一种LED发光芯片及加工方法技术

本发明专利技术提供了一种LED发光芯片及加工方法，涉及LED技术领域。本发明专利技术提供的LED发光芯片，包括基础层和发光层，发光层包括层叠设置的N型层、MQW层和P型层，其中，在MQW层中设置了绝缘区，该绝缘区设置在了电极的下方。由于MQW层是主要进行发光的一层，并且绝缘区基本没有电流通过，导致绝缘区基本不会发光，从而使得电流更多的通过MQW层中的导电区(MQW层中除绝缘区以外的区域)通过，从而增强了导电区的发光程度，由于导电区所发出的光线更不容易被电极所遮挡(相比于绝缘区)，进而，一定程度上提高了发光效果。

【技术实现步骤摘要】
一种LED发光芯片及加工方法
本专利技术涉及LED
，具体而言，涉及一种LED发光芯片及加工方法。
技术介绍
随着技术的进步，以LED技术为核心的LED发光芯片层出不穷。led发光芯片，是led灯的核心组件，也就是指的P-N结。其主要功能是：把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种LED发光芯片及加工方法。第一方面，本专利技术实施例提供了一种LED发光芯片，包括：依次层叠设置的基础层、发光层和电极，基础层包括硅衬底，发光层包括层叠设置的N型层、MQW层和P型层；在MQW层内部设置有绝缘区，绝缘区位于电极的下方。结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，MQW本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED发光芯片，其特征在于，包括：依次层叠设置的基础层、发光层和电极，所述基础层包括硅衬底，所述发光层包括层叠设置的N型层、MQW层和P型层；在所述MQW层内部设置有绝缘区，所述绝缘区位于电极的下方。

【技术特征摘要】
1.一种LED发光芯片，其特征在于，包括：依次层叠设置的基础层、发光层和电极，所述基础层包括硅衬底，所述发光层包括层叠设置的N型层、MQW层和P型层；在所述MQW层内部设置有绝缘区，所述绝缘区位于电极的下方。2.根据权利要求1所述的LED发光芯片，其特征在于，所述MQW层包括层叠设置的MQW势磊层和MQW势井层。3.根据权利要求1所述的LED发光芯片，其特征在于，所述基础层还包括反射镜面，所述反射镜面位于所述硅衬底和发光层之间。4.根据权利要求1所述的LED发光芯片，其特征在于，所述绝缘区是由所述发光层远离基础层的一侧表面向另一侧表面延伸所形成的，所述绝缘区至少延伸至MQW层。5.根据权利要求1所述的LED发光芯片，其特征在于，在所述发光层的上表面设置有连接线，所述连接线的一端与电极相接触，另一端与导电区远离基础层的一侧表面相接处；所述导电区是发光层中除绝缘区以外的区域。6.根据权利要求1所述的LED发光芯片，其特征在于，所述绝缘区中填充有绝缘材料，所述绝缘材料包括以下的一种或多种：透明玻璃胶、液晶和透明氮化物；所述绝缘区呈锥状或圆柱状。7.根据权利要求1所述的LED发光芯片，其特征在于，绝缘区包括二氧化硅层和液晶填充区，二氧化硅层设置在液晶填充区和导电区之间，以使所述液晶填充区通过二氧化硅层与导电区相接触。8.一种LED发光芯片的加工方法，其特征在于，包括：在基础层上生长发光层；基础层包括硅衬底；对发光层进行挖空处理，挖空处理至少在到M...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾钊，赵炆兼，张双翔，杨凯，陈凯轩，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32