The present invention discloses a water trough based on a drying structure, which includes a water trough; a sieve is arranged below the side side of the tank, and a drainage ditch for receiving sewage from a sieve is arranged outside the screen. The screen and the drainage ditch are provided with a water retaining plate, the water baffle is connected with the cylinder and the cylinder. The bottom of the tank is a double layer structure. The layer of the double layer structure is equipped with hot wire. The hot wire is connected with the single chip through the heating circuit. The invention solves the technology that the household water trough is easily blocked, the drainage is slow and the residual sewage in the tank can not be removed. The problem has achieved the effect of fast drainage and clean up.
【技术实现步骤摘要】
一种基于烘干结构的水槽
本专利技术涉及水槽领域,尤其是一种基于烘干结构的水槽。
技术介绍
传统水槽主要有不锈钢水槽、陶瓷水槽、人造石水槽等种类,而智能水槽目前有一种超声波智能水槽,无论是传统水槽还是智能水槽,其整体技术都在不断提高;随着现代智能家电的进步,采用先进控制技术从而使家用电器从一种机械式的用具变成一种具有智能的设备,智能水槽的出现则鲜明地体现了家用电器最新技术面貌;现有的水槽的排水口较小,由于泥沙的沉降速度大于排水速度,漏水慢,水槽里会残留污水,导致水槽卫生差,用户体验较差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于:提供一种基于烘干结构的水槽,解决了目前家用水槽容易堵住、排水慢且无法除去水槽中残留的污水的技术问题。本专利技术采用的技术方案如下:一种基于烘干结构的水槽,包括水槽,所述水槽一侧面下方设置有筛网,所述筛网外设置有接收从筛网排出的污水的排水沟,所述筛网与排水沟间设置有挡水板,所述挡水板连接气缸,所述气缸与单片机连接实现控制挡水板的升降,所述水槽底部为双层结构,所述双层结构的夹层中设置有发热丝,所述发热丝通过发热电路连接单片机。优选地,所述发热电路包括电阻R11、电阻R02、三极管Q2、二极管D1、继电器K1和发热丝RFR;发热电路输入端连接单片机引脚P1.0,输入端还连接电阻R11后接VCC,电阻R11连接R02后连接三极管Q2的基极,三极管Q2的发射极接地,三极管Q2的集电极连接二极管D1后连接VCC,三极管Q2的集电极还连接继电器K1一端,继电器K1另一端连接发热丝RFR后连接220V。优选地,所述挡水板的宽度大于等于筛网的宽度。优选地,所述 ...
【技术保护点】
一种基于烘干结构的水槽,包括水槽(2),其特征在于:所述水槽(2)一侧面下方设置有筛网(17),所述筛网(17)外设置有接收从筛网(17)排出的污水的排水沟(14),所述筛网(17)与排水沟(14)间设置有挡水板(11),所述挡水板(11)连接气缸(13),所述气缸(13)与单片机连接实现控制挡水板(11)的升降,所述水槽(2)底部为双层结构,所述双层结构的夹层中设置有发热丝,所述发热丝通过发热电路连接单片机。
【技术特征摘要】
1.一种基于烘干结构的水槽,包括水槽(2),其特征在于:所述水槽(2)一侧面下方设置有筛网(17),所述筛网(17)外设置有接收从筛网(17)排出的污水的排水沟(14),所述筛网(17)与排水沟(14)间设置有挡水板(11),所述挡水板(11)连接气缸(13),所述气缸(13)与单片机连接实现控制挡水板(11)的升降,所述水槽(2)底部为双层结构,所述双层结构的夹层中设置有发热丝,所述发热丝通过发热电路连接单片机。2.根据权利要求1所述的一种基于烘干结构的水槽,其特征在于:所述发热电路包括电阻R11、电阻R02、三极管Q2、二极管D1、继电器K1和发热丝RFR;发热电路输入端连接单片机引脚P1.0,输入端还连接电阻R11后接VCC,电阻R11连接R02后连接三极管Q2的基极,三极管Q2的发射极...
【专利技术属性】
技术研发人员:章显红,
申请(专利权)人:成都融创智谷科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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