太阳能电池及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种太阳能电池，其具备P型硅基板，所述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在所述背面上具备电介质膜，并且，所述P型硅基板在所述受光面的至少一部分具有N型导电型层，所述太阳能电池的特征在于，所述P型硅基板为掺有镓的硅基板，在所述P型硅基板的所述背面含有扩散的第III族元素。由此，本发明专利技术提供一种太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池具备掺镓基板且转换效率优异。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池及其制造方法
本专利技术涉及一种太阳能电池及其制造方法。
技术介绍
太阳能电池用半导体基板通常利用提拉法(Czochraskimethod，CZ法)制造，所述CZ法可以用相对低的成本来制造大直径的单晶。例如，根据利用CZ法制作掺有硼的硅单晶，并将此单晶切成薄片，可以获得P型半导体基板。如此获得的掺有硼的硅基板存在以下问题：由于基板中存在的硼与氧所造成的影响，当太阳能电池受到强光照射后，寿命会下降并产生光劣化。为了解决此种光劣化的问题，在专利文献1中，提出使用镓来代替硼作为P型掺杂剂。此处，作为太阳能电池的背面结构，可以列举具有背面场(BackSurfaceField，BSF)区域的结构。根据将铝浆印刷到基板的背面的几乎整个区域并进行烧制，可以在背面的几乎整个面提供BSF区域。此外，为了进一步提高效率，还有以下结构，所述结构使基板与背面的电极的接触区域为部分区域，并利用作为钝化膜发挥作用的电介质膜(dielectricfilm)来保护大部分的背面。这些太阳能电池结构被称作钝化发射极背面接触太阳能电池(PassivatedEmitterandRearContactSolarCe本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，其具备P型硅基板，所述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在所述背面上具备电介质膜，并且，所述P型硅基板在所述受光面的至少一部分具有N型导电型层，所述太阳能电池的特征在于，所述P型硅基板为掺有镓的硅基板，在所述P型硅基板的所述背面含有扩散的第III族元素。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.05 JP 2014-2256131.一种太阳能电池，其具备P型硅基板，所述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在所述背面上具备电介质膜，并且，所述P型硅基板在所述受光面的至少一部分具有N型导电型层，所述太阳能电池的特征在于，所述P型硅基板为掺有镓的硅基板，在所述P型硅基板的所述背面含有扩散的第III族元素。2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述背面中的所述第III族元素的扩散表面浓度为5.0×1017atom/cm3以上且2....

【专利技术属性】
技术研发人员：大塚宽之，渡部武纪，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP