电子电路、集成电路、电机组件及应用设备制造技术

本申请提供了一种具有静电防护的电子电路、集成电路、电机组件及应用设备，电子电路包括输出端口、用于连接外部交流电的第一交流输入端口和第二交流输入端口、静电防护电路、整流电路及目标电路，静电防护电路包括连接于整流电路的第一输出端和第二输出端之间的第一静电保护电路。本申请中，当电子电路引入静电后，第一静电保护电路将与其他元器件形成放电通道，释放电子电路中的静电，避免了静电输入目标电路对其元件造成破坏。

Electronic circuits, integrated circuits, motor components and application equipment.

This application provides an electronic circuit, an integrated circuit, a motor component and an application equipment with an electrostatic protection. The electronic circuit includes an output port, a first AC input port for connecting an external alternating current and a second AC input port, an electrostatic protection circuit, a rectifying circuit and a target circuit. The electrostatic protection circuit includes an electric circuit. The first electrostatic protection circuit is connected between the first output terminal of the rectifier circuit and the second output terminal. In this application, when the electronic circuit is introduced to static electricity, the first electrostatic protection circuit will form the discharge channel with other components, release the static electricity in the electronic circuit, and avoid the damage caused by the electrostatic input target circuit to its components.

【技术实现步骤摘要】
电子电路、集成电路、电机组件及应用设备
本申请主要涉及静电保护领域，更具体地说是涉及电子电路、集成电路、电机组件及应用设备。
技术介绍
ESD(Electro-StaticDischarge，静电放电)是造成电子元器件或集成电路系统过度电应力(ElectricalOverStress，ESO)破坏的主要元凶，而且，由于ESD的瞬间电压非常高，往往会造成电子元器件或集成电路系统毁灭性和永久性损伤，影响电子元器件以及集成电路系统的正常工作。所以，预防静电损伤成为电子元器件以及集成电路系统设计和制造的重要研究方向。其中，对于集成芯片的静电防护，目前通常是在集成芯片的直流输入端和输出端设置静电保护电路，从而使直流输入端引入的静电直接经过这两个静电保护电路后，从集成芯片的输出端得以释放，实现对集成芯片内目标电路的保护。然而，现有的这种静电防护方式并不适用于交流供电的集成芯片，静电电流仍然会经过交流供电的集成芯片内的目标电路，从而影响目标电路的使用寿命，甚至会因静电感应电压过大而直接损坏目标电路内的元件，影响了集成芯片工作的可靠性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种电子电路、集成电路、电机组件及应用设备，实现了对交流供电的电子电路中元件的静电保护。为了实现上述目的，本申请提供了以下技术方案：一种具有静电防护的电子电路，所述电子电路包括：输出端口、用于连接外部交流电的第一交流输入端口和第二交流输入端口、静电防护电路、整流电路及目标电路；所述整流电路的第一输入端与所述第一交流输入端口连接，所述整流电路的第二输入端与所述第二交流输入端口连接，所述整流电路的第一输出端与所述目标电路的第一输入端连接，所述整流电路的第二输出端与所述目标电路的第二输入端连接；其中，所述整流电路的第一输出端的电压大于所述整流电路的第二输出端的电压；所述目标电路的输出端与所述输出端口连接；所述静电防护电路包括：连接于所述整流电路的第一输出端和第二输出端之间的第一静电保护电路。优选的，所述整流电路的第二输出端为浮动地。优选的，所述第一静电保护电路为单向静电保护电路，所述单向静电保护电路的电流输入端与所述整流电路的第一输出端连接，所述单向静电保护电路的电流输出端与所述整流电路的第二输出端连接。优选的，所述整流电路包括全波整流桥。优选的，所述电子电路还包括：串联于所述整流电路的第一输出端和第二输出端之间的稳压二极管和限流电阻。优选的，所述静电防护电路还包括连接于所述第一交流输入端口和所述第二交流输入端口之间的第二静电保护电路、连接于所述整流电路的第一输入端和第二输出端之间的第三静电保护电路、和/或连接于所述整流电路的第二输入端和第二输出端之间的第四静电保护电路。优选的，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路、所述第三静电保护电路以及第四静电保护电路中的任意一个静电保护电路包括至少一个半导体元件，其中：当所述电子电路不存在静电感应电压时，所述至少一个半导体元件工作在高阻状态；当所述电子电路存在静电感应电压时，所述至少一个半导体元件进入击穿状态，以形成放电通道，所述放电通道不经过所述目标电路。优选的，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路、所述第三静电保护电路以及第四静电保护电路中的任意一个静电保护电路包括：静电检测电路和半导体开关元件，其中：当所述电子电路不存在静电感应电压时，所述半导体开关元件工作在高阻状态；当所述电子电路存在静电感应电压时，所述静电检测电路控制所述半导体开关元件工作在导通状态下，以形成放电通道，所述放电通道不经过所述目标电路。优选的，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路、所述第三静电保护电路以及第四静电保护电路中的任意一个静电保护电路为单向静电保护电路，所述单向静电保护电路包括稳压管，所述稳压管的阴极与所述单向静电保护电路的电流输入端连接，阳极与所述单向静电保护电路的电流输出端连接；或者，所述单向静电保护电路包括第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极与所述单向静电保护电路的电流输入端连接，栅极与漏极连接，且漏极与所述单向静电保护电路的电流输出端连接；或者，所述单向静电保护电路包括单向可控硅，所述单向可控硅的阳极与所述单向静电保护电路的电流输入端连接，阴极与所述单向静电保护电路的电流输出端连接，控制极外接控制信号。优选的，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路、所述第三静电保护电路以及所述第四静电保护电路中的任意一个静电保护电路为单向静电保护电路，所述单向静电保护电路包括：PNP型三极管和NPN型三极管，其中：所述PNP型三极管的基极与所述NPN型三极管的集电极连接，所述PNP型三极管的集电极与所述NPN型三极管的基极连接，所述PNP型三极管的发射极与所述单向静电保护电路的电流输入端连接；所述NPN型三极管的发射极与所述单向静电保护电路的电流出端连接。优选的，所述单向静电保护电路还包括：多个二极管，其中：所述多个二极管正向串联于所述NPN型三极管的集电极和发射极之间。优选的，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路、所述第三静电保护电路以及所述第四静电保护电路中的任意一个静电保护电路为单向静电保护电路，所述单向静电保护电路包括：第一电阻、第一电容、第一PMOS管、第二NMOS管、第二电阻以及第三NMOS管，其中：所述第一电阻的一端与所述单向静电保护电路的电流输入连接，另一端与所述第一电容的一端连接；所述第一电容的另一端与所述单向静电保护电路的电流输出端连接；所述第一PMOS管的漏极与所述单向静电保护电路的电流输入端连接，所述第一PMOS管的栅极分别与所述第一电阻的另一端以及所述第二NMOS管的栅极连接，所述第一PMOS管的源极分别与所述第二NMOS管的漏极以及所述第三NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管的源极与所述单向静电保护的电流输出端连接；所述第三NMOS管的漏极通过所述第二电阻与所述单向静电保护电路的电流输入端连接，所述第三NMOS管的源极与所述单向静电保护电路的电流输出端连接。优选的，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路、所述第三静电保护电路以及所述第四静电保护电路中的任意一个静电保护电路包括：静电检测器、第三电阻以及第四NMOS管，其中：所述静电检测器的第一端口与所述相应静电保护电路的电流输入端连接，第二端与所述相应静电保护电路的电流输出端连接，第三端与所述第四NMOS管的栅极连接；所述第四NMOS管的源极与所述相应静电保护电路的第二输出端连接，漏极通过所述第三电阻与所述相应静电保护电路的电流输出端连接。优选的，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路、所述第三静电保护电路以及所述第四静电保护电路中的任意一个静电保护电路包括：第四电阻、第二PMOS管以及第五NMOS管，其中：所述第二PMOS管的栅极和漏极与相应静电保护电路的电流输入端连接，所述第二PMOS管的源极通过所述第四电阻与相应静电保护电路的电流输出端连接；所述第五NMOS管的漏极与相应静电保护电路的电流输入端连接，所述第五NMOS管的栅极和源极与相应静电保护电路的电流输出端连接，所述第五NMOS管的衬底与所述第二PMOS管的源极连接。优选的，所述电子电路还包括第一单向导通开关以及第二单向导通开关，所述输出端口与所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有静电防护的电子电路，其特征在于，所述电子电路包括：输出端口、用于连接外部交流电的第一交流输入端口和第二交流输入端口、静电防护电路、整流电路及目标电路；所述整流电路的第一输入端与所述第一交流输入端口连接，所述整流电路的第二输入端与所述第二交流输入端口连接，所述整流电路的第一输出端与所述目标电路的第一输入端连接，所述整流电路的第二输出端与所述目标电路的第二输入端连接；其中，所述整流电路的第一输出端的电压大于所述整流电路的第二输出端的电压；所述目标电路的输出端与所述输出端口连接；所述静电防护电路包括：连接于所述整流电路的第一输出端和第二输出端之间的第一静电保护电路。

【技术特征摘要】
2016.11.04 CN 20161096631841.一种具有静电防护的电子电路，其特征在于，所述电子电路包括：输出端口、用于连接外部交流电的第一交流输入端口和第二交流输入端口、静电防护电路、整流电路及目标电路；所述整流电路的第一输入端与所述第一交流输入端口连接，所述整流电路的第二输入端与所述第二交流输入端口连接，所述整流电路的第一输出端与所述目标电路的第一输入端连接，所述整流电路的第二输出端与所述目标电路的第二输入端连接；其中，所述整流电路的第一输出端的电压大于所述整流电路的第二输出端的电压；所述目标电路的输出端与所述输出端口连接；所述静电防护电路包括：连接于所述整流电路的第一输出端和第二输出端之间的第一静电保护电路。2.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述整流电路的第二输出端为浮动地。3.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述第一静电保护电路为单向静电保护电路，所述单向静电保护电路的电流输入端与所述整流电路的第一输出端连接，所述单向静电保护电路的电流输出端与所述整流电路的第二输出端连接。4.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述整流电路包括全波整流桥。5.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述电子电路还包括串联于所述整流电路的第一输出端和第二输出端之间的稳压二极管和限流电阻。6.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述静电防护电路还包括：连接于所述第一交流输入端口和所述第二交流输入端口之间的第二静电保护电路、连接于所述整流电路的第一输入端和第二输出端之间的第三静电保护电路、和/或连接于所述整流电路的第二输入端和第二输出端之间的第四静电保护电路。7.根据权利要求6所述的电子电路，其特征在于，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路、所述第三静电保护电路以及第四静电保护电路中的任意一个静电保护电路包括至少一个半导体元件，其中：当所述电子电路不存在静电感应电压时，所述至少一个半导体元件工作在高阻状态；当所述电子电路存在静电感应电压时，所述至少一个半导体元件进入击穿状态，以形成放电通道，所述放电通道不经过所述目标电路。8.根据权利要求6所述的电子电路，其特征在于，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路、所述第三静电保护电路以及第四静电保护电路中的任意一个静电保护电路包括：静电检测电路和半导体开关元件，其中：当所述电子电路不存在静电感应电压时，所述半导体开关元件工作在高阻状态；当所述电子电路存在静电感应电压时，所述静电检测电路控制所述半导体开关元件工作在导通状态下，以形成放电通道，所述放电通道不经过所述目标电路。9.根据权利要求6所述的电子电路，其特征在于，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路、所述第三静电保护电路以及第四静电保护电路中的任意一个静电保护电路为单向静电保护电路，所述单向静电保护电路包括稳压管，所述稳压管的阴极与所述单向静电保护电路的电流输入端连接，阳极与所述单向静电保护电路的电流输出端连接；或者，所述单向静电保护电路包括第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极与所述单向静电保护电路的电流输入端连接，栅极与漏极连接，且漏极与所述单向静电保护电路的电流输出端连接；或者，所述单向静电保护电路包括单向可控硅，所述单向可控硅的阳极与所述单向静电保护电路的电流输入端连接，阴极与所述单向静电保护电路的电流输出端连接，控制极外接控制信号。10.根据权利要求6所述的电子电路，其特征在于，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路、所述第三静电保护电路以及所述第四静电保护电路中的任意一个静电保护电路为单向静电保护电路，所述单向静电保护电路包括：PNP型三极管和NPN型三极管，其中：所述PNP型三极管的基极与所述NPN型三极管的集电极连接，所述PNP型三极管的集电极与所述NPN型三极管的基极连接，所述PNP型三极管的发射极与所述单向静电保护电路的电流输入端连接；所述NPN型三极管的发射极与所述单向静电保护电路的电流输出端连接。11.根据权利要求10所述的电子电路，其特征在于，所述单向静电保护电路还包括：多个二极管，所述多个二极管正向串联于所述NPN型三极管的集电极和发射极之间。12.根据权利要求6所述的电子电路，其特征在于，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路、所述第三静电保护电路以及所述第四静电保护电路中的任意一个静电保护电路为单向静电保护电路，所述单向静电保护电路包括：第一电阻、第一电容、第一PMOS管、第二NMOS管、第二电阻以及第三NMOS管，其中：所述第一电阻的一端与所述单向静电保护电路的电流输入端连接，另一端与所述第一电容的一端连接；所述第一电容的另一端与所述单向静电保护的电流输出端连接；所述第一PMOS管的漏极与所述单向静电保...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙持平，黄建，黄淑娟，蒋云龙，杨圣骞，
申请(专利权)人：德昌电机深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44