准分子激光光刻照明系统相干因子的校准方法技术方案

本发明专利技术是光刻系统基于CCD成像相干因子测量系统装置，通过针孔、旋转平台、手动X‑Y位移平台实现CCD感光面和透镜焦平面一致的校准。在CCD上建立合适的坐标系，然后在针孔上取一点，通过透镜成像在CCD上，求出此点的质心，得到第一个坐标点A`。转动旋转平台90°，得到第二个像，求出其质心，得到第二个坐标点B`，采用同样的方法继续转动，分别得到第三A``第四个点B``。然后利用这四个座标建立相互关系，当A`到A``的距离和B`到B``的距离相差比较大时，认为CCD和透镜焦平面存在一定的夹角，通过四个座标建立起来的关系求出夹角，然后调节CCD感光面的角度，直到当A`到A``的距离和B`到B``的距离之差达到任意小。从而实现CCD感光面和透镜焦平面基本一致。

Calibration method for coherent factor of excimer laser lithography illumination system

The invention is based on the CCD imaging coherence factor measurement system. Through the needle hole, the rotating platform and the manual X Y displacement platform, the CCD photosensitive surface and the lens focal plane are calibrated. A suitable coordinate system is set up on the CCD, then a point is taken on the pinhole, and the centroid of the point is obtained by lens imaging on CCD, and the first coordinate point A` is obtained. Rotate the rotating platform 90 degrees, get second images, find the center of mass, get second coordinates B`, use the same method to continue to rotate, respectively, the third '` fourth point B``. Then we use these four coordinates to establish the relationship. When the distance between A` and A`` is quite different from the distance between B` and B``, it is considered that there is a certain angle between the CCD and the lens focal plane, and the angle is obtained by the relationship established by the four coordinates, and then the angle of the CCD photosensitive surface is adjusted to the distance between A` and A`` and the distance between B` and B``. The difference is small. So that the CCD sensitive plane and lens focal plane are basically consistent.

【技术实现步骤摘要】
准分子激光光刻照明系统相干因子的校准方法
本专利技术涉及准分子激光光刻照明系统相干因子测量装置，该方法很好的实现了测量装置中CCD感光面与透镜焦平面存在一定夹角的校准。
技术介绍
集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将掩模图形转移到单晶表面上，形成有效功能图形的工艺技术，称为光刻技术。光学曝光光刻，由于具有成本低、分辨率高、设备简单、操作方便等优点而获得极大发展。光学曝光光刻包括接触式、接近式光刻、激光干涉和光学投影光刻四种，其中准分子激光光刻技术是光学投影光刻技术的一种。随着半导体器件体积的不断缩小，对芯片的制作要求也越来越高。芯片上刻蚀线条的特征尺寸的偏移成为集成电路制造过程中的限制性因素之一。在1995年，Y.Borodovsky提出相干因子的改变会导致整个硅片面上刻蚀线宽的改变，之后这一观点受到很多人的关注并做了相关论证。所以，在集成电路的日常生产过程中，简单可靠的相干因子检测可以指导生产者更好的优化曝光条件，进而改进刻蚀线条的质量。在现在的技术背景下，主要采用两种典型的相干因子测量方法，即菱形光栅成像法和Kirk障点成像法。图1是光刻曝光系统示意图，根本文档来自技高网...

【技术保护点】
准分子激光光刻照明系统相干因子的校准方法，其特征在于，通过针孔、旋转平台、手动X‑Y位移平台以及CCD实现CCD感光面和透镜焦平面一致的校准，利用旋转平台转动CCD，改变针孔上一点在CCD上所成的像点的位置，然后通过所获取到的几个不同的像点判断CCD感光面和透镜焦平面是否在同一平面，如果不在同一平面，继续利用所得到的几个点的坐标建立函数关系求出偏离的角度，然后调整CCD感光面的角度，直至两者处在同一平面。

【技术特征摘要】
1.准分子激光光刻照明系统相干因子的校准方法，其特征在于，通过针孔、旋转平台、手动X-Y位移平台以及CCD实现CCD感光面和透镜焦平面一致的校准，利用旋转平台转动CCD，改变针孔上一点在CCD上所成的像点的位置，然后通过所获取到的几个不同的像点判断CCD感光面和透镜焦平面是否在同一平面，如果不在同一平面，继续利用所得到的几个点的坐标建立函数关系求出偏离的角度，然后调整CCD感光面的角度，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹益平，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：四川,51