【技术实现步骤摘要】
本公开内容一般涉及用于溅射沉积工艺过程的靶及其制造方 法。具体而言，本公开内容涉及由周期表第Vin族金属和第IVB、 VB 和VIB族难熔金属的脆性金属合金构成的靶，尤其是由Ru-Ta合金构 成的靶。
技术介绍
鉴于铜(Cu)和Cu-基合金具有很低的电阻率、相对高的电迁 移阻力和低成本，它们经常被用于制造这样的集成电路半导体器件一 一这些半导体器件要求复杂的金属化系统以用于对器件位于其上的半 导体晶片进行工艺后段(back-end of line)加工。虽然Cu和Cu-基合 金作为目前的优选材料用于形成先进集成电路的电连接，但它们存在 几个缺点，可能使其应用存在问题。具体地说，Cu和Cu-基合金不能很好地粘附到通常作为层间绝 缘层(ILD)的氧化物材料上；它们可能扩散进入相邻绝缘层，造成绝 缘性能的丧失和形成导致短路的不期望电路；以及，氧原子从相邻绝 缘层扩散进入Cu或者Cu-基合金层可能导致导电性的损失。为了减少 Qi-基金属化方案的至少一些这些缺点， 一般将Ta/TaN双层插入到氧 化物基绝缘层和Cu-基金属化层之间，TaN作为阻挡层阻止扩散，而 Ta层作为...
【技术保护点】
制造金属合金溅射靶组件的方法，其包括步骤： （ａ）提供选择量的至少一种来自周期表第Ⅷ族贵金属或者近贵金属的粉末和至少一种选自周期表第ⅣＢ、ⅤＢ和ⅥＢ族的难熔金属的粉末； （ｂ）混合／掺和所述选择量的粉末，以形成具有选择原子比例的金属的混合／掺和粉末； （ｃ）将所述混合／掺和粉末形成密度增加的生坯； （ｄ）从所述生坯形成全密度坯； （ｅ）从所述全密度坯切割靶板切片； （ｆ）将垫板扩散结合到所述靶板切片的表面，以形成靶／垫板组件；和 （ｇ）加工所述靶／垫板组件至所选择的最终尺寸。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：易骛文，B孔克尔，C德林顿，李辛华，A德奥杜特，
申请(专利权)人：贺利氏有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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