电子电路、集成电路、电机组件及应用设备制造技术

本申请提供了一种具有静电防护的电子电路、集成电路、电机组件及应用设备，电子电路包括输出端口、用于连接外部交流电的第一交流输入端口和第二交流输入端口、静电防护电路、整流电路和目标电路，目标电路通过整流电路与外部交流电连接，输出端与输出端口连接，静电防护电路包括连接在第一交流输入端口和整流电路第二输出端之间的第一静电保护电路，连接在第二交流输入端口和整流电路第二输出端之间的第二静电保护电路，连接在输出端口和整流电路第二输出端之间的第三静电保护电路，且整流电路的第一输出端的电压大于第二输出端的电压，从而使这三个静电保护电路将形成放电通道释放电子电路中的静电，避免了静电输入目标电路对其元件造成破坏。

Electronic circuits, integrated circuits, motor components and application equipment.

The application provides an electronic circuit, an integrated circuit, a motor component and an application equipment with an electrostatic protection. The electronic circuit includes an output port, a first AC input port for connecting an external alternating current, a second AC input port, an electrostatic protection circuit, a rectifying circuit and a target circuit. The target circuit is rectified. The circuit is connected with the external alternating current, the output end is connected with the output port, and the electrostatic protection circuit includes the first electrostatic protection circuit connected between the first AC input port and the second output end of the rectifier circuit, which is connected to the second electrostatic protection circuit between the second AC input port and the second output end of the rectifier circuit, and is connected to the electrostatic protection circuit. The third electrostatic protection circuit between the output port and the second output end of the rectifier circuit, and the voltage of the first output end of the rectifying circuit is greater than the voltage of the second output end, so that the three electrostatic protection circuits will form the discharge channel to release the static electricity in the electronic circuit and avoid the static input target circuit to cause the breakage of its components. Bad.

【技术实现步骤摘要】
电子电路、集成电路、电机组件及应用设备
本申请主要涉及静电保护领域，更具体地说是涉及电子电路、集成电路、电机组件及应用设备。
技术介绍
ESD(Electro-StaticDischarge，静电放电)是造成电子元器件或集成电路系统过度电应力(ElectricalOverStress，ESO)破坏的主要元凶，而且，由于ESD的瞬间电压非常高，往往会造成电子元器件或集成电路系统毁灭性和永久性损伤，影响电子元器件以及集成电路系统的正常工作。所以，预防静电损伤成为电子元器件以及集成电路系统设计和制造的重要研究方向。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种电子电路、集成电路、电机组件及应用设备，实现了对交流供电的电子电路中元件的静电保护。为了解决上述技术问题，本申请提供了以下技术方案：一种具有静电防护的电子电路，其特征在于，所述电子电路包括：输出端口、用于连接外部交流电的第一交流输入端口和第二交流输入端口、静电防护电路、整流电路和目标电路；所述整流电路的第一输入端与所述第一交流输入端口连接，所述整流电路的第二输入端与所述第二交流输入端口连接，所述整流电路的第一输出端与所述目标电路的第一输入端连接，所述整流电路的第二输出端与所述目标电路的第二输入端连接，所述目标电路的输出端与所述输出端口连接，且所述整流电路的第一输出端的电压大于所述整流电路的第二输出端的电压；所述静电防护电路包括：第一静电保护电路、第二静电保护电路以及第三静电保护电路，其中：所述第一静电保护电路的一端与所述第一交流输入端口连接，另一端与所述整流电路的第二输出端连接；所述第二静电保护电路的一端与所述第二交流输入端口连接，另一端与所述整流电路的第二输出端连接；所述第三静电保护电路的一端与所述输出端口连接，另一端与所述整流电路的第二输出端连接。优选的，所述整流电路的第二输出端为浮动地。优选的，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路及所述第三静电保护电路均为双向静电保护电路。优选的，所述整流电路包括全波整流桥。优选的，所述电子电路还包括：串联于所述整流电路的第一输出端和第二输出端之间的稳压二极管和限流电阻。优选的，所述静电防护电路还包括：连接于所述整流电路的第一输出端和第二输出端之间的第四静电保护电路，和/或连接于所述第一交流输入端口和第二交流输入端口之间的第五静电保护电路。优选的，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路和所述第三静电保护电路中的任意一个静电保护电路包括至少一个半导体元件，其中：当所述电子电路不存在静电感应电压时，所述至少一个半导体元件工作在高阻状态；当所述电子电路存在静电感应电压时，所述至少一个半导体元件进入击穿状态，以形成放电通道，所述放电通道不经过所述目标电路。优选的，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路和所述第三静电保护电路中的任意一个静电保护电路包括：静电检测电路和半导体开关元件，其中：当所述电子电路不存在静电感应电压时，所述静电检测电路控制所述半导体开关元件工作在高阻状态；当所述电子电路存在静电感应电压时，所述静电检测电路控制所述半导体开关元件工作在导通状态下，以形成放电通道，所述放电通道不经过所述目标电路。优选的，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路和所述第三静电保护电路中的任意一个静电保护电路包括双向触发二极管。优选的，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路和所述第三静电保护电路中的任意一个静电保护电路包括：第一稳压管和第二稳压管，其中：所述第一稳压管的阴极与所述第二稳压管的阴极连接，所述第一稳压管的阳极与所述第二稳压管的阳极分别是所述静电保护电路的两个端口；或者，所述第一稳压管的阳极与所述第二稳压管的阳极连接，所述第一稳压管的阴极与所述第二稳压管的阴极分别是所述静电保护电路的两个端口。优选的，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路和所述第三静电保护电路中的任意一个静电保护电路包括：反向并联的两个子保护电路，每一个子保护电路包括：PNP型三极管、NPN型三极管、第二电阻以及多个二极管，其中：所述PNP型三极管的基极与所述NPN型三极管的集电极连接；所述PNP型三极管的集电极与所述NPN型三极管的基极连接，且通过所述第二电阻与所述NPN型三极管的发射极连接；所述多个二极管正向串联于所述NPN型三极管的集电极和发射极之间，所述PNP型三极管的发射极与另一个子保护电路中的NPN型三极管的发射极连接，两个子保护电路的NPN型三极管的发射极分别为所述静电保护电路的两个端口。优选的，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路和所述第三静电保护电路中的任意一个静电保护电路包括：第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第三电阻、第一电容、PMOS管、第一NMOS管、第四电阻以及第二NMOS管，其中：所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阴极连接，所述第一二极管的阴极与所述第三二极管的阴极连接，且所述第二二极管的阴极与所述第三二极管的阳极分别是所述静电保护电路的两个端口；所述第四二极管的阴极与所述第三二极管的阳极连接，所述第四二极管的阳极与所述第二二极管的阳极连接；所述第三电阻的一端与所述第一二极管的阴极连接，另一端与所述第一电容的一端连接；所述第一电容的另一端与所述第二二极管的阳极连接；所述PMOS管的漏极与所述第一二极管的阴极连接，所述PMOS管的栅极分别与所述第三电阻的另一端以及所述第一NMOS管的栅极连接，所述PMOS管的源极分别与所述第一NMOS管的漏极以及所述第二NMOS管的栅极连接，所述第一NMOS管的源极与所述第二二极管的阳极连接；所述第二NMOS管的漏极通过所述第四电阻与所述第一二极管的阴极连接，所述第二NMOS管的源极与所述第二二极管的阳极连接。一种集成电路，其特征在于，包括壳体、设于所述壳体内的半导体基片、设于所述半导体基片上的电子电路以及自所述壳体伸出的第一输入端口、第二输入端口和输出端口，其中，所述第一输入端口和所述第二输入端口用于连接外部交流电源；所述电子电路包括：连接浮动地的浮动地端口；连接于所述第一输入端口和所述浮动地端口之间的第一双向静电保护电路；连接于所述第二输入端口和所述浮动地端口之间的第二双向静电保护电路；连接于所述输出端口和所述浮动地端口之间的第三双向静电保护电路。优选的，所述电子电路还包括：整流电路，所述整流电路具有两个输入端和两个输出端，其中，所述两个输入端分别与所述第一输入端口和所述第二输入端口一一对应连接，所述两个输出端中具有较低电压的一个输出端与所述浮动地端口连接。优选的，所述电子电路还包括：串联于所述整流电路的所述两个输出端之间的稳压二极管和限流电阻。优选的，所述电子电路还包括：连接于所述整流电路的所述两个输出端之间的第四双向静电保护电路，和/或连接于所述第一输入端口和所述第二输入端口之间的第五双向静电保护电路。优选的，所述第一双向静电保护电路、所述第二双向静电保护电路和所述第三双向静电保护电路中的任意一个双向静电保护电路包括至少一个半导体元件，其中：当无静电发生时，所述至少一个半导体元件工作在高阻状态；当有静电发生时，所述至少一个半导体元件工作在击穿状态，以形成放电通道。优选的，所述第一双向静电保护电路、所述第二双向静电保护电路和所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有静电防护的电子电路，其特征在于，所述电子电路包括：输出端口、用于连接外部交流电的第一交流输入端口和第二交流输入端口、静电防护电路、整流电路和目标电路；所述整流电路的第一输入端与所述第一交流输入端口连接，所述整流电路的第二输入端与所述第二交流输入端口连接，所述整流电路的第一输出端与所述目标电路的第一输入端连接，所述整流电路的第二输出端与所述目标电路的第二输入端连接，所述目标电路的输出端与所述输出端口连接，且所述整流电路的第一输出端的电压大于所述整流电路的第二输出端的电压；所述静电防护电路包括：第一静电保护电路、第二静电保护电路以及第三静电保护电路，其中：所述第一静电保护电路的一端与所述第一交流输入端口连接，另一端与所述整流电路的第二输出端连接；所述第二静电保护电路的一端与所述第二交流输入端口连接，另一端与所述整流电路的第二输出端连接；所述第三静电保护电路的一端与所述输出端口连接，另一端与所述整流电路的第二输出端连接。

【技术特征摘要】
2016.11.04 CN 20161097824311.一种具有静电防护的电子电路，其特征在于，所述电子电路包括：输出端口、用于连接外部交流电的第一交流输入端口和第二交流输入端口、静电防护电路、整流电路和目标电路；所述整流电路的第一输入端与所述第一交流输入端口连接，所述整流电路的第二输入端与所述第二交流输入端口连接，所述整流电路的第一输出端与所述目标电路的第一输入端连接，所述整流电路的第二输出端与所述目标电路的第二输入端连接，所述目标电路的输出端与所述输出端口连接，且所述整流电路的第一输出端的电压大于所述整流电路的第二输出端的电压；所述静电防护电路包括：第一静电保护电路、第二静电保护电路以及第三静电保护电路，其中：所述第一静电保护电路的一端与所述第一交流输入端口连接，另一端与所述整流电路的第二输出端连接；所述第二静电保护电路的一端与所述第二交流输入端口连接，另一端与所述整流电路的第二输出端连接；所述第三静电保护电路的一端与所述输出端口连接，另一端与所述整流电路的第二输出端连接。2.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述整流电路的第二输出端为浮动地。3.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路及所述第三静电保护电路均为双向静电保护电路。4.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述整流电路包括全波整流桥。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电子电路还包括：串联于所述整流电路的第一输出端和第二输出端之间的稳压二极管和限流电阻。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述静电防护电路还包括：连接于所述整流电路的第一输出端和第二输出端之间的第四静电保护电路，和/或连接于所述第一交流输入端口和第二交流输入端口之间的第五静电保护电路。7.根据权利要求1-6任意一项所述的电子电路，其特征在于，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路和所述第三静电保护电路中的任意一个静电保护电路包括至少一个半导体元件，其中：当所述电子电路不存在静电感应电压时，所述至少一个半导体元件工作在高阻状态；当所述电子电路存在静电感应电压时，所述至少一个半导体元件进入击穿状态，以形成放电通道，所述放电通道不经过所述目标电路。8.根据权利要求1-6任意一项所述的电子电路，其特征在于，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路和所述第三静电保护电路中的任意一个静电保护电路包括：静电检测电路和半导体开关元件，其中：当所述电子电路不存在静电感应电压时，所述静电检测电路控制所述半导体开关元件工作在高阻状态；当所述电子电路存在静电感应电压时，所述静电检测电路控制所述半导体开关元件工作在导通状态下，以形成放电通道，所述放电通道不经过所述目标电路。9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路和所述第三静电保护电路中的任意一个静电保护电路包括双向触发二极管。10.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路和所述第三静电保护电路中的任意一个静电保护电路包括：第一稳压管和第二稳压管，其中：所述第一稳压管的阴极与所述第二稳压管的阴极连接，所述第一稳压管的阳极与所述第二稳压管的阳极分别是所述静电保护电路的两个端口；或者，所述第一稳压管的阳极与所述第二稳压管的阳极连接，所述第一稳压管的阴极与所述第二稳压管的阴极分别是所述静电保护电路的两个端口。11.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第一静电保护电路、所述第二静电保护电路和所述第三静电保护电路中的任意一个静电保护电路包括：反向并联的两个子保护电路，每一个子保护电路包括：PNP型三极管、NPN型三极管、第二电阻以及多个二极管，其中：所述PNP型三极管的基极与所述NPN型三极管的集电极连接；所述PNP型三极管的集电极与所述NPN型三极管的基极连接，且通过所述第二电阻与所述NPN型三极管的发射极连接；所述多个二极管正向串联...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙持平，黄建，黄淑娟，蒋云龙，杨圣骞，
申请(专利权)人：德昌电机深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44