【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种光电转换元件,包括:第一导电型的半导体基板;i型非单晶膜,设置在所述半导体基板的一个表面的整个面;第一导电型非单晶膜,设置在所述i型非单晶膜的一部分的表面上;第二导电型非单晶膜,设置在所述i型非单晶膜的其他的一部分的表面上;第一导电型用电极,设置在所述第一导电型非单晶膜上;以及第二导电型用电极,设置在所述第二导电型非单晶膜上,所述半导体基板和所述i型非单晶膜的界面是平坦的。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:山元良高,小出直城,
申请(专利权)人:夏普株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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