一种二硫化钨纳米管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种二硫化钨纳米管的制备方法，其包括如下工艺步骤：1)将六羰基钨铺装在陶瓷坩埚底部，后将多孔阳极氧化铝模板开口向下置于六羰基钨上方，密封坩埚后置于管式炉中，在气体保护下低温升华沉积并高温热解，然后降温；2)真空管式炉降至室温后将模板开口向下置于装有硫粉的陶瓷坩埚中，密封坩埚后升温，使单质硫与金属钨直接反应；3)用稀酸溶液去除多孔氧化铝模板，用二硫化碳去除多余的硫，后进行抽滤处理，烘干，得成品。本发明专利技术方法步骤简单，无环境污染，无需复杂的设备，所制备得的二硫化钨纳米管粉体材料的尺寸可控性强，结晶性好，纳米管管壁形貌均匀，从而大大提高该二硫化钨纳米管粉体材料成品的综合性能。本发明专利技术具有广泛的适用性，有利于大规模工业化生产。

A preparation method of two tungsten sulfide nanotubes

The invention discloses a preparation method of two tungsten sulfide nanotube, which includes the following process steps: 1) the six carbonyl tungsten is paving at the bottom of the ceramic crucible, and then the porous anodic alumina template is placed above the six carbonyl tungsten. The sealed crucible is placed in a tubular furnace, and is sublimated at low temperature and pyrolyzed at low temperature under the protection of gas. And then cooling down; 2) the vacuum tube type furnace is lowered to room temperature and put down in the ceramic crucible with sulfur powder. After the sealing crucible is heated up, the elemental sulfur is directly reacted with the metal tungsten; 3) the porous alumina template is removed with the dilute acid solution and the excess sulfur is removed with carbon disulfide, then the product is filtered and dried to get the finished product. . The method has the advantages of simple steps, no environmental pollution, no complex equipment, and the prepared two tungsten sulfide nanotube powder material has strong controllability, good crystallinity and uniform morphology of the nanotube wall, thus greatly improving the fully mechanized properties of the two tungsten sulfide nanotube powder. The invention has wide applicability and is conducive to large-scale industrial production.

【技术实现步骤摘要】
一种二硫化钨纳米管的制备方法
本专利技术涉及半导体纳米材料领域，特别涉及一种半导体纳米管的制备方法。
技术介绍
二硫化钨(WS2)的晶体结构是密排六方的层状结构。钨原子和硫原子间有强的化学键相连接，而层间硫原子与硫原子之间由弱的分子键相连接。层与层之间的结合力为范德华力，二硫化钨的层间距较大，摩擦系数更低，在0.03～0.05之间。二硫化钨具有良好的润滑性能，不仅适用于通常润滑条件，而且可以用于高温、高压、高真空、高负荷，有辐射及有腐蚀性介质等苛刻的工作环境。此外，这类层状化合物应用领域还涉及光检测器、晶体管、锂电池、产氢催化剂、DNA检测、光热治疗和存储器件等。早在1992年，Tenne和他的研究小组就通过WO3和H2S高温反应制备得到了富勒烯结构的WS2纳米管，之后他们设计了硫化床反应器，可以实现富勒烯结构的WS2纳米管和纳米粒子的小批量生产。自此WS2纳米材料的制备和研究工作得到不断地开展。C.N.R.Rao等人在氢气中1200～1300℃高温下直接加热分解(NH4)2WS4获得了WS2纳米管。2011年，朱艳芳等人在氧化铝模板内热分解四硫代钨酸铵前驱体制备了二硫化钨纳米管。上述已报道结构，所制备的WS2纳米管涉及复杂的化学反应，给其晶体管、锂电池、产氢催化剂等应用带来较大的影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对上述现有技术的不足，提供一种二硫化钨纳米管的制备方法，其所得二硫化钨纳米管粉体材料具有广泛的适用性，综合性能优异，可应用于电子学器件。本专利技术所采取的技术方案是：一种二硫化钨纳米管的制备方法，其包括如下工艺步骤：1)以六羰基钨作为原料，多孔阳极氧化铝作为模板，将原料铺装在陶瓷坩埚底部，后将多孔阳极氧化铝模板开口向下置于原料上方，密封坩埚后置于真空管式炉中，在气体保护下加热，低温升华，使六羰基钨在多孔阳极氧化铝模板中沉积，继续升温，使六羰基钨沉积在多孔阳极氧化铝模板中热分解，得金属钨沉积；2)待步骤1)的真空管式炉降至室温后取出多孔阳极氧化铝模板并将其开口向下置于装有硫粉的陶瓷坩埚中，密封坩埚后置于真空管式炉中，在气体保护下升温，使单质硫与金属钨直接反应，停止加热，坩埚随炉冷却至室温；3)用稀酸溶液去除多孔氧化铝模板，用二硫化碳去除多余的硫，去离子水清洗，后进行抽滤处理，烘干，得成品。作为上述方案的进一步改进，步骤1)中所述的多孔阳极氧化铝模板的孔径在10～200nm范围内。具体地，本专利技术对多孔阳极氧化铝模板孔径的限定可使纳米管的形貌可控性更强。作为上述方案的进一步改进，步骤1)中所述的低温升华的温度为50～150℃，升华时间为30～200min。本专利技术通过低温升华直接得到沉积物，其对升华温度及保温时长的限定可使六羰基钨沉积更充分。作为上述方案的进一步改进，步骤1)中所述热分解的温度为200～420℃，热分解时间为30～100min。具体地，本专利技术热解温度和热解时间的限定可有效提高金属钨在氧化铝模板中的结晶度。作为上述方案的进一步改进，步骤2)中所述单质硫与金属钨的反应温度为500～740℃，反应时间为10～60h。具体地，本专利技术对二硫化钨反应温度及时间的限定可使反应更充分。作为上述方案的进一步改进，步骤3)中所述的稀酸溶液为浓度为0.1～3mol/L的磷酸溶液。具体地，稀酸溶液的进一步限定可更高效地去除氧化铝模板。作为上述方案的进一步改进，步骤1)和步骤2)中所述气体为氩气或者氮气，气体纯度为99.999％，所述保护气体的流速为10～500SCCM。本专利技术的有益效果是：本专利技术方法步骤简单，实现了金属钨与硫粉在受限空间里直接反应制备而成二硫化钨纳米管粉体材料，其无环境污染，无需复杂的设备，所制备得的二硫化钨纳米管粉体材料的尺寸可控性强，结晶性好，纳米管管壁形貌均匀，从而大大提高该二硫化钨纳米管粉体材料成品的综合性能。本专利技术具有广泛的适用性，有利于大规模工业化生产。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术进行具体描述，以便于所属
的人员对本专利技术的理解。有必要在此特别指出的是，实施例只是用于对本专利技术做进一步说明，不能理解为对本专利技术保护范围的限制，所属领域技术熟练人员，根据上述
技术实现思路
对本专利技术作出的非本质性的改进和调整，应仍属于本专利技术的保护范围。同时下述所提及的原料未详细说明的，均为市售产品；未详细提及的工艺步骤或制备方法为均为本领域技术人员所知晓的工艺步骤或制备方法。实施例1一种二硫化钨纳米管的制备方法，其包括如下工艺步骤：1)将5g六羰基钨铺装在陶瓷坩埚底部，将孔径为40nm的多孔阳极氧化铝模板开口向下置于六羰基钨上方，密封坩埚后置于真空管式炉中，并通入100SCCM的氩气清洗炉管中的空气。在100SCCM的氩气保护下，升温至100℃并保温60min，后继续升温至300℃并保温40min，得金属钨沉积，停止加热；2)待步骤1)的真空管式炉降至室温后，取出多孔阳极氧化铝模板，并将其开口向下置于装有硫粉的陶瓷坩埚中，密封坩埚后置于真空管式炉中，在100SCCM的氩气保护下升温至120℃并保温60min，继续升温至550℃并保温48h，停止加热；3)待步骤2)陶瓷坩埚温度降至室温时，取出样品，用浓度为0.3mol/L的磷酸溶液去除多孔氧化铝模板，用二硫化碳去除多余的硫粉，去离子水清洗，后进行抽滤处理，烘干，得实施例1二硫化钨纳米管粉体材料成品。实施例2一种二硫化钨纳米管的制备方法，其包括如下工艺步骤：1)将5g六羰基钨铺装在陶瓷坩埚底部，将孔径为10nm的多孔阳极氧化铝模板开口向下置于六羰基钨上方，密封坩埚后置于真空管式炉中，并通入100SCCM的氮气清洗炉管中的空气。在100SCCM的氮气保护下，升温至50℃并保温200min，后继续升温至300℃并保温40min，得金属钨沉积，停止加热；2)待步骤1)的真空管式炉降至室温后，取出多孔阳极氧化铝模板，并将其开口向下置于装有硫粉的陶瓷坩埚中，密封坩埚后置于真空管式炉中，在100SCCM的氮气保护下升温至120℃并保温60min，继续升温至550℃并保温48h，停止加热；3)待步骤2)陶瓷坩埚温度降至室温时，取出样品，用浓度为0.3mol/L的磷酸溶液去除多孔氧化铝模板，用二硫化碳去除多余的硫粉，去离子水清洗，后进行抽滤处理，烘干，得实施例2二硫化钨纳米管粉体材料成品。实施例3一种二硫化钨纳米管的制备方法，其包括如下工艺步骤：1)将5g六羰基钨铺装在陶瓷坩埚底部，将孔径为200nm的多孔阳极氧化铝模板开口向下置于六羰基钨上方，密封坩埚后置于真空管式炉中，并通入100SCCM的氩气清洗炉管中的空气。在100SCCM的氩气保护下，升温至150℃并保温30min，后继续升温至300℃并保温40min，得金属钨沉积，停止加热；2)待步骤1)的真空管式炉降至室温后，取出多孔阳极氧化铝模板，并将其开口向下置于装有硫粉的陶瓷坩埚中，密封坩埚后置于真空管式炉中，在100SCCM的氩气保护下升温至120℃并保温60min，继续升温至550℃并保温48h，停止加热；3)待步骤2)陶瓷坩埚温度降至室温时，取出样品，用浓度为0.3mol/L的磷酸溶液去除多孔氧化铝模板，用二硫化碳去除多余的硫粉，去离子水清洗，后进行抽滤处理，烘干，得实施例3二硫化钨纳米管粉体材料成品本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二硫化钨纳米管的制备方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：1)以六羰基钨作为原料，多孔阳极氧化铝作为模板，将原料铺装在陶瓷坩埚底部，后将多孔阳极氧化铝模板开口向下置于原料上方，密封坩埚后置于真空管式炉中，在气体保护下加热，低温升华，使六羰基钨在多孔阳极氧化铝模板中沉积，继续升温，使六羰基钨沉积在多孔阳极氧化铝模板中热分解，得金属钨沉积；2)待步骤1)的真空管式炉降至室温后取出多孔阳极氧化铝模板并将其开口向下置于装有硫粉的陶瓷坩埚中，密封坩埚后置于真空管式炉中，在气体保护下升温，使单质硫与金属钨直接反应，停止加热，坩埚随炉冷却至室温；3)用稀酸溶液去除多孔氧化铝模板，用二硫化碳去除多余的硫，去离子水清洗，后进行抽滤处理，烘干，得成品。

【技术特征摘要】
1.一种二硫化钨纳米管的制备方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：1)以六羰基钨作为原料，多孔阳极氧化铝作为模板，将原料铺装在陶瓷坩埚底部，后将多孔阳极氧化铝模板开口向下置于原料上方，密封坩埚后置于真空管式炉中，在气体保护下加热，低温升华，使六羰基钨在多孔阳极氧化铝模板中沉积，继续升温，使六羰基钨沉积在多孔阳极氧化铝模板中热分解，得金属钨沉积；2)待步骤1)的真空管式炉降至室温后取出多孔阳极氧化铝模板并将其开口向下置于装有硫粉的陶瓷坩埚中，密封坩埚后置于真空管式炉中，在气体保护下升温，使单质硫与金属钨直接反应，停止加热，坩埚随炉冷却至室温；3)用稀酸溶液去除多孔氧化铝模板，用二硫化碳去除多余的硫，去离子水清洗，后进行抽滤处理，烘干，得成品。2.根据权利要求1所述的一种二硫化钨纳米管的制备方法，其特征在于：步骤1)中所述的多孔阳极氧化铝模板的孔径在10～...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡柱东，林海敏，
申请(专利权)人：佛山科学技术学院，
类型：发明
国别省市：广东,44