化学镀钯液制造技术

技术编号:1801673 阅读:327 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的课题在于提供一种化学镀钯液,其浴液稳定性高、可以获得耐腐蚀性、焊料接合性、引线焊接性优异的被膜。本发明专利技术通过提供下述化学镀钯液而解决了上述课题,即,一种化学镀钯液,其特征在于,含有水溶性钯化合物、络合剂和稳定剂,所述络合剂是氨、胺化合物、氨基羧酸化合物、羧酸的任一种,所述稳定剂是铋或铋化合物。优选进而含有作为还原剂的次磷酸、亚磷酸、甲酸、乙酸、肼、硼氢化物、胺硼烷化合物和它们的盐的任一种。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在电子部件等的镀敷中使用的化学镀钇液、镀敷物和4 方法。
技术介绍
化学镀^/镀金液的使用目的主要是提高基底金属的耐腐蚀性、焊料接 合性、引线焊接性。特别是经常用于搭载半导体凸块、半导体的封装M、 便携电话用基&等。近年,伴随电子器件的高性能化,为了提高可靠性,要求进一步提高 耐腐蚀性、焊料接合性,人们认为在化学镀镍层和化学镀金层之间插入化 学镀4巴层是有效的。作为化学镀钇液,可以列举出专利文献l、专利文献2 记载的镀敷液。这些化学镀钇液含有硫化合物作为浴液稳定剂,因此有若 干硫共析到钽被膜中,由于该硫的偏析,使得耐腐蚀性、焊料接合性低下。专利文献1:日本专利第3204035号公报专利文献2:特公平8-28561号>^才艮
技术实现思路
鉴于上述事实,本专利技术的目的在于提供一种浴液稳定性高、可以获得 耐腐蚀性、焊料接合性、引线焊接性优异的被膜的化学镀钯液。本专利技术者们为了实现上述目的,进行了深入研究,结果发现,通过代 替硫化合物而使用铋或铋化合物作为浴液稳定剂,可以获得与使用硫化合 物的情况同样程度的浴液稳定性高、可以获得耐腐蚀性、焊料接合性、引 线焊接性更优异的被膜的化学镀把液。即,本专利技术的构成如下。(1) 一种化学镀钽液,其特征在于,含有水溶性钇化合物、络合剂和 稳定剂,所述络合剂是氨、胺化合物、氨基羧酸化合物、羧酸的任一种,所述稳定剂^!^铋或铋化合物。(2) 上述(1)记载的化学镀钯液,其特征在于,进而含有作为还原剂的次磷酸、亚磷酸、甲酸、乙酸、肼、硼氢化物、胺硼烷化合物和它们 的盐的任一种。(3) —种把镀敷物,其特征在于,使用上述(1)或(2 )记载的化学 镀钯液进行了成膜。U)—种镀敷方法,其特征在于,使用上述(1)或(2)记载的化学 镀把液,通过化学镀敷进行成膜。本专利技术的化学镀把液,稳定性高,可以获得耐腐蚀性、焊料齡性、 引线焊接性优异的^m。因此,在对印制布线板等的基底进行了镀镍后, 通过使用本专利技术的化学镀钯液进行镀敷,可以提高耐腐蚀性、焊料齡性。具体实施方式下面,对本专利技术的化学镀钯液进行详细地说明。本专利技术的化学镀钽液,是含有水溶性钽化合物、^剂和稳定剂的水 溶液,其中,所述络合剂是氨、胺化合物、M羧酸化合物、羧酸的任一 种,所述稳定剂是叙、或铋化合物。作为水溶性钽化合物,没有特别的限定,可以使用例如氯化钯、二氯 四氨合钯等的氯化氨合把、氨合钯、硫酸4巴、亚硝酸4巴、乙酸把盐等。本 专利技术的化学镀钯液,在镀敷液中含有0.1~100g/L、优选含有0.1~20g/L 的这些水溶性钯化合物。如果水溶性钇化合物的浓度小于0.01g/L,则镀敷 速度显著变'隄,即使超过100g/L,效果也饱和,没有优势。作为*剂的胺化合物,没有特别的限制,可以使用例如甲基胺、二 甲基胺、三甲基胺、乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、千基胺、亚曱基二胺、 乙二胺、四亚甲基二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四亚乙基五胺、 六亚甲基四胺等。作为M羧酸化合物,没有特别的限制,可以使用例如,乙二胺四乙 酸、羟乙基乙二胺三乙酸、二羟乙基乙二胺二乙酸、丙二胺四乙酸、二亚 乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、甘氨酸、甘氨酰甘氨酸、甘氨酰 甘氨酰甘氨酸、二羟乙基甘氨酸、亚氨基二乙酸、羟乙基亚^二乙酸、 次氮基三乙酸、次氮基三丙酸或它们的碱金属盐、碱土类金属盐、铵盐等。作为羧酸,没有特别的限制,可以使用例如曱酸、乙酸、丙酸、柠檬 酸、丙二酸、苹果酸、草酸、琥珀酸、酒石酸、乳酸、丁酸等。作为络合剂,可以使用氨、胺化合物、M羧酸化合物、羧酸的任一 种,优选胺化合物和M羧酸化合物。^^剂,在镀敷液中含有0.1~200g/L,优选含有0.1 ~ 100g/L。当络 合剂的浓度小于0.01g/L时,#力弱,即使超过200g/L,效果也饱和, 没有优势。作为稳定剂,使用铋或铋化合物。作为铋化合物,没有特别的限制, 可以使用例如,氧化铋、硫酸铋、亚硫酸铋、硝酸铋、氯化铋、乙酸铋等。 稳定剂,在镀敷液中含有0.1 1000mg/L,优选含有1 ~ 100mg/L。稳定剂 的浓度如果小于0.1mg/L,则浴液的稳定性低下,如果超过1000mg/L,则 镀敷速度低下。本专利技术的化学镀钇液,优选进而含有作为还原剂的次磷酸、亚磷酸、 曱酸、乙酸、肼、硼氢化物、胺硼烷化合物和它们的盐的任一种。作为硼 氩化物,没有特别的限制,可以使用例如硼氢化钠、硼氩化钾、硼氬化铵 等,作为胺硼烷化合物,没有特别的限制,可以使用例如二曱基胺硼烷、 二乙基胺硼烷等。另外,作为上述酸的盐,可以列举出碱金属盐、碱土类 金属盐、铵盐等。作为还原剂,优选亚磷酸、次磷酸和它们的盐。这些还原剂,在镀敷液中含量为0.01~200g/L,优选0.1 ~ 100g/L。如 果还原剂的浓度小于0.01g/L,则镀敷速度低下,如果超过200 g/L,则效 果饱和,产生液体分解,没有优势。进而,本专利技术的化学镀钯液,根据需要,可以添加pH緩冲剂。作为pH緩冲剂,特别优选磷酸类化合物。作为磷酸类化合物,可以列举出,磷酸、焦磷酸或它们的碱金属盐、 碱土类金属盐、铵盐、磷酸二氩碱金属盐、磷酸二氬碱土类金属盐、磷酸 二氢铵、磷酸氢二碱金属盐、磷酸氢二碱土类金属盐、磷酸氢二铵等。镀 敷液中的磷酸类化合物的浓度,优选为0.01~200g/L,更优选为0.1 ~ 100g/L。本专利技术的镀金液的pH,优选使用上述化合物作为pH緩冲剂来将pH 调节为4~10,更优选调节为5~9。另夕卜,本专利技术的镀金液,优选在浴温10 95。C下使用,更优选在25~ 70匸下使用。镀敷液的pH和浴温在上述范围之外的情况下,存在镀敷速度慢、容易引起浴液分解等的问题。作为镀敷方法,可以将被镀敷物浸渍在本专利技术的4iit液中。 作为被镀敷物,可以列^#载半导体凸块、半导体的封装^、印制布线J41等的电子部件,本专利技术的化学镀把液,作为它们的M用镀层,可以适合用于在化学镀镍层和化学镀金物之间插入的化学镀4巴层。实施例通过下面所示的实施例和比较例对本专利技术进行进一步说明。 实施例1~5、比较例1~3调制表1所示的各组成的镀敷液作为化学镀把液。作为被镀敷材料, 使用具有500个抗蚀剂开口部0.48mmcl)的焊盘(pad)的BGA用印制布 线板,用下述工序来进行镀敷。碱脱脂(日矿乂夕/K/^一亍^yy制、KG-510) (45°C、 pH12.0、 2分钟)—软蚀刻(硫酸+过硫酸钠类、25'C、 45秒)—硫酸洗涤(3%、 25°C、 2分钟)—预浸渍(盐酸类、25'C、 30秒)—活化剂(日矿乂夕/K/U—X^ ^y制、KG-522)(氯化物类、Pd浓度50mg/L、 25"C、 pH<1.0、 2分钟) —硫酸洗涤(3%、 25°C、 10秒)—化学镀镍(镀敷液日矿少夕/K7"V—xO夂制、KG-530)(88X: 、 pH4.5、 25分钟、磷含量7 % ) —化学镀钯(表1所述的镀敷液、4tit条件) —化学镀金(微液日矿乂夕/K/U—rO夂制、KG-545)(Au浓度2.0g/L、 88匸、pH5.0、 IO分钟) (除了预浸渍—活化剂的期间以外,全部插入1分钟的水洗工序) 对所获得的镀敷物进行如下的评价。 耐腐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学镀钯液,其特征在于,含有水溶性钯化合物、络合剂和稳定剂,所述络合剂是氨、胺化合物、氨基羧酸化合物、羧酸的任一种,所述稳定剂是铋或铋化合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:相场玲宏高桥祐史
申请(专利权)人:日矿金属株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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