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本发明的制造方法依次具有如下工序：在单晶硅基板(1)的表面上形成纹理的工序；利用臭氧清洗单晶硅基板的表面的工序；在单晶硅基板的纹理上制膜本征硅层(2)的工序；在本征硅层上制膜导电型硅层(3)的工序。制膜本征硅层前的单晶硅基板(1)的纹理大小...
该专利属于株式会社钟化所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社钟化授权不得商用。

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