本发明专利技术公开了一种等离子体产生装置，其可以在所期望的位置混合源气体和活性气体。上述等离子体产生装置包括：等离子体产生单元；配置在等离子体产生单元下面的喷头，喷头与等离子体产生单元一起形成等离子体室，且包括上下结合的上板结构和包括多个源气体喷射口的下板结构，由上板结构和下板结构形成用于供应源气体的源气体流动空间，且上板结构和下板结构中的一个具有被上下贯穿的多个导管；活性气体供应单元，该活性气体供应单元向等离子体产生单元供应活性气体；和源气体供应单元，该源气体供应单元向喷头内部的源气体流动空间供应源气体。由此，可以在所期望的位置上顺利混合源气体和活性气体以提高等离子体的沉积效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种等离子体产生装置，更具体地说，是一种为了表面处理 和形成薄膜而在所期望的位置上均匀地混合源气体和活性气体以提高等离子 体沉积效率的等离子体产生装置。
技术介绍
图l是示出传统的等离子体产生装置的剖视图，图2是用于说明图l所 示的导管和下板结构之间的关系的放大的剖视图。参考图1和图2,传统的等离子体产生装置包括等离子体产生单元10、 活性气体供应单元30、源气体供应单元40和喷头50，其中上述单元都装在 支持单元20上。在等离子体产生单元IO和喷头50之间形成用于产生等离子 体的等离子体室，在等离子体室内产生的等离子体通过形成在喷头50的多个 活性气体喷射口 63可以向喷头50下面移动。活性气体的等离子体经过喷头 50时被转换为离子或原子团(radical)等状态，上述离子或原子团在喷头50 的导管60的下端可以向下喷射。在喷头50的下面具有处理空间，在上述处理空间中对处理物进行等离子 体加工，例如形成薄膜、清洗(cleanse)等。等离子体产生装置和其处理空间一 般保持真空状态，处理物可以装在加热器(未示出)上。如图1所示，等离子体产生单元10由上面等离子体板12和下面等离子 体板14构成，并可以由上述上面等离子体板12和下面等离子体板14形成活 性气体供应单元30的流动管路和源气体供应单元40的流动管路。通过活性 气体供应单元30被供应的活性气体在经过安装在等离子体产生单元10下面 的等离子体产生电极18时被转换为等离子体，其中，上述等离子体产生电极 18包括多个孔，因而活性气体可以有效地通过。在传统的等离子体产生装置中，喷头50包括上板结构60和下板结构70, 其中，在上述上板结构60上形成提供活性气体喷射口 63的导管62,在上述 下板结构70上形成源气体喷射口 74。通过活性气体喷射口 63的活性气体离子或原子团可以与通过源气体喷射口 74的源气体反应，通过上述反应可以在 处理物上形成薄膜。因为按照装置的结构，源气体供应单元40的流动管路与喷头50的周围 或外周连接，所以源气体不是从喷头50的中心而是从喷头50的周围流入， 因此在周围喷射的源气体比在中心喷射的源气体更多。其结果是在传统的等 离子体产生装置的中心被供应较少的源气体而容易在处理物中心形成不良薄 膜，即使能够形成薄膜，薄膜的厚度也可能会太小。除此之外，传统的喷头50的源气体喷射口 74安装在比活性气体喷射口 63略高的位置。因为一般通过源气体喷射口 74被供应的源气体量比通过导 管62供应的活性气体量少，因此源气体的供应可能被活性气体干扰，其结果 是导致源气体难以到达处理物。如上所述，如果源气体不能正常到达处理物，则会导致处理物上形成的 薄膜太薄，或者即使形成薄膜也会显著降低薄膜的质量。另外，现有技术的其他问题在图2中示出。如图2所示，喷头50中的导管62和下板结构70之间会存在微隙G,通 过上述微隙G源气体会流出，与此相反活性气体会往喷头50的内部流入。 如果源气体通过微隙G流出，源气体可能会在导管62的下端与活性气体反 应，从而在到达处理物之前就已经结束反应。并且，如果活性气体通过微隙 G流入，则可能会在喷头50内部引起反应。因此，在传统的等离子体产生装置中会浪费源气体或活性气体，而且会 引起薄膜质量的恶化。
技术实现思路
因此，本专利技术被提出来用以解决现有技术中存在的上述问题，并且本发 明的目的是提供一种能均匀分配通过喷头供应的源气体且进一步能按照期望 调整源气体分配的等离子体产生装置。被有效用于对处理物进行处理的等离子体产生装置。本专利技术可以提供通过调整活性气体和源气体的喷射口来高效混合活性气 体和源气体的等离子体产生装置。本专利技术可以提供有效地阻止源气体和活性气体之间的提前反应的多种方法。为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种等离子体产生 装置，上述等离子体产生装置包括等离子体产生单元、喷头、活性气体供应 单元和源气体供应单元，上述源气体和活性气体在期望的位置上混合。喷头 配置在上述等离子体产生单元的下面，上述喷头与上述等离子体产生单元一 起形成等离子体室，且包括上板结构和下板结构，由上述上板结构和下板结 构上下结合而提供用于供应源气体的源气体流动空间。尤其是上述上板结构 和下板结构中的一个包括多个导管，并进一步包括用来阻断上述导管与上述 上板结构和下板结构中的另 一个之间的间隙的阻断部。上述导管一般形成在上板结构上，上述阻断部与下板结构一起形成一个 整体或者单独地形成，以阻断下板结构的贯穿孔和导管之间的间隙，在另外一个实施例中导管形成在下板结构上，且上述阻断部与上板结构一起形成一 个整体或者单独地形成，以阻断上板结构的贯穿孔和导管之间的间隙。本专利技术可以包括夹在上述上板结构和下板结构之间的分隔板，其中上述 分隔板上下分割源气体流动空间，并包括与期待的源气体分布相对应形成的 引导孔。上述阻断部可以与上板结构或下板结构形成一个整体，或者单独地形成 后安装在导管上，以防止源气体和活性气体在处理物上面之外的其他不期望 的区域预先反应。上述导管的下端位于比源气体喷射口略高的位置。为了实现上述目的，根据本专利技术的另外一个方面，提供了一种等离子体产生装置，该装置包括等离子体产生单元；配置在上述等离子体产生单元 下面的喷头，上述喷头与上述等离子体产生单元一起形成等离子体室，且包 括上板结构和下板结构，上述上板结构包括向下形成的多个导管，上述下板 结构包括形成在比上述导管下端略低的位置的多个源气体喷射口，由上述上 板结构和下板结构形成用于供应源气体的源气体流动空间，其中下板结构包 括下板阻断壁，上述阻断壁围绕上述导管的一部分外表面而在除了上述源气 体喷射口之外的部分阻断上述源气体流动空间；活性气体供应单元，上述活 性气体供应单元向等离子体产生单元供应活性气体；和源气体供应单元，上 述源气体供应单元向在上述喷头内的源气体流动空间供应源气体。上述等离子体产生装置进一步包括分隔板，其中上述分隔板夹在上述上板结构和下板结构之间而上下分割上述源气体流动空间，并包括与期待的源 气体分布相对应形成的引导孔。为了实现上述目的，根据本专利技术的另外一个方面，提供了一种等离子体产生装置，该装置包括等离子体产生单元；配置在上述等离子体产生单元 下面的喷头，上述喷头与上述等离子体产生单元一起形成等离子体室，且包 括上板结构和下板结构，上述上板结构包括向下形成的多个导管，上述下板 结构包括多个源气体喷射口 ，由上述上板结构和下板结构形成用于供应源气 体的源气体流动空间，其中下板结构包括阻断壁，上述阻断壁围绕上述导管 的外表面；夹在上述上板结构和下板结构之间的分隔板，上述分隔板上下分 割上述源气体流动空间，并包括与期待的源气体分布相对应形成的引导孔； 活性气体供应单元，上述活性气体供应单元向等离子体产生单元供应活性气 体；和源气体供应单元，上述源气体供应单元向位于上述喷头内的源气体流 动空间供应源气体。其中，上述导管的下端位于比上述源气体喷射口略高的位置。附图说明图1是示出传统的等离子体产生装置的剖视图2是用于说明图1所示的导管和下板结构之间的关系的放大的剖视图； 图3是示出根据本专利技术的一个示例性实施例的等离子体产生装置的剖视图4是切开图3中本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种等离子体产生装置，其特征在于包括： 等离子体产生单元； 配置在上述等离子体产生单元下面的喷头，上述喷头与上述等离子体产生单元一起形成等离子体室，且包括上下结合的上板结构和包括多个源气体喷射口的下板结构，由上述上板结构和下板结构形成用于供应源气体的源气体流动空间，且上述上板结构和下板结构中的一个具有沿上下方向被贯穿而形成活性气体喷射口的多个导管； 活性气体供应单元，上述活性气体供应单元向上述等离子体产生单元供应活性气体；和 源气体供应单元，上述源气体供应单元向在上述喷头内部的上述源气体流动空间供应源气体； 上述源气体和活性气体在期望的位置上相混合。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金京俊，金炯一，申寅澈，田英洙，成明恩，
申请(专利权)人：KC科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。