一种带有场板的GaN-HEMT芯片的制作工艺制造技术

本发明专利技术提供一种带有场板的GaN‑HEMT芯片的制作工艺，由GaN外延片为原材料，其中所述的制造工艺为：在衬底上低温生长氮化镓作为缓冲层，在缓冲层上进行HEMT结构生长，首先生成数微米厚度的高温GaN外延层，再在GaN外延层上生长AlXGa1‑XN薄层，AlGaN和GaN界面GaN一侧会形成二维电子气（2DEG），2DEG是HEMT器件的导电层；优点为：本发明专利技术有效抑制电流崩塌、提升击穿电压。

【技术实现步骤摘要】
一种带有场板的GaN-HEMT芯片的制作工艺
本专利技术涉及GaN-HEMT芯片领域，尤其是涉及一种带有场板的GaN-HEMT芯片的制作工艺。
技术介绍
半导体芯片的专利技术是二十世纪的一项创举，使人类相继进入了电子工业时代和信息化时代。综合利用多种半导体材料和器件功能制备而成的微波集成电路是当前发展各种高科技武器的重要支柱，广泛用于各种先进的战术导弹、电子战、通信系统、陆海空基的各种先进的相控阵雷达(特别是机载和星载雷达)；在民用商业的移动电话、无线通信、个人卫星通信网、全球定位系统、直播卫星接收和毫米波自动防撞系统等方面已形成正在飞速发展的巨大市场。与第一代半导体材料Si及第二代半导体材料GaAs、InP相比，GaN具有更大的禁带宽度、更高的电子饱和漂移速度、更高的击穿电压和较高的热导率等特点。GaN基微电子材料和器件的研究和开发已成为世界各国竞相占领的高科技制高点，是半导体科学、材料科学、高温电子学、超过兆瓦的固态功率电子学、高功率密度射频电子学的前沿研究领域。
技术实现思路
本专利技术的目的在于为解决现有技术的不足，而提供一种带有场板的GaN-HEMT芯片的制作工艺。本专利技术新本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带有场板的GaN‑HEMT芯片的制作工艺，由GaN外延片（4）为原材料，其特征在于：所述的制造工艺为：1）在衬底上低温生长氮化镓作为缓冲层，在缓冲层上进行HEMT结构生长，首先生成数微米厚度的高温GaN外延层，再在GaN外延层上生长AlXGa1‑XN薄层，AlGaN和GaN界面GaN一侧会形成二维电子气（2DEG）（6），2DEG是HEMT器件的导电层；2）MESA光刻：首先在外延片表面涂一层光刻胶，将MESA光刻板覆在光刻胶上进行曝光，光刻胶曝光后性状发生改变，多余光刻胶通过显影和去胶工艺去除；光刻胶上形成了MESA光刻板上同样的的图案；然后使用ICP刻蚀机对覆有光刻胶的外延片进行ICP...

【技术特征摘要】
1.一种带有场板的GaN-HEMT芯片的制作工艺，由GaN外延片（4）为原材料，其特征在于：所述的制造工艺为：1）在衬底上低温生长氮化镓作为缓冲层，在缓冲层上进行HEMT结构生长，首先生成数微米厚度的高温GaN外延层，再在GaN外延层上生长AlXGa1-XN薄层，AlGaN和GaN界面GaN一侧会形成二维电子气（2DEG）（6），2DEG是HEMT器件的导电层；2）MESA光刻：首先在外延片表面涂一层光刻胶，将MESA光刻板覆在光刻胶上进行曝光，光刻胶曝光后性状发生改变，多余光刻胶通过显影和去胶工艺去除；光刻胶上形成了MESA光刻板上同样的的图案；然后使用ICP刻蚀机对覆有光刻胶的外延片进行ICP刻蚀，未被光刻胶保护的区域会被刻蚀出设定的深度，其深度在2DEG以下；3）SD电极制作：首先在MESA后的外延片上涂一层光刻胶，用SD光刻板在MESA后的外延片上形成SD电极的图形，然后进行金属淀积，金属淀积以后进行撕金操作去除多余的金属，去除多余的光刻胶，最后进行快速退火处理，形成欧姆接触后即完成SD电极的制作；4）G极（2）制作：采用步骤3）同样的工序制作G极（2）金属，在G极（2）与AlGaN之间形成肖特基接触，则完成G极（2）制作；5）加钝化层（3）：以等离子增强化学气相沉积（PECVD）方式在氮化镓铝层外层形成一层钝化层（3），钝化层（3）厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫稳玉，吴伟东，张薇葭，王占伟，刘双昭，王旭东，赵利，
申请(专利权)人：山东聚芯光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37