光电转换元件制造技术
Photoelectric conversion element, solar cell module including the photoelectric conversion element and solar photovoltaic power generation system
The invention provides a photoelectric conversion element and a photoelectric conversion module which can inhibit the diffusion of boron and improve conversion efficiency. The photoelectric conversion element (10) includes: a semiconductor substrate (1); an intrinsic amorphous semiconductor layer (3) formed on the semiconductor substrate (1); a n amorphous semiconductor layer (4) containing phosphorus as a dopant on the intrinsic amorphous semiconductor layer (3); and a package formed adjacent to the n amorphous semiconductor layer (4) in the direction of the surface. P amorphous semiconductor layer (5) containing boron as dopant. The N amorphous semiconductor layer (4) has a film thickness reduction region TD (n) in the mask adjacent to the P amorphous semiconductor layer (5), and the P amorphous semiconductor layer (5) in the mask adjacent to the N amorphous semiconductor layer (4) has a film thickness reduction region TD (P). The slant angle of the film thickness reduction region TD (P) in the P amorphous semiconductor layer (5) is steeper than that of the N amorphous semiconductor layer (4), which reduces the slope angle of the region TD (n).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电转换元件、包括该光电转换元件的太阳能电池模块及太阳光发电系统
本专利技术涉及光电转换元件、包括该光电转换元件的太阳能电池模块及太阳光发电系统。
技术介绍
以往，已知使本征(i型)的非晶硅介于n型的结晶硅基板和p型的非晶硅层之间，降低界面处的缺陷，使异质结界面处的特性改善的光电转换装置。该光电转换装置被称为异质结型太阳能电池。国际公开第2013/133005号册子中，公开了在受光面的相反侧的背面形成有n型非晶态半导体层及p型非晶态半导体层，并在n型非晶态半导体层及p型非晶态半导体层上分别形成有n电极和p电极的异质结型太阳能电池(以下，称为背面异质结型太阳能电池)。
技术实现思路
在背面异质结型太阳能电池的制作中，有使用金属掩模等荫罩(Shadowmask)，通过化学气相沉积法，在本征非晶态半导体层上形成n型非晶态半导体层及p型非晶态半导体层的情况。这种情况中，在形成p型非晶态半导体层时作为掺杂物使用的硼容易绕进荫罩的开口部以外的区域。因此，硼扩散到n型非晶态半导体层与p型非晶态半导体层之间的间隙区域。由于硼扩散到间隙区域，因而在本征非晶态半导体层中将悬空键封端的氢原...
【技术保护点】
一种光电转换元件，其特征在于，包括：半导体基板；n型非晶态半导体层，其形成于所述半导体基板上，并包含磷作为掺杂物；以及p型非晶态半导体层，其在所述半导体基板上的面内方向上与所述n型非晶态半导体层相邻地形成，并包含硼作为掺杂物，当在所述半导体基板上成膜的一薄膜上，将膜厚最大的点设为第一点，将在该一薄膜的面内方向上该薄膜的膜厚的减少率从第一减少率变化到大于所述第一减少率的第二减少率的点、或者在该一薄膜的面内方向上该一薄膜的膜厚的变化率的符号从负变化到正的点设为第二点，并将该一薄膜的面内方向上从所述第一点到所述第二点的区域定义为膜厚减少区域时，所述n型非晶态半导体层在与所述p型非...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.14 JP 2015-1804101.一种光电转换元件，其特征在于，包括：半导体基板；n型非晶态半导体层，其形成于所述半导体基板上，并包含磷作为掺杂物；以及p型非晶态半导体层，其在所述半导体基板上的面内方向上与所述n型非晶态半导体层相邻地形成，并包含硼作为掺杂物，当在所述半导体基板上成膜的一薄膜上，将膜厚最大的点设为第一点，将在该一薄膜的面内方向上该薄膜的膜厚的减少率从第一减少率变化到大于所述第一减少率的第二减少率的点、或者在该一薄膜的面内方向上该一薄膜的膜厚的变化率的符号从负变化到正的点设为第二点，并将该一薄膜的面内方向上从所述第一点到所述第二点的区域定义为膜厚减少区域时，所述n型非晶态半导体层在与所述p型非晶态半导体层相邻的面具有所述膜厚减少区域，所述p型非晶态半导体层在与所述n型非晶态半导体层相邻的面具有所述膜厚减少区域，所述p型非晶态半导体层的所述膜厚减少区域的倾斜角度比所述n型非晶态半导体层的所述膜厚减少区域的倾斜角度更陡峭。2.如权利要求1所述的光电转换元件，其特征在于，相...
【专利技术属性】
技术研发人员：国吉督章，东贤一，神川刚，原田真臣，酒井敏彦，辻埜和也，邹柳民，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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