一种氧化铬和铬弥散强化铜基复合材料的制备方法技术

本发明专利技术公开的氧化铬和铬弥散强化铜基复合材料，按质量百分比其组成为：１～５％的氧化铬，小于０．５％的铬，其余为铜。该材料通过以下步骤制备得到，将铜粉和铬粉用高能球磨法制成铜铬预合金粉末；再加入氧化亚铜粉用高能球磨法制成内氧化复合粉末；将复合粉末冷压制成压坯；再将压坯真空烧结和内氧化、热挤压、热处理后，即制得。以Ｃｒ代替Ａｌ制备的氧化铬和铬弥散强化铜基复合材料，与Ｃｕ／Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］复合材料具有相近的稳定性和高熔点，残存的Ｃｒ对电导率影响很小，本发明专利技术提供的制备方法与内氧化法相比，也具有工艺简单、成本低、便于控制的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于金属基复合材料
，涉及一种铜基复合材料，具体涉及一种氧化铬和铬弥散强化铜基的复合材料，本专利技术还涉及该材料的制备方法。
技术介绍
空间材料、电子封装材料、连铸机结晶器材料等均是在高温下长期服役的结构材料，所以要求其高温下兼备高强度和高传导性能。现在这类材料主要采用的是沉淀硬化型铜合金，该类铜合金强度高，导电、导热性好。但是这些合金的弊端是，如果使用温度长期高于沉淀热处理的温度(铜熔点的1/3～1/2)，由于铜中合金元素不断向铜中溶解，致使铜合金的强度、导电导热性都将大幅度下降，导致仪器、设备的稳定性下降(如计算机死机)，使用寿命急剧降低。氧化物弥散强化铜基复合材料以其优异的高温强度和高传导性而成为首选的替代材料。这类材料的研究目前主要集中在内氧化法制备Cu/Al2O3复合材料。在制备Cu/Al2O3复合材料的过程注意到，微量残存的未完全氧化的Al对复合材料的电导率影响很大，而Al的完全氧化对工艺的控制要求又较高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种氧化铬和铬弥散强化铜基复合材料，以Cr代替Al在铜基体中进行原位氧化制备铜基复合材料，利用Cr在Cu中极低的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化铬和铬弥散强化铜基复合材料，按质量百分比其组成为：１％～６％的氧化铬，小于０．５％的铬，其余为铜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁淑华，肖鹏，范志康，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]