一种改善GaN外延片性质并增强GaN基LED发光性能的方法技术

本发明专利技术提出了一种改善GaN外延片性质并增强GaN基LED发光性能的方法，GaN外延片的厚度为450μm，其最上层为380nm厚掺Mg的p型GaN层；进行激光辐照实验前，将其剪裁成边长为10mm的正方形，之后将样品分别依次浸入乙醇、丙酮和去离子水中超声清洗约5min；然后采用LP 305i F型准分子激光器在空气中对Ga N样品进行激光辐照，激光波长为248nm，重复频率为3Hz和10Hz，激光能量密度为300～800m J/cm。激光辐照与在N2气氛下退火相结合的方法可以较大幅度地提升GaN外延片的电学与发光性能以及LED器件的发光性能，其LED器件的光出射功率与未进行辐照与退火处理的样品相比可提升约37％。

【技术实现步骤摘要】
一种改善GaN外延片性质并增强GaN基LED发光性能的方法
本专利技术涉及一种改善GaN外延片性质并增强GaN基LED发光性能的方法。
技术介绍
GaN作为第三代半导体材料，其电子饱和速率、击穿电场、导热率、带隙均高于前两代半导体材料Si和GaAs，非常适合用来制作蓝、绿光和紫外光发光二极管(LED)、电荷耦合器件(CCD)、高速存储器、大功率器件及要求暗电流比较低的光探测器。近年来，随着科技的迅猛发展，人们对于电子器件拥有高频率、宽带宽、高效率、大功率等优势的愿望更加迫切，而以GaN为代表的宽禁带半导体正可以在这些方面满足人类生产生活的需要，更是成为半导体材料研究领域的热点。但是，GaN在生长衬底的选择和在生长过程中背景载流子浓度过高以及p型掺杂浓度较低的情况均在很大程度上制约了其在工业生产中的广泛应用。目前，采用各种方法生长出的GaN大多不可避免地含有一定数量的N空位缺陷(VN)，导致非掺杂GaN均为n型半导体，本底电子浓度在10～4×10cm左右，呈现出高电导的情况。而p型GaN属补偿材料，且一般均用Mg元素作为受主掺杂杂质。GaN中的H元素主要来自生长过程中NH3分解产生的H本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善GaN外延片性质并增强GaN基LED发光性能的方法，其特征在于，GaN外延片的厚度为450μm，其最上层为380nm厚掺Mg的p型GaN层；首先，进行激光辐照实验前，将其剪裁成边长为10mm的正方形，之后将样品分别依次浸入乙醇、丙酮和去离子水中超声清洗约5min；然后采用LP 305i F型准分子激光器在空气中对GaN样品进行激光辐照，激光波长为248nm，重复频率为3Hz和10Hz，激光能量密度为300～800m J/cm。

【技术特征摘要】
1.一种改善GaN外延片性质并增强GaN基LED发光性能的方法，其特征在于，GaN外延片的厚度为450μm，其最上层为380nm厚掺Mg的p型GaN层；首先，进行激光辐照实验前，将其剪裁成边长为10mm的正方形，之后将样品分别依次浸入乙醇、丙酮和去离子水中超声清洗约5min；然后采用LP305iF型准分子激光器在空气中对GaN样品进行激光辐照，激光波长为248nm，重复频率为3Hz和10Hz，激光能量密度为300～800mJ/cm。2.根据权利要求1所述的一种改善GaN外延片性质并增强GaN基LED发光性能的方法，其特征在于，采用ActonSP2750型光谱仪测量光致发光谱，激发波长为325nm，收集方式...

【专利技术属性】
技术研发人员：张勇，
申请(专利权)人：佛山东燊金属制品有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44