风扇装置制造方法及图纸

风扇装置具有电驱动旋转体的驱动电路，所述风扇装置包括：电驱动旋转体的驱动信号生成电路部；包括上级侧MOSFET以及下级侧MOSFET的输出级；以及由输出级驱动的马达部，该风扇装置还包括：反电动势供给部，在未对上级侧MOSFET以及下级侧MOSFET中的任一方的制动侧MOSFET和另一方的非制动侧MOSFET供给电驱动旋转体的电源电压的状态下，向制动侧MOSFET供给由通过马达部的旋转产生的反电动势生成的电力；以及电磁制动部，其通过反电动势供给部供给的电力，使制动侧MOSFET成为接通状态，进行马达部的电磁制动。

Fan device

The fan device has an electric drive circuit driven by an electrically driven rotating body. The fan device includes a driving signal generating circuit of an electrically driven rotating body; an output stage of a superior side MOSFET and a lower side MOSFET; and a motor unit driven by the output stage. The fan device also includes the back EMF supply unit, not on the superior side MO In the state of the brake side MOSFET in either side of the SFET and the lower side of the side MOSFET and the power supply voltage of the non brake side MOSFET supplied by the other side, the electric power generated by the reverse EMF generated by the rotation of the motor part is supplied to the brake side MOSFET, and the electromagnetic brake unit is supplied by the back EMF supply unit. The electric power makes the MOSFET of the brake side become the connection state, and carries out the electromagnetic braking of the motor part.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】风扇装置
本专利技术涉及风扇装置。
技术介绍
以往，已知有通过对因外力引起的马达的旋转进行制动而降低转速的技术(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本公开公报特开2013-188000号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，根据对比文件1中记载的技术，为了降低因外力产生的马达的转速，需要从外部供电，存在无法降低耗电之类的问题。本专利技术的一实施方式的目的在于，降低耗电，并且降低因外力引起的马达的转速。用于解决课题的手段本专利技术的一实施方式所涉及的风扇装置具有电动旋转体的驱动电路，风扇装置包括：电动旋转体的驱动信号生成电路部；输出级，其包括上级侧MOSFET以及下级侧MOSFET；以及马达部，其由所述输出级驱动，风扇装置还包括：反电动势供给部，在未对所述上级侧MOSFET以及下级侧MOSFET中的任一方的制动侧MOSFET和另一方的非制动侧MOSFET供给电动旋转体的电源电压的状态下，将由反电动势生成的电力供给至所述制动侧MOSFET供给，其中，所述反电动势是通过所述马达部的旋转而产生的；以及电磁制动部，其通过所述反电动势供给部供给的所述电力使所述制动侧MOSFET成为接通状态，进行所述马达部的电磁制动。专利技术效果根据本专利技术的一实施方式，能够降低耗电，并且能够降低因外力引起的马达的转速。附图说明图1是示出本专利技术的实施方式的图，是示出风扇装置的电路结构的一个例子的电路图。图2是示出驱动信号生成电路部生成的驱动信号的波形的一例的图。图3是示出切断电源电压的情况下的信号波形的一例的图。图4是示出风扇装置的反电动势供给路径的一例的图。图5是示出电源切断后的反电动势引起的电位变化的波形的一例的图。图6是示出不进行电源切断后的制动的情况下的马达部的转速的一例的曲线图。图7是示出进行电源切断后的制动的情况下的马达部的转速的一例的曲线图。具体实施方式[实施方式]以下，参照附图对本专利技术的风扇装置100实施方式进行说明。另外，本专利技术的范围并不限定于以下的实施方式，在本专利技术的技术思想的范围内能够任意地改变。图1是示出风扇装置100的电路结构的一例的电路图。风扇装置100包括调节器电路部1、驱动信号生成电路部2、晶体管3、4、晶体管13、14、马达部19、电容器20、二极管21以及输出级。输出级包括上级侧MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)15、16和下级侧MOSFET17、18。另外，在该一例中，对输出级是单相全桥电路的情况进行说明，但是并不限于此。例如，在马达部19是三相马达的情况下，输出级也可以是三相全桥电路。当供给电源电压V时，若输出级中的上级侧MOSFET15以及下级侧MOSFET18分别为接通状态，上级侧MOSFET16以及下级侧MOSFET17分别为关断状态，则向马达部19供给驱动电流id1。并且，当供给电源电压V时，若输出级中的上级侧MOSFET15以及下级侧MOSFET18分别为关断状态，上级侧MOSFET16以及下级侧MOSFET17分别为接通状态，则向马达部19供给驱动电流id2。上级侧MOSFET15、16是P沟道MOSFET，若H(高)电平的信号供给到栅极端子，则成为关断状态，若L(低)电平的信号供给到栅极端子，则成为接通状态。下级侧MOSFET17、18是N沟道MOSFET，若H电平的信号供给到栅极端子，则成为接通状态，若L电平的信号供给到栅极端子，则成为关断状态。另外，在以下说明中，有时将下级侧MOSFET17、18记载为制动侧MOSFET，将上级侧MOSFET15、16记载为非制动侧MOSFET。调节器电路部1从供给到风扇装置100的电源电压V生成驱动信号生成电路部2的控制用电源电压A。驱动信号生成电路部2根据从调节器电路部1供给的控制用电源电压A，分别生成驱动输出级的驱动信号B、C、D、E。驱动信号生成电路部2包括电源电压监视电路部2-1。电源电压监视电路部2-1检测是否被供给电源电压V。具体地说，电源电压监视电路部2-1监视电源电压V的电位，将电源电压V的下降通知给驱动信号生成电路部2。若电源电压监视电路部2-1检测出电源电压V的下降，则驱动信号生成电路部2停止输出驱动信号B、C、D、E。具体地说，在电源电压V为某一电位以下的情况下，驱动信号生成电路部2将驱动信号B、C、D、E设为Hi-Z(高阻抗)状态。晶体管3驱动上级侧MOSFET15。具体地说，晶体管3是NPN型晶体管。晶体管3的基极端子与驱动信号生成电路部2连接，集电极端子经由电阻5与上级侧MOSFET15的栅极端子连接，发射极端子与电源电压V的接地侧、即接地电位GND连接。若从驱动信号生成电路部2向基极端子供给H电平的驱动信号B，则晶体管3成为接通状态，使上级侧MOSFET15的栅极端子成为L电平。并且，若从驱动信号生成电路部2向基极端子供给L电平的驱动信号B，则晶体管3成为关断状态，通过经由电阻7供给的电源电压V使上级侧MOSFET15的栅极端子成为H电平。晶体管4通过从驱动信号生成电路部2供给的驱动信号C驱动上级侧MOSFET16。晶体管4的具体例与晶体管3相同，因此省略其说明。晶体管13通过从驱动信号生成电路部2供给的驱动信号D驱动下级侧MOSFET17。具体地说，晶体管13是NPN型数字晶体管。晶体管13的基极端子与驱动信号生成电路部2连接，集电极端子经由电阻10与下级侧MOSFET17的栅极端子连接，发射极端子与接地电位GND连接。若从驱动信号生成电路部2向基极端子供给H电平的驱动信号D，则晶体管13成为接通状态，使下级侧MOSFET17的栅极端子成为L电平。并且，若从驱动信号生成电路部2向基极端子供给L电平的驱动信号D，则晶体管13成为关断状态，通过经由二极管21以及电阻9供给的控制用电源电压A使下级侧MOSFET17的栅极端子成为H电平。晶体管14通过从驱动信号生成电路部2供给的驱动信号E驱动下级侧MOSFET18。晶体管14的具体例与晶体管13相同，因此省略其说明。电容器20连接于电源电压V与接地电位GND之间，使电源电压V稳定化。马达部19通过从输出级供给的驱动电流id1、id2使未图示的风扇旋转。通过风扇利用空气流等外力而旋转，在马达部19产生反电动势。通过马达部19的反电动势产生的电流经由上级侧MOSFET15、16、即非制动侧MOSFET的寄生二极管流入到电源电压V。接下来，参照图2对驱动信号生成电路部2生成的驱动信号的一例进行说明。图2是示出驱动信号生成电路部2生成的驱动信号的波形的一例的图。在该一例中，如图2的波形WV所示，在时刻t0至时刻t7期间，供给电源电压V，在时刻t7以后，切断电源电压V。作为一例，电源电压V是54[V]。如图2的波形WA所示，控制用电源电压A按照电源电压V的供给和切断而在时刻t0至时刻t7期间成为工作电位，在时刻t7以后成为停止电位。作为一例，控制用电源电压A的工作电位是12[V]。作为一例，控制用电源电压A的停止电位是0[V]。将驱动信号B、C、D、E的波形WB、WC、WD、WE分别示于图2中。驱动信号B、C、D、E按照驱动信号生成电路部2的控制而被切换为H电平和L电平。在该一例中，在驱动信号B是H电平时，驱动信号C是L电平，驱动信号D是H电平本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种风扇装置，其具有电动旋转体的驱动电路，所述风扇装置包括：电动旋转体的驱动信号生成电路部；输出级，其包括上级侧MOSFET以及下级侧MOSFET；以及马达部，其由所述输出级驱动，其中，所述风扇装置还包括：反电动势供给部，在未对所述上级侧MOSFET以及下级侧MOSFET中的任一方的制动侧MOSFET和另一方的非制动侧MOSFET供给电动旋转体的电源电压的状态下，将由反电动势生成的电力供给至所述制动侧MOSFET，其中，该反电动势是通过所述马达部的旋转而产生的；以及电磁制动部，其通过所述反电动势供给部供给的所述电力，使所述制动侧MOSFET成为接通状态，进行所述马达部的电磁制动。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.02 JP 2015-1727131.一种风扇装置，其具有电动旋转体的驱动电路，所述风扇装置包括：电动旋转体的驱动信号生成电路部；输出级，其包括上级侧MOSFET以及下级侧MOSFET；以及马达部，其由所述输出级驱动，其中，所述风扇装置还包括：反电动势供给部，在未对所述上级侧MOSFET以及下级侧MOSFET中的任一方的制动侧MOSFET和另一方的非制动侧MOSFET供给电动旋转体的电源电压的状态下，将由反电动势生成的电力供给至所述制动侧MOSFET，其中，该反电动势是通过所述马达部的旋转而产生的；以及电磁制动部，其通过所述反电动势供给部供给的所述电力，使所述制动侧MOSFET成为接通状态，进行所述马达部的电磁制动。2.根据权利要求1所述的风扇装置，其中，还包括：电源电压监视电路部，其检测是否被供给了所述电源电压；控制用电源电压生成部，其从所述电源电压生成控制用电源电压；二极管，其位于所述控制用电源电压生成部的电源输出端子与所述制动侧MOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：大塚基，
申请(专利权)人：日本电产伺服有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP