，所述各隔膜片的间距和隔膜片的面积与等效电容相关联，所述各隔膜片的厚度与等效电感相关联；所述隔膜片的间距、面积和厚度的设定值，使得由等效电容和等效电感计算出的抑制频率在目标抑制频率范围内。可选的，在所述光膜块为QSFP，工作频率为10.3125GHz时，则所述隔膜片深度为2.7mm、隔膜片宽度为0.6mm、隔膜片中心距离为1.8mm、隔膜片数量为11片。可选的，所述光模块包括：小型可插拔收发光模块SFP、小型化光纤连接器件SFF、SFP+、四通道SFP接口QSFP、吉比特接口转换器GBIC或者10G可插拔光收发一体模块XFP。与现有技术相比，本专利技术实施例的有益效果之一在于：本专利技术实施例提出了一种利用在设计光模块壳体时，就在其固定光组件对外连接的接口侧设计一隔膜组，并利用隔膜组对指定频率电磁干扰信号的抑制作用，实现对于光模块工作过程中产生的电磁干扰信号的阻隔和衰减。【附图说明】图1是本专利技术实施例提供的一种抑制电磁干扰光模块的局部爆炸图；图2是本专利技术实施例提供的一种抑制电磁干扰光模块的壳体结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种抑制电磁干扰光模块的壳盖结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的一种抑制电磁干扰光模块组装完成结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的一种抑制电磁干扰光模块的壳体侧面剖视图；图6是本专利技术实施例提供的一种抑制电磁干扰光模块的壳盖内侧的俯视图；图7是本专利技术实施例提供的一种抑制电磁干扰光模块的壳盖内侧的俯视图；图8是本专利技术实施例提供的一种隔膜片形状示意图；图9是本专利技术实施例提供的一种抑制电磁干扰光模块的测试结果比较图；图10是本专利技术实施例提供的一种抑制电磁干扰光模块的测试结果比较图。【具体实施方式】为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本专利技术的描述中，术语“内”、“外”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术而不是要求本专利技术必须以特定的方位构造和操作，因此不应当理解为对本专利技术的限制。此外，下面所描述的本专利技术各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。专利技术人发现，在10G以上的高速率频段，光模块的金属外壳可以看成是矩形波导，于是可以用下面的微波波导理论公式来分析其截止频率。其中，f是波导的截止频率，C是光速，a是矩形波导的长边。比如说小型可插拔收发光模块(SmallForm-factorPluggable，简写为：SFP)光模块外壳截面尺寸大约为13.8mmx8.7mm，根据计算其截止频率是10.87GHz。同样，四通道SFP接口(QuadSmallForm-factorPluggable，简写为：QSFP)光模块外壳的截面尺寸大约为14.45mmx8.7mm，其截止频率是10.38GHz。根据这个分析，10G以上的高频信号(包括基频的高次谐波等)可以在光模块的外壳传播，并且可以在模块的两端(光口和电口)进行辐射，极有可能造成不必要的电磁干扰。收发两用光模块的电磁干扰源一般有激光器驱动芯片，激光器本身(特别是直接调制式激光器)，以及跨阻放大器，限幅放大器等。除了器件本身，高速信号线特别是在阻抗不连续的部位也会由于辐射产生电磁干扰。因此，如何改善光模块之间的电磁干扰是当前急需解决的技术问题。实施例1:本专利技术实施例1提供了一种抑制电磁干扰光模块，所述光模块包括：小型可插拔收发光模块SFP、小型化光纤连接器件(SmallFormFactor，简写为：SFF)、SFP+、四通道SFP接口QSFP、吉比特接口转换器GBIC或者10G可插拔光收发一体模块(10GigabitSmallFormFactorPluggable，简写为：XFP)。如图1所示，包括光模块外壳1和光组件2，其中，如图2和3所示，所述光模块外壳包括壳体11和壳盖12，所述光组件固定在所述壳体11上，并由所述壳盖12封盖后完成组装(如图4所示)。如图5所示，在所述壳体11上的用于固定光组件对外连接的接口侧设置有第一隔膜组21，所述第一隔膜组由至少2个隔膜片211平行排列组成；各隔膜片的前后排列方向与电接口的信号传输方向平行；所述光组件固定在所述壳体11上后，位于所述第一隔膜组上方。本专利技术实施例提出了一种利用在设计光模块壳体时，就在其固定光组件对外连接的接口侧设计一隔膜组，并利用隔膜组对指定频率电磁干扰信号的抑制作用，实现对于光模块工作过程中产生的电磁干扰信号的阻隔和衰减。为了能够保证所述隔膜片不至于在安装过程中因为物理损伤而变型，在本专利技术实施例实现过程中，存在一种可选的实现方式，如图5所示，所述壳体11位于固定光组件对外连接的接口侧设置有第一凹槽(由于第一凹槽即容纳所述隔膜组21的空间结构，因此在图5中已经标注隔膜组21的情况下，没有进行凹槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抑制电磁干扰光模块，其特征在于，包括光模块外壳和光组件，其中，所述光模块外壳包括壳体和壳盖，所述光组件固定在所述壳体上，并由所述壳盖封盖后完成组装，在所述壳体上的用于固定光组件对外连接的接口侧设置有第一隔膜组，所述第一隔膜组由至少2个隔膜片平行排列组成；各隔膜片的前后排列方向与电接口的信号传输方向平行；所述光组件固定在所述壳体上后，位于所述第一隔膜组上方。

【技术特征摘要】
1.一种抑制电磁干扰光模块，其特征在于，包括光模块外壳和光组件，其中，所述光模块外壳包括壳体和壳盖，所述光组件固定在所述壳体上，并由所述壳盖封盖后完成组装，在所述壳体上的用于固定光组件对外连接的接口侧设置有第一隔膜组，所述第一隔膜组由至少2个隔膜片平行排列组成；各隔膜片的前后排列方向与电接口的信号传输方向平行；所述光组件固定在所述壳体上后，位于所述第一隔膜组上方。2.根据权利要求1所述的抑制电磁干扰光模块，其特征在于，所述壳体位于固定光组件对外连接的接口侧设置有第一凹槽，所述第一隔膜组位于所述第一凹槽内，所述第一凹槽内的隔膜片的顶端低于所述凹槽两侧壳体的表面。3.根据权利要求2所述的抑制电磁干扰光模块，其特征在于，所述第一凹槽内填充有定形剂。4.根据权利要求1所述的抑制电磁干扰光模块，其特征在于，所述壳盖的用于固定光组件对外连接的接口侧设置有第二隔膜组，所述第二隔膜组由至少2个隔膜片平行排列组成；各隔膜片的前后排列方向与电接口的信号传输方向平行。5.根据权利要求4所述的抑制电磁干扰光模块，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈奔，程立本，陈伟，张春艳，胡百泉，周芸，周日凯，付永安，孙莉萍，余向红，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，武汉电信器件有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42