一种提升TLC闪存编码率的方法及TLC闪存技术

本发明专利技术公开了一种提升TLC闪存编码率的方法及TLC闪存,其特征在于抽取同批次或性能相近的TLC闪存进行耐久度试验，统计获得该TLC闪存每个页的BER的数据分布数据，将页按快页、中页和慢页类型先进行分组，将各组分别根据BER将页划分为K类，K〉2，为每个类选定一个中心值,将各个类的中心值分别作为各个类的典型BER值，根据典型BER值获得各个类的页校验数据大小推荐值。结合TLC闪存的特性将闪存中的页分别对快页、中页、慢页进行K均值聚类，获得的经典BER值更为合理、获得的校验数据大小也更为准确，因此可有效为用户提供使用提供更为合理的推荐校验数据大小，能有效地提高编码率。

A method to improve the coding rate of TLC flash and TLC flash memory

The present invention discloses a method for improving the coding rate of TLC flash memory and TLC flash memory. Its feature is to extract the durability test of the TLC flash with similar batch or performance, to obtain the data distribution data of the BER of each page of the TLC flash memory, and to group the pages in the fast page, the middle page and the slow page type, and the groups according to the BER, respectively. The page is divided into K class, K > 2, selecting a central value for each class, using the central values of each class as the typical BER values of each class, and obtaining the recommended values of the page checkout data of each class based on the typical BER values. In combination with the characteristics of TLC flash memory, the pages of the flash memory are clustering for the K mean of fast pages, middle pages and slow pages respectively. The classic BER value is more reasonable and the size of the checkout data is more accurate. Therefore, it can provide users with more reasonable data size of the recommended checkout data and can effectively improve the coding rate.

【技术实现步骤摘要】
一种提升TLC闪存编码率的方法及TLC闪存
本专利技术涉及固态硬盘控制技术，特别涉及一种提升TLC闪存编码率的方法及TLC闪存。
技术介绍
典型的NAND由多个块Block组成，每个Block又由多个页Page组成。Die是该NANDFLASH可支持的独立并发操作的单元；块Block可独立擦除的单元，其内各个物理位置的数据写入后在下一次写之前必须要将整个Block擦除，才可写入新的数据；页Page是读写的单元，也就是向FLASH中写入或读出数据必须以页为操作单位进行。闪存(NAND)上的数据会有出错的可能，即读出来的数据与写入的数据不一致，所以我们需要在用户数据之外再生成一些校验数据，数据出错时用它来纠正错误；一个页的编码率＝用户数据大小/(用户数据大小+校验数据大小)。校验数据所占的额外闪存空间与该页在生命周期内出现的误码率(BitErrorRate：BER)相关，BER越大校验数据越大，反之越小。闪存在出厂前厂商为该批次闪存做耐久度实验，测出每个页的BER值和校验数据的大小，选取最大的BER值作为该批次的典型BER值，将对应的检验数据大小告诉客户，建议客户写一个页数据时同时生成这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提升TLC闪存编码率的方法,其特征在于抽取同批次或性能相近的TLC闪存进行耐久度试验，统计获得该TLC闪存每个页的BER的数据分布数据，将页按快页、中页和慢页类型先进行分组，将各组分别根据BER将页划分为K类，K〉2,将各个类的最大BER值分别作为各个类的典型BER值，根据典型BER值获得各个类的页校验数据大小推荐值。

【技术特征摘要】
1.一种提升TLC闪存编码率的方法,其特征在于抽取同批次或性能相近的TLC闪存进行耐久度试验，统计获得该TLC闪存每个页的BER的数据分布数据，将页按快页、中页和慢页类型先进行分组，将各组分别根据BER将页划分为K类，K〉2,将各个类的最大BER值分别作为各个类的典型BER值，根据典型BER值获得各个类的页校验数据大小推荐值。2.根据权利要求1所述的提升TLC闪存编码率的方法,其特征在于TLC闪存中同属于一个类的页选择该页所属的类的推荐的页校验数据大小为校验数据大小。3.根据权利要求2所述的提升TLC闪存编码率的方法,其特征在于类的划分采用K均值聚类方法聚类获得。4.根据权利要求3所述的提升TLC闪存编码率的方法,其特征在于各个类的中的元素到各个类的中心值的相异度最低；所述相异度为两个元素差值的绝对值。5.根据权利要求3所述的提升TLC闪存编码率的方法,其特征在于用K均值聚类方法聚类的具体步骤如下：步骤1：将所有页的BER值组成数据集合D；步骤2：从D中随机选取k个元素，作为k个类的各自的中心,分别记录为：Z_1、Z_2......Z_k；步骤3:分别计算剩下的元素到k个类中心的相异度，将这些元素分别划归到相...

【专利技术属性】
技术研发人员：许毅，姚兰，郑春阳，
申请(专利权)人：深圳忆联信息系统有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44