【技术实现步骤摘要】
一种雪崩光电二极管
本技术涉及一种半导体光学器件
,特别是一种雪崩光电二极管。
技术介绍
随着社会和科技的发展进步,人工智能和智能家居已经成为社会发展的主流趋势。而这些技术的发展都离不开先进的各式各样的传感器。光电探测器,作为传感器的一个至为关键的单元,受到了研究人员的广泛关注。雪崩二极管光电探测器(APD)具有高内部增益、高量子效率、高灵敏度等优点,是目前主流的光电探测器之一。然而,目前的APD中的倍增层大多是通过外延的方法获得的,其晶体质量还需要进一步提高(通常X-rayRockingCurve的半峰宽大于150arcsec,要远远大于提拉法制备的50arcsec),才能达到较为理想的倍增效果。为了改善APD的器件性能,在吸收层InGaAs与InP之间往往需要插入InP电荷控制层和InGaAsP过渡层。此外,为了获得较好质量的吸收层InGaAs,在InP衬底上还需要先生长一层较厚的InP缓冲层。因此,为了获得高质量APD,简化APD的结构、提高吸收层InGaAs和倍增层的质量成为了研究人员努力方向。
技术实现思路
为解决上述问题,本技术的目的在于提供一种结构简单、性能优异的雪崩光电二极管。本技术解决其问题所采用的技术方案是:一种雪崩光电二极管,其特征在于,包括:由上至下依次排列的N型重掺杂层、倍增层单晶衬底、金属键合层、吸收层InGaAs单晶衬底、P型重掺杂InGaAs层。该雪崩光电二极管通过金属键合层将倍增层单晶衬底和吸收层InGaAs单晶衬底键合在一起,无需进行外延,简化了雪崩光电二极管的结构,极大地缩短了生产时间,有利于大幅度降低生产成本,同时金属 ...
【技术保护点】
一种雪崩光电二极管,其特征在于,包括:由上至下依次排列的N型重掺杂层(15)、倍增层单晶衬底(14)、金属键合层(13)、吸收层InGaAs单晶衬底(12)、P型重掺杂InGaAs层(11)。
【技术特征摘要】
1.一种雪崩光电二极管,其特征在于,包括:由上至下依次排列的N型重掺杂层(15)、倍增层单晶衬底(14)、金属键合层(13)、吸收层InGaAs单晶衬底(12)、P型重掺杂InGaAs层(11)。2.根据权利要求1所述的一种雪崩光电二极管,其特征在于:所述倍增层单晶衬底(14)和吸收层InGaAs单晶衬底(12)都是通过提拉法或者区熔法制备的。3.根据权利要求1所述的一种雪崩光电二极管,其特征在于:所述倍增层单晶衬底(14)的材料为Si、InP或者InAlAs。4.根据权利要求1所述的一种雪崩光电二极管,其特征在于:...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨为家,吴质朴,何畏,陈强,
申请(专利权)人:江门市奥伦德光电有限公司,五邑大学,
类型:新型
国别省市:广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。