晶体硅太阳能电池的制造方法、及太阳能电池模块的制造方法技术

本发明专利技术的制造方法依次具有如下工序：在单晶硅基板(1)的表面上形成纹理的工序；利用臭氧清洗单晶硅基板的表面的工序；在单晶硅基板的纹理上制膜本征硅层(2)的工序；在本征硅层上制膜导电型硅层(3)的工序。制膜本征硅层前的单晶硅基板(1)的纹理大小低于5μm。优选纹理凹部的曲率半径低于5nm。制膜本征硅层的至少一部分之后、制膜导电型硅层之前，在以氢气为主成分的气体氛围中，对本征硅层进行等离子体处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶体硅太阳能电池的制造方法、及太阳能电池模块的制造方法
本专利技术涉及晶体硅太阳能电池的制造方法、及太阳能电池模块的制造方法及。
技术介绍
在单晶硅基板的表面上具备具有与单晶硅不同的带隙的导电型非晶硅层的晶体硅太阳能电池称为异质结太阳能电池。在异质结太阳能电池中，在导电型非晶硅层和单晶硅基板之间具有本征的非晶硅层的电池作为光电转换效率最高的晶体硅太阳能电池的一种形态被大家熟知。在异质结太阳能电池等晶体硅太阳能电池中，通常在结晶硅基板的表面上形成有被称为纹理的角锥状(金字塔状)的凹凸结构。如果在基板表面形成有纹理，则射入结晶硅基板的光被散射，因此，结晶硅基板内的光路长度变大，太阳能电池的电流密度提高。在结晶硅基板表面形成纹理之后、在结晶硅基板上形成非晶硅层之前，进行以调整纹理形状及清洗表面为目的的处理。例如，专利文献1及专利文献2中公开了如下内容：通过各向异性蚀刻在结晶硅基板表面上形成金字塔状之后、进行表面清洗处理之前，在碱或氧化性水溶液中浸渍，由此，对基板表面进行各向同性蚀刻，除去纹理的尖锐部分并使谷部分(凹部)圆形化。另外，在专利文献2中，作为形成纹理后的硅基板的清洗方法，提出在臭本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池的制造方法，该晶体硅太阳能电池在单晶硅基板的一主面上依次具有本征硅层、导电型硅层及透明导电层，所述制造方法依次具有如下工序：在所述单晶硅基板表面形成纹理的工序；利用臭氧清洗所述单晶硅基板表面的工序；在所述单晶硅基板的所述纹理上制膜所述本征硅层的工序；在所述本征硅层上制膜所述导电型硅层的工序，其中，制膜所述本征硅层之前，所述纹理的凹部的曲率半径低于5nm，且所述纹理的大小低于5μm，制膜所述本征硅层的至少一部分之后、制膜所述导电型硅层之前，在以氢气为主成分的气体氛围中，对所述本征硅层进行等离子体处理。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.30 JP 2014-2024301.一种晶体硅太阳能电池的制造方法，该晶体硅太阳能电池在单晶硅基板的一主面上依次具有本征硅层、导电型硅层及透明导电层，所述制造方法依次具有如下工序：在所述单晶硅基板表面形成纹理的工序；利用臭氧清洗所述单晶硅基板表面的工序；在所述单晶硅基板的所述纹理上制膜所述本征硅层的工序；在所述本征硅层上制膜所述导电型硅层的工序，其中，制膜所述本征硅层之前，所述纹理的凹部的曲率半径低于5nm，且所述纹理的大小低于5μm，制膜所述本征硅层的至少一部分之后、制膜所述导电型硅层之前，在以氢气为主成分的气体氛围中，对所述本征硅层进行等离子体处理。2.一种晶体硅太阳能电池的制造方法，该晶体硅太阳能电池...

【专利技术属性】
技术研发人员：宇都俊彦，足立大辅，
申请(专利权)人：株式会社钟化，
类型：发明
国别省市：日本,JP