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光电变换装置制造方法及图纸
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文档序号:17961525
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具备p/n结合的两个半导体层(7A、7B)作为光电变换层(1),两个半导体层(7A、7B)当中至少一方的半导体层(7A、7B)是量子点集成膜(11),并且该量子点集成膜(11)具备能级不同的两层以上的量子点层(7A、7B)。在量子点集成膜(...
该专利属于京瓷株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过京瓷株式会社授权不得商用。
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