光电变换装置制造方法及图纸

具备p/n结合的两个半导体层(7A、7B)作为光电变换层(1)，两个半导体层(7A、7B)当中至少一方的半导体层(7A、7B)是量子点集成膜(11)，并且该量子点集成膜(11)具备能级不同的两层以上的量子点层(7A、7B)。在量子点集成膜(11)是p型时，在靠近p/n结面(8)的一方配置有价电子带的能级BV与费米能级Ef之差大的量子点层(7A)。

Photoelectric conversion device

Two semiconductor layers (7A, 7B) with p/n binding are used as the photoelectric conversion layer (1), and the semiconductor layer (7A, 7B) of at least one of the two semiconductor layers (7A, 7B) is a quantum dot integration film (11), and the quantum dot integration membrane (11) has a quantum dot layer (7A, 7B) on the two layers of the energy level. When the quantum dot integrated film (11) is p, the quantum dot layer (7A) of the energy level BV and the Fermi level Ef of the valence electron band near the p/n junction (8) is configured.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电变换装置
本公开涉及光电变换装置。
技术介绍
作为节能且节约资源、绿色的能量源，太阳能电池的开发正在盛行。太阳能电池等光电变换装置是利用光生伏特效应(photovolaticeffect)将光能直接变换成电力的电力设备。近年来，出于理论上能达到60％以上的变换效率这样的期待，作为下一代光电变换装置，研讨了将集成了半导体性的纳米粒子(量子点)的集成膜用作光电变换层的光电变换装置(例如参考专利文献1～4)。然而，到目前此为止公开的光电变换装置如从上述的专利文献1～4的示例可知的那样，是光电变换层被相同形状的量子点占据的结构。在先技术文献专利文献专利文献1：JP特开2013-229378号公报专利文献2：JP特开2011-249579号公报专利文献3：JP特开2011-121862号公报专利文献4：国际公开第2010/089892号
技术实现思路
本公开的见解在于，对构成光电变换层的半导体层所含的量子点的能带结构进行控制，使光电变换层内的能级带有变化，从而能提升所生成的载流子(电子e、空穴h)的迁移率。其构成是，具备p/n结合的两个半导体层作为光电变换层，所述两个半导体层当中至少一方的所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电变换装置，其特征在于，具备p/n结合的两个半导体层作为光电变换层，所述两个半导体层当中至少一方的所述半导体层是量子点集成膜，并且该量子点集成膜具备能级不同的两层以上的量子点层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.28 JP 2015-1692941.一种光电变换装置，其特征在于，具备p/n结合的两个半导体层作为光电变换层，所述两个半导体层当中至少一方的所述半导体层是量子点集成膜，并且该量子点集成膜具备能级不同的两层以上的量子点层。2.根据权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于，在所述量子点集成膜是p型时，在靠近所述p/n结合的面的一方配置有价电子带的能级BV与费米能级Ef之差大的量子点层。3.根据权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于，在所述量子点集成膜是n型时，在靠近所述p/n结合的面的一方配置有传导带的能级BC与费米能级Ef之差...

【专利技术属性】
技术研发人员：仲山彻，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP