一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺制造技术

本发明专利技术涉及电学及纳米加工技术领域，一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺，包括如下步骤：步骤1、清洗工艺：压电材料的表面清洗：步骤2、涂胶工艺：字压电材料表面涂抹粘度为49CPS的第一层正性光刻胶；步骤3、泛曝光处理：紫外光泛曝光对整枚晶片进行全部无掩膜版无差别充分曝光，照射涂好正性光刻胶的压电材料，光刻胶曝光完全，光刻胶发生反应；步骤4、二次涂胶工艺：在第一层正性光刻胶表面涂抹粘度为14CPS的第二层正性光刻胶；步骤5、光刻工艺：紫外线透过光刻版透光区照射压电材料，第二层正性光刻胶接触到紫外线的区域发生反应；步骤6、显影工艺；步骤7、镀膜工艺：选择合适的镀膜设备蒸发镀膜；步骤8、剥离工艺。

A surface acoustic wave filter using pan exposed double layer rubber stripping process

The present invention relates to the field of electrical and nano processing technology. A surface wave filter is used in the pan exposure double layer adhesive stripping process, including steps: Step 1, cleaning process: surface cleaning of piezoelectric materials: Step 2, coating process: the first layer of positive photoresist with a viscosity of 49CPS on the surface of a word piezoelectric material; step 3 The pan exposure processing: the full exposure of all the maskless plates to the whole chip is not fully exposed, the piezoelectric material of the photoresist is painted well, the photoresist is exposed completely, the photoresist is reacted; step 4 and the two coating process: the second layer positive of the viscosity of 14CPS on the first layer of positive photoresist surface. Photoresist; step 5, photolithography process: ultraviolet light through the photolithography area of ultraviolet light piezoelectric material, second layers of positive photoresist contact with ultraviolet radiation; step 6, developing process; step 7, coating process: select the appropriate coating equipment evaporation coating; step 8, stripping process.

【技术实现步骤摘要】
一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺
本专利技术涉及电学及纳米加工
，特别是一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺。
技术介绍
随着新一代移动通讯时代到来，声表面波滤波器(SAWF)广泛的应用在射频移动通信中，声表面波芯片工艺正高速发展，工艺的新研究、新发现已成为重要侧重点。传统的双层胶剥离工艺由于使用了上窄下宽的累“倒梯形”结构(如图1所示)，降低了金属剥离的难度，提高了剥离的效率。但是，一般使用双层胶剥离工艺对光刻胶敏感性、显影液的对独立性、工艺细节的复杂性，要求严苛，导致选取购置麻烦，批量生产困难。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺，本工艺可使用普通的正性光刻胶同型号不同粘度光刻胶的叠加剥离工艺，充分解决选择光刻胶、显影液、工艺的问题。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺，包括如下步骤：步骤1、清洗工艺：压电材料的表面清洗：步骤2、涂胶工艺：字压电材料表面涂抹粘度为49CPS的第一层正性光刻胶；步骤3、泛曝光处理：紫外光泛曝光对整枚晶片进行全部无掩膜版无差本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、清洗工艺：压电材料的表面清洗：步骤2、涂胶工艺：字压电材料表面涂抹粘度为49CPS的第一层正性光刻胶；步骤3、泛曝光处理：紫外光泛曝光对整枚晶片进行全部无掩膜版无差别充分曝光，照射涂好正性光刻胶的压电材料，光刻胶曝光完全，光刻胶发生反应；步骤4、二次涂胶工艺：在第一层正性光刻胶表面涂抹粘度为14CPS的第二层正性光刻胶；步骤5、光刻工艺：紫外线透过光刻版透光区照射压电材料，第二层正性光刻胶接触到紫外线的区域发生反应；步骤6、显影工艺：第二层正性光刻胶接触紫外线区域显影掉，未接触区域不反应，下方第一层正性光刻胶因已全...

【技术特征摘要】
1.一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、清洗工艺：压电材料的表面清洗：步骤2、涂胶工艺：字压电材料表面涂抹粘度为49CPS的第一层正性光刻胶；步骤3、泛曝光处理：紫外光泛曝光对整枚晶片进行全部无掩膜版无差别充分曝光，照射涂好正性光刻胶的压电材料，光刻胶曝光完全，光刻胶发生反应；步骤4、二次涂胶工艺：在第一层正性光刻胶表面涂抹粘度为14CPS的第二层正性光刻胶；步骤5、光刻工艺：紫外线透过光刻版透光区照射压电材料，第二层正性光刻胶接触到紫外线的区域发生反应；步骤6、显影工艺：第二层正性光刻胶接触紫外线区域显影掉，未接触区域不反应，下方第一层正性光刻胶因已全部泛曝光，显影后开口大小明显大于上方第二层正性光刻胶，且下方存在侧向显影，形成类似传统双层胶的类“倒梯形”的结构形式；步骤7、镀膜工艺：选择合...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘绍侃，张少华，李善斌，蒋燕港，
申请(专利权)人：深圳华远微电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44