弹性波装置制造方法及图纸

提供一种难以产生压电基板的翘曲、且难以产生特性的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备支撑基板(2)、被设置于支撑基板(2)上的声多层膜(3)、被设置于声多层膜(3)上的压电基板(4)、和被设置于压电基板(4)上的IDT电极(5)，压电基板(4)的热膨胀系数的绝对值大于支撑基板(2)的热膨胀系数的绝对值，声多层膜(3)具有至少4层的声阻抗层，还具备接合层，该接合层被设置在从压电基板(4)侧向支撑基板(2)侧的第1层的声阻抗层(3g)中至第3层的声阻抗层(3e)与第4层的声阻抗层(3d)的界面为止的任意的位置。

Elastic wave device

An elastic wave device which is difficult to generate warpage and is difficult to produce characteristic deterioration of piezoelectric substrate is provided. An elastic wave device (1) has a supporting substrate (2), an acoustic multilayer film (3) on the supporting substrate (2), a piezoelectric substrate (4) set on the acoustic multilayer (3), and a IDT electrode (5) set on the piezoelectric substrate (4), and the absolute value of the thermal expansion coefficient of the piezoelectric substrate (4) is greater than the absolute value of the thermal expansion coefficient of the supporting substrate (2), and the sound of the thermal expansion coefficient of the substrate (2) is higher than the absolute value of the thermal expansion coefficient of the supporting substrate (2). The multilayer film (3) has at least 4 layers of acoustic impedance layer, and also has a bonding layer, which is set at any position at the third layer of the acoustic impedance layer (3G) to the third layer of the acoustic impedance layer (3G) and the boundary of the fourth layer of the acoustic impedance layer (3D).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】弹性波装置
本专利技术涉及被用于谐振器、频带滤波器等的弹性波装置。
技术介绍
以往，作为谐振器或频带滤波器，广泛使用弹性波装置。在这种弹性波装置中，利用瑞利波或SH波等各种的弹性波。在下述的专利文献1中公开了利用板波的弹性波装置。专利文献1的弹性波装置中，在支撑基板上，声反射层、压电体层以及IDT电极依次被层叠。专利文献1中，在制造弹性波装置时，在层叠有声反射层的支撑基板接合压电体。在下述的专利文献2中公开了在支撑基板上，高声速膜、低声速膜以及压电膜依次被层叠而得到的弹性波装置。专利文献2中，在制造弹性波装置时，在层叠有压电膜、低声速膜以及高声速膜的层叠体接合支撑基板。在先技术文献专利文献专利文献1：WO2012/086441A1专利文献2：WO2012/086639A1
技术实现思路
-专利技术要解决的课题-但是，如专利文献1那样，通过在层叠有声反射层的支撑基板接合压电体的方法而得到的弹性波装置中，有时产生特性的劣化。另一方面，在通过专利文献2的接合方法将支撑基板与其他部分接合的情况下，在压电膜侧会形成较多的膜。若在压电膜侧形成较多的膜，则所形成的膜产生应力，有时在压电膜产生翘曲。因此，在专利文献2的弹性波装置中，也存在产生特性劣化的情况。本专利技术的目的在于，提供一种难以产生压电基板的翘曲、且难以产生特性的劣化的弹性波装置。-解决课题的手段-本专利技术所涉及的弹性波装置具备支撑基板、被设置于所述支撑基板上的声多层膜、被设置于所述声多层膜上的压电基板、和被设置于所述压电基板上的IDT电极，所述压电基板的热膨胀系数的绝对值大于所述支撑基板的热膨胀系数的绝对值，所述声多层膜具有至少4层的声阻抗层，所述至少4层的声阻抗层包含至少1层的低声阻抗层、和声阻抗高于该低声阻抗层的至少1层的高声阻抗层，该弹性波装置还具备接合层，该接合层被设置于从所述压电基板侧向所述支撑基板侧的第1层的所述声阻抗层中至第3层的所述声阻抗层与第4层的所述声阻抗层的界面为止的任意位置。在本专利技术所涉及的弹性波装置的某个特定的方面，所述接合层被设置在从所述压电基板侧向所述支撑基板侧的第1层至第3层的所述声阻抗层之中的任意的声阻抗层中。在本专利技术所涉及的弹性波装置的另一特定的方面，所述接合层被没置在从所述压电基板侧向所述支撑基板侧的第1层至第4层的所述声阻抗层之中的相邻的任意2层的声阻抗层间的界面。在本专利技术所涉及的弹性波装置的又一特定的方面，作为传播的弹性波，利用S0模式、A0模式、A1模式、SH0模式或者SH1模式的板波。在本专利技术所涉及的弹性波装置的其他特定的方面，所述接合层的厚度为5nm以下。该情况下，更进一步难以产生特性的劣化。在本专利技术所涉及的弹性波装置的其他特定的方面，所述接合层兼作绝缘层。该情况下，更进一步难以产生特性的劣化。在本专利技术所涉及的弹性波装置的其他特定的方面，所述支撑基板包含玻璃或者Si，且所述压电基板包含LiNbO3或者LiTaO3。该情况下，更进一步难以产生压电基板的翘曲。在本专利技术所涉及的弹性波装置的其他特定的方面，所述低声阻抗层包含氧化硅。该情况下，能够更加有效地将板波封闭。在本专利技术所涉及的弹性波装置的其他特定的方面，所述高声阻抗层包含钨、铂、钽、氮化硅或者氮化铝。该情况下，能够更加有效地将板波封闭。-专利技术效果-根据本专利技术，能够提供一种难以产生压电基板的翘曲、且难以产生特性的劣化的弹性波装置。附图说明图1(a)是本专利技术的第1实施方式所涉及的弹性波装置的示意性正面剖视图，图1(b)是表示其电极构造的示意性俯视图。图2是将本专利技术的第1实施方式所涉及的弹性波装置的主要部分放大表示的部分欠缺示意性剖视图。图3是表示在实验例1中使构成声多层膜的声阻抗层的层叠数变化时的、压电基板的厚度与阻抗比(Za/Zr)的关系的图。图4(a)～图4(d)是用于说明本专利技术的第1实施方式所涉及的弹性波装置的制造方法的各简略的正面剖视图。图5是表示在实验例2中压电基板使用了X切割-LiNbO3基板的情况下的、声阻抗层的层叠数与压电基板的翘曲量的关系的图。图6是表示在实验例3中接合层的接合位置与阻抗比(Za/Zr)的关系的图。图7是表示在实验例3中在从压电基板侧起第1层的声阻抗层上设置有接合层时的谐振特性的图。图8是将本专利技术的第2实施方式所涉及的弹性波装置的主要部分放大表示的部分欠缺示意性剖视图。具体实施方式以下，通过参照附图来说明本专利技术的具体实施方式，使得本专利技术变得明确。另外，提前指出的是，本说明书中记载的各实施方式仅仅是示例，在不同的实施方式之间能够进行结构的部分置换或者组合。(第1实施方式)图1(a)是本专利技术的第1实施方式所涉及的弹性波装置的示意性正面剖视图，图1(b)是表示其电极构造的示意性俯视图。此外、图2是将本专利技术的第1实施方式所涉及的弹性波装置的主要部分放大表示的部分欠缺示意性剖视图。弹性波装置1是利用了S0模式、A0模式、A1模式、SH0模式、或者SH1模式等的板波的弹性波装置。弹性波装置1具有支撑基板2。在支撑基板2上层叠有声多层膜3。在声多层膜3上层叠有压电基板4。在压电基板4上层叠有IDT电极5以及电极连接盘6a、6b。电极连接盘6a、6b被设置为与IDT电极5电连接。支撑基板2包含Si。作为构成支撑基板2的材料，没有特别限定，能够使用蓝宝石、LiTaO3、LiNbO3、水晶等的压电体、氧化铝、氧化镁、氮化硅、氮化铝、氧化硅、氧化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石等的各种陶瓷或者玻璃等的电介质、或者硅、氮化镓等的半导体、或者树脂等。在本实施方式中，声多层膜3具有低声阻抗层3a、3c、3e、3g、高声阻抗层3b、3d、3f。高声阻抗层3b、3d、3f的声阻抗比低声阻抗层3a、3c、3e、3g的声阻抗高。在本实施方式中，低声阻抗层3a、3c、3e、3g和高声阻抗层3b、3d、3f在层叠方向被交替配置。因此，从压电基板4传播来的板波在低声阻抗层3a、3c、3e、3g的上方表面、即低声阻抗层3a、3c、3e、3g以及高声阻抗层3b、3d、3f的界面被反射。由此，能够有效地将板波的能量封闭。另外，在本专利技术中，也可以低声阻抗层3a、3c、3e、3g和高声阻抗层3b、3d、3f在层叠方向不被交替配置。不过，从更进一步提高板波的封闭效率的观点出发，优选低声阻抗层3a、3c、3e、3g之中的至少1层被设置在比高声阻抗层3b、3d、3f之中的至少1层更靠压电基板4侧。更为优选低声阻抗层3a、3c、3e、3g以及高声阻抗层3b、3d、3f在层叠方向被交替配置。此外，低声阻抗层3a、3c、3e、3g以及高声阻抗层3b、3d、3f的彼此的声阻抗的值满足高声阻抗层>低声阻抗层的关系即可，只要满足上述关系，材质可以是任意的。在本实施方式中，声多层膜3包含7层的声阻抗层。不过，在本专利技术中，声阻抗层的层叠数为至少4层以上即可。另外，声阻抗层的层叠数的上限没有特别限定，但期望设为20层左右。由于本专利技术的弹性波装置的声多层膜具有至少4层的声阻抗层，因此能够有效地封闭板波。以下，参照实验例1对此进行详细说明。在实验例1中，通过下述的条件制作1端口型的弹性波谐振器即弹性波装置1，例如激励S0模式的板波。支撑基板2...Si基板声多层膜3...层叠数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种弹性波装置，具备：支撑基板；声多层膜，被设置于所述支撑基板上；压电基板，被设置于所述声多层膜上；和IDT电极，被设置于所述压电基板上，所述压电基板的热膨胀系数的绝对值大于所述支撑基板的热膨胀系数的绝对值，所述声多层膜具有至少4层的声阻抗层，所述至少4层的声阻抗层包含至少1层的低声阻抗层、声阻抗高于该低声阻抗层的至少1层的高声阻抗层，所述弹性波装置还具备接合层，所述接合层被设置在从所述压电基板侧向所述支撑基板侧的第1层的所述声阻抗层中到第3层的所述声阻抗层与第4层的所述声阻抗层的界面为止的任意位置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.23 JP 2015-2088021.一种弹性波装置，具备：支撑基板；声多层膜，被设置于所述支撑基板上；压电基板，被设置于所述声多层膜上；和IDT电极，被设置于所述压电基板上，所述压电基板的热膨胀系数的绝对值大于所述支撑基板的热膨胀系数的绝对值，所述声多层膜具有至少4层的声阻抗层，所述至少4层的声阻抗层包含至少1层的低声阻抗层、声阻抗高于该低声阻抗层的至少1层的高声阻抗层，所述弹性波装置还具备接合层，所述接合层被设置在从所述压电基板侧向所述支撑基板侧的第1层的所述声阻抗层中到第3层的所述声阻抗层与第4层的所述声阻抗层的界面为止的任意位置。2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，所述接合层被设置在从所述压电基板侧向所述支撑基板侧的第1层至第3层的所述声阻抗层之中的任意的声阻抗层中。3.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：岸本谕卓，木村哲也，大村正志，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP