光电转换元件及其制造方法技术

光电转换元件(1)具有设在第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间的斥液层(16)。斥液层(16)并未设在除第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间以外的第一非晶质半导体层(13)与第二非晶质半导体层(15)之间。因此，可提供半导体层(13)被高精度地图案化的光电转换元件(1)。

Photoelectric conversion element and its manufacturing method

The photoelectric conversion element (1) has a repellent layer (16) between the edge of the first amorphous semiconductor layer (13) and the edge of the second amorphous semiconductor layer (15). The repulsion layer (16) is not located between the first amorphous semiconductor layer (13) and the second amorphous semiconductor layer (15) other than the edge part of the first amorphous semiconductor layer (13) and the second amorphous semiconductor layer (15). Therefore, a semiconductor conversion layer (13) that can be converted to a high accuracy map can be provided by the semiconductor layer (1).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电转换元件及其制造方法
本申请案主张2015年9月16日申请的特愿2015-182713号的优先权的利益，且以参照的方式将其全部内容引用在本文中。本专利技术的一个方式涉及一种光电转换元件及其制造方法。
技术介绍
关于将太阳光等光能转换为电能的光电转换元件，近年来，从地球环境问题的观点出发，很期待其作为新能源。已知有为了提升光能转换为电能的效率，具有在光入射面相反侧的半导体基板的背面形成有电极、p型半导体层及n型半导体层的异质结背接触结构的光电转换元件(例如参照专利文献1)。专利文献1中记载有一种光电转换元件的制造方法，其具有使用蚀刻膏将形成在基板背面的p型半导体层与n型半导体层图案化的步骤。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2013-239476号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题并且，例如，若对p型半导体层上施加蚀刻膏，则蚀刻膏会在p型半导体层上润湿扩散。因此，难以高精度地使p型半导体层图案化。本专利技术的一个方式是鉴于所述问题而完成的，其目的在于提供使半导体层高精度地图案化的光电转换元件及其制造方法。解决问题的手段本专利技术的第一方式的光电转换元件具有：半导体基板，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电转换元件，其特征在于，具有：半导体基板，其具有第一表面及所述第一表面的相反侧的第二表面；第一非晶质半导体层，其设在所述第二表面上，且具有第一导电型；及第二非晶质半导体层，其设在所述第二表面上，且具有不同于所述第一导电型的第二导电型；所述第二非晶质半导体层的缘部位于所述第一非晶质半导体层的缘部上，此外，还具有设在所述第一非晶质半导体层的所述缘部与所述第二非晶质半导体层的所述缘部之间的斥液层，所述斥液层并未设在除所述第一非晶质半导体层的所述缘部与所述第二非晶质半导体层的所述缘部之间以外的所述第一非晶质半导体层与所述第二非晶质半导体层之间，此外，还具有：第一电极，其设在所述第二表面上，且与所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.16 JP 2015-1827131.一种光电转换元件，其特征在于，具有：半导体基板，其具有第一表面及所述第一表面的相反侧的第二表面；第一非晶质半导体层，其设在所述第二表面上，且具有第一导电型；及第二非晶质半导体层，其设在所述第二表面上，且具有不同于所述第一导电型的第二导电型；所述第二非晶质半导体层的缘部位于所述第一非晶质半导体层的缘部上，此外，还具有设在所述第一非晶质半导体层的所述缘部与所述第二非晶质半导体层的所述缘部之间的斥液层，所述斥液层并未设在除所述第一非晶质半导体层的所述缘部与所述第二非晶质半导体层的所述缘部之间以外的所述第一非晶质半导体层与所述第二非晶质半导体层之间，此外，还具有：第一电极，其设在所述第二表面上，且与所述第一非晶质半导体层电连接；及第二电极，其设在所述第二表面上，且与所述第二非晶质半导体层电连接。2.一种光电转换元件，其特征在于，具有：半导体基板，其具有第一表面及所述第一表面的相反侧的第二表面；p型第一非晶质半导体层，其设在所述第二表面上；及n型第二非晶质半导体层，其设在所述第二表面上；所述第二非晶质半导体层的缘部位于所述第一非晶质半导体层的缘部上，此外，还具有设在所述第一非晶质半导体层的所述缘部与所述第二非晶质半导体层的所述缘部之间的n型半导体层，所述n型半导体层并未设在除所述第一非晶质半导体层的所述缘部与所述第二非晶质半导体层的所述缘部之间以外的所述第一非晶质半导体层与所述第二非晶质半导体层之间，此外，还具有：第一电极，其设在所述第二表面上，且与所述第一非晶质半导体层电连接；及第二电极，其设在所述第二表面上，且与所述第二非晶质半导体层电连接。3.一种光电转换元件，其特征在于，具有：半导体基板，其具有第一表面及所述第一表面的相反侧的第二表面；第一非晶质半导体层，其设在所述第二表面上，且具有第一导电型；及第二非晶质半导体层，其设在所述第二表面上，且具有不同于所述第一导电型的第二导电型；所述第二非晶质半导体层的缘部位于所述第一非晶质半导体层的缘部上，此外，还具有设在所述第一非晶质半导体层的所述缘部与所述第二非晶质半导体层的所述缘部之间的i型半导体层，所述i型半导体层并未设在除所述第一非晶质半导体层的所述缘部与所述第二非晶质半导体层的所述缘部之间以外的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：森健史，松本雄太，钱谷嘉高，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP