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本发明提出了一种改善GaN外延片性质并增强GaN基LED发光性能的方法，GaN外延片的厚度为450μm，其最上层为380nm厚掺Mg的p型GaN层；进行激光辐照实验前，将其剪裁成边长为10mm的正方形，之后将样品分别依次浸入乙醇、丙酮和去离...
该专利属于佛山东燊金属制品有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山东燊金属制品有限公司授权不得商用。

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