一种双端面光纤阵列制造技术

技术编号:17945285 阅读:46 留言:0更新日期:2018-05-16 00:08
本实用新型专利技术公开了一种双端面光纤阵列,包括型槽基板、盖板以及夹紧于型槽基板与盖板之间的裸光纤带;型槽基板、盖板以及裸光纤带构成的整体的一端形成朝向内侧倾斜42°~48°的第一斜面,型槽基板、盖板以及裸光纤带构成的整体的另一端形成朝向内侧倾斜6°~10°的第二斜面,裸光纤带分别延伸至第一斜面和第二斜面的表面上;以上双端面光纤阵列将用于与VCSEL耦合的光纤阵列和与AWG耦合的光纤阵列结合为一个整体,相对于传统的结合方式结构更紧凑,占用空间小,有利于光模块的小型化封装,避免了光纤外露受损,同时避免了光纤受到弯曲应力的作用,使得光纤阵列的可靠性更高。

A double end fiber array

The utility model discloses a double end fiber array, which includes a groove substrate, a cover plate and a bare fiber band clamped between the groove substrate and the cover plate, and a first inclined plane, a groove substrate, a cover plate and a bare fiber band, is formed on the whole end of the groove substrate, the cover plate and the bare fiber band. The other end of the whole is formed at the other end of the second slope of 6 to 10 degrees on the inside, and the bare fiber band extends to the surface of the first and second slopes, respectively. The above double end fiber array will be used to combine the VCSEL coupled fiber array and the AWG coupled fiber array into a whole, relative to the traditional binding mode. The compact structure and small space are beneficial to the compact package of the optical module, which avoids the damage of fiber exposure and avoids the bending stress of the optical fiber, which makes the reliability of the optical fiber array higher.

【技术实现步骤摘要】
一种双端面光纤阵列
本技术涉及光纤通信领域,更具体地说,涉及一种用于与VCSEL芯片以及AWG耦合的双端面光纤阵列。
技术介绍
随着高速光模块技术的发展,使用光学平面为45°的光纤阵列与VCSEL芯片进行耦合是一种常见的技术方案。其技术原理是利用了全反射原理,将光纤的端面研磨成约为45°,从VCSEL芯片发出的激光,通过该端面的反射,光束偏转90°进入光纤的纤芯进行传输,实现光发射的功能。另外,在AWG的高速光模块中,需要将光纤阵列做出倾角约为8°的光学平面,该光纤阵列与AWG耦合连接,实现合波功能。在使用过程中,经常需要将光学平面约为45°的光纤阵列与光学平面约为8°的光纤阵列结合,首先由光学平面约为45°的光纤阵列这端接收不同波长的VCSEL激光信号,另一端光学平面约为8°的光纤阵列与AWG耦合连接,通过AWG实现合波功能。目前在结合两者的做法是在与VCSEL耦合的光纤阵列和与AWG耦合的光纤阵列之间连接一段光纤带,但是以上结构的两个光纤阵列的结合相对于光模块来说其整体尺寸偏长,不利于光模块的小型化封装,同时在实际制造过程中,光纤的长度难以精确控制,如光纤偏短,则无法将FA-MT组件安装入模块内,反之,如光纤过长,但光纤总处于过度弯曲的受应力状态,甚至无法安装。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足,本技术提供一种结构紧凑、并且与VCSEL芯片耦合的光纤阵列和与AWG耦合的光纤阵列一体化设置的双端面光纤阵列。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种双端面光纤阵列,包括型槽基板、盖板以及夹紧于所述型槽基板与所述盖板之间的裸光纤带;所述型槽基板上并排设置有多个用于容置裸光纤带的型槽,所述型槽基板、盖板以及裸光纤带构成的整体的一端形成朝向内侧倾斜42°~48°的第一斜面,型槽基板、盖板以及裸光纤带构成的整体的另一端形成朝向内侧倾斜6°~10°的第二斜面,所述裸光纤带分别延伸至第一斜面和第二斜面的表面上。所述型槽、所述盖板及所述裸光纤带之间通过粘结剂固定。所述粘结剂为紫外线固化型树脂或者热固化型树脂。优选地,所述第一斜面的倾角为45°,第二斜面的倾角为8°。优选地,所述型槽基板、盖板皆由玻璃材质构成,所述型槽为V型。本技术的有益效果是:以上结构的双端面光纤阵列,将用于与VCSEL芯片耦合的光纤阵列和与AWG耦合的光纤阵列结合为一个整体,相对于传统的结合方式,其结构紧凑,占用空间小,有利于光模块的小型化封装,裸光纤带设置在型槽基板与盖板组合的整体的内部,避免了光纤外露受损,同时避免了光纤受到弯曲应力的作用,使得光纤阵列的可靠性更高。附图说明下面结合附图和实施例对本技术进一步说明:图1是本技术的结构示意图;图2是本技术另一视角的结构示意图;图3是本技术的结构分解示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明,但是,需要说明的是,对以下实施方式的说明是示意性的,并不构成对本技术的具体限定。参照图1至图3,一种双端面光纤阵列,包括型槽基板1、盖板2以及夹紧于所述型槽基板1与所述盖板2之间的裸光纤带3;所述型槽基板1上并排设置有多个用于容置裸光纤带3的型槽11,所述型槽基板1、盖板2以及裸光纤带3构成的整体的一端形成朝向内侧倾斜42°~48°的第一斜面4,型槽基板1、盖板2以及裸光纤带3构成的整体的另一端形成朝向内侧倾斜6°~10°的第二斜面5,所述裸光纤带3分别延伸至第一斜面4和第二斜面5的表面上。以上结构的双端面光纤阵列,将用于与VCSEL耦合的光纤阵列和与AWG耦合的光纤阵列结合为一个整体,相对于传统的结合方式,其结构紧凑,占用空间小,有利于光模块的小型化封装,裸光纤带3设置在型槽基板1与盖板2组合的整体的内部,避免了光纤外露受损,同时避免了光纤受到弯曲应力的作用,使得光纤阵列的可靠性更高;所述型槽11、所述盖板2及所述裸光纤带3之间通过粘结剂固定。使用粘结剂固定相对其他固定结构更加便利,优选地,型槽基板1与盖板2相互贴合的两个表面上分别对应设置有定位凸起和定位凹槽,使得两者的贴合更加准确。其中,所述粘结剂为紫外线固化型树脂或者热固化型树脂。在本实施例中,粘结剂为紫外线固化型树脂。优选地,所述第一斜面4的倾角为45°,第二斜面5的倾角为8°,该双端面光纤阵列的第一斜面的光纤阵列这端接收不同波长的VCSEL激光信号,第二斜面5的光纤阵列与AWG耦合连接,通过AWG实现合波功能。所述型槽基板1、盖板2皆由玻璃材质构成,所述型槽11为V型,V型的型槽11有利于在粘结剂固化的过程中裸光纤带3不会发生相对移动。一种制造上述的双端面光纤阵列的方法,包括以下步骤:制作长条形的盖板2以及带有型槽11的型槽基板1;将光纤带剥离漆包外皮形成裸光纤带3;将裸光纤带3放入型槽11中,将盖板2放置于型槽基板1上,在型槽11、裸光纤带3和盖板2之间填充粘结剂;对由型槽基板1、盖板2、裸光纤带3组成的整体的两个端面分别进行研磨,形成第一斜面4和第二斜面5。该制造方法的工艺流程非常简易,生产效率较高,生产成本较低。以上对本技术的较佳实施进行了具体说明,当然,本技术还可以采用与上述实施方式不同的形式,熟悉本领域的技术人员在不违背本技术精神的前提下所作的等同的变换或相应的改动,都应该属于本技术的保护范围内。本文档来自技高网...
一种双端面光纤阵列

【技术保护点】
一种双端面光纤阵列,其特征在于,包括型槽基板(1)、盖板(2)以及夹紧于所述型槽基板(1)与所述盖板(2)之间的裸光纤带(3);所述型槽基板(1)上并排设置有多个用于容置裸光纤带(3)的型槽(11),所述型槽基板(1)、盖板(2)以及裸光纤带(3)构成的整体的一端形成朝向内侧倾斜42°~48°的第一斜面(4),型槽基板(1)、盖板(2)以及裸光纤带(3)构成的整体的另一端形成朝向内侧倾斜6°~10°的第二斜面(5),所述裸光纤带(3)分别延伸至第一斜面(4)和第二斜面(5)的表面上。

【技术特征摘要】
1.一种双端面光纤阵列,其特征在于,包括型槽基板(1)、盖板(2)以及夹紧于所述型槽基板(1)与所述盖板(2)之间的裸光纤带(3);所述型槽基板(1)上并排设置有多个用于容置裸光纤带(3)的型槽(11),所述型槽基板(1)、盖板(2)以及裸光纤带(3)构成的整体的一端形成朝向内侧倾斜42°~48°的第一斜面(4),型槽基板(1)、盖板(2)以及裸光纤带(3)构成的整体的另一端形成朝向内侧倾斜6°~10°的第二斜面(5),所述裸光纤带(3)分别延伸至第一斜面(4)和第二斜面(5...

【专利技术属性】
技术研发人员:邱锦和
申请(专利权)人:中山市美速光电技术有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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