存储器元件及其应用制造技术
Memory element and its application
A two side step write operation of a memory element. The memory element includes a second stacking structure with multiple storage units C1 (I), the first stack structure and multiple storage units C2 (I) memory. I represents the hierarchy of the storage unit. The step writing operation includes initial writing stage S1, intermediate writing stage S2 and final writing stage S3 for the first stacked structure and second stacked structure storage unit. According to the written order, the final stage of S3 written in the first laminated structure and second laminated structure target class (I) to implement the target in the storage unit; and the target class (I) is located in the adjacent strata (i+1 and I 1) adjacent to a storage unit on the first implementation of middle stage S2 writing. Among them, the middle stage of the implementation of S2 written on the first stack structure and the second layers in the target class (I) of the storage unit, and adjacent strata (i+1 and I 1) has implemented the first preliminary written stage S1 in these adjacent memory cells.
【技术实现步骤摘要】
存储器元件及其应用
本专利技术是有关于一种高密度存储器元件，特别是有关于一种具有多存储单元平面层(multipleplanesofmemorycells)且排列来提供立体阵列的存储器元件。
技术介绍
随着集成电路的关键尺寸微缩至存储单元技术的一般极限，设计者开始寻求以叠层的多层存储单元平面层技术，来达到增进储存效能及降低位成本(costsperbit)的目的。例如，Laietal.，“AMulti-LayerStackableThin-FilmTransistor(TFT)NAND-TypeFlashMemory，”IEEEInt′lElectronDevicesMeeting，11-13Dec.2006以及Jungetal.，“ThreeDimensionallyStackedNANDFlashMemoryTechnologyUsingStackingSingleCrystalSiLayersonILDandTANOSStructureforBeyond30nmNode，”IEEEInt′lElectronDevicesMeeting，11-13Dec.2006...
【技术保护点】
一种存储器元件，其特征在于，包括：一第一叠层结构包括多个存储单元C1(i)，一第二叠层结构包括多个存储单元C2(i)，其中i是代表一特定存储单元位于该第一叠层结构或该第二叠层结构的一阶层，i等于1至N；其中一第N阶层是指该第一叠层结构或该第二叠层结构的一最底层及一最顶层其中之一；一控制器，构建来对该些存储单元C1(i)和C2(i)进行每一存储单元多位数据(multiple bits of data per memory cell)的一写入操作，该控制器包括：一第一逻辑，用来对该第一叠层结构和该第二叠层结构的该些存储单元C1(i)和C2(i)实施一初步写入阶段S1、一中间写入...
【技术特征摘要】
1.一种存储器元件，其特征在于，包括：一第一叠层结构包括多个存储单元C1(i)，一第二叠层结构包括多个存储单元C2(i)，其中i是代表一特定存储单元位于该第一叠层结构或该第二叠层结构的一阶层，i等于1至N；其中一第N阶层是指该第一叠层结构或该第二叠层结构的一最底层及一最顶层其中之一；一控制器，构建来对该些存储单元C1(i)和C2(i)进行每一存储单元多位数据(multiplebitsofdatapermemorycell)的一写入操作，该控制器包括：一第一逻辑，用来对该第一叠层结构和该第二叠层结构的该些存储单元C1(i)和C2(i)实施一初步写入阶段S1、一中间写入阶段S2以及一最终写入阶段S3；以及一第二逻辑，用来根据一写入顺序(programmingorder)在该些存储单元C1(i)和C2(i)中选择多个目标存储单元，使该最终写入阶段S3可在该第一叠层结构和该第二叠层结构的每一目标阶层(i)中的该些目标存储单元上实施；且使该第一叠层结构和第二叠层结构中位于该目标阶层(i)的邻接阶层(i+1和i-1)上的多个邻接存储单元已经先实施过该中间写入阶段S2。2.如权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，其中根据该写入顺序，该中间写入阶段S2实施于该第一叠层结构和该第二叠层结构中该目标阶层(i)的存储单元，且邻接的阶层(i+1和i-1)上已经先实施过该初步写入阶段S1于该些存储单元上。3.如权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，其中该写入顺序包括：(a)选择多个存储单元C1(i)和C2(i)，其中i＝1，实施该初步写入阶段S1；(b)选择多个存储单元C1(i+1)和C2(i+1)，实施该初步写入阶段S1；(c)选择多个存储单元C1(i-1)和C2(i-1)，实施该中间写入阶段S2；(d)选择多个存储单元C1(i+2)和C2(i+2)，实施初步写入阶段S1；(e)选择该些存储单元C1(i-1)和C2(i-1)，实施该中间写入阶段S2；(f)选择该些存储单元C1(i-1)和C2(i-1)，实施该最终写入阶段S3；(g)选择多个存储单元C1(i+3)和C2(i+3)，实施该初步写入阶段S1；(h)选择该些存储单元C1(i-1)和C2(i-1)，实施该中间写入阶段S2；(i)选择该些存储单元C1(i-1)和C2(i-1)，实施该最终写入阶段S3；(j)重复该些步骤(g)、(h)和(i)，直到该步骤(g)中i+3大于N；然后选择多个存储单元C1(N)和C2(N)，实施该中间写入阶段S2；(k)选择多个存储单元C1(N-1)和C2(N-1)，实施该最终写入阶段S3；以及(1)选择该些存储单元C1(N)和C2(N)，实施该最终写入阶段S3。4.如权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，其中该第一叠层结构和该第二叠层结构位于一通道线上，该通道线包括：一第一垂直通道线，沿着该第一叠层结构的多个字符线的多个侧壁设置；一第二垂直通道线，沿着该第二叠层结构的多个字符线的多个侧壁设置；以及一电性连接器，位于该第一叠层结构和该第二叠层结构之间，用来使电流在该第一垂直通道线和该第二垂直通道线之间流通。5.一种集成电路，其特征在于，包括：多个NAND串行，每一该些NAND串行包括的一第一叠层结构，具有位于一第一侧的多条字符线WLS1(i)，以及一第二叠层结构具有位于一第二侧的多条字符线WLS2(i)，其中i是代表一特定字符线位于该第一叠层结构或该第二叠层结构的一阶层，i等于1至N；其中一第N阶层是指该第一叠层结构或该第二叠层结构的一最底层及一最顶层其中之一；一控制器，构建来对该些NAND串行进行每一存储单元多位数据的一写入操作，该控制器包括：一第一逻辑，用来对位于每一该些NAND串行的该第一叠层结构和该第二叠层结构中多个被选择的字符在线的多个存储单元实施一初步写入阶段S1、一中间写入阶段S2以及一最终写入阶段S3；以及一第二逻辑，用来根据一写入顺序在该些NAND串行中选择多个目标存储单元，使该最终写入阶段S3可在该第一叠层结构和该第二叠层结构每一目标阶层(i)中的该些目标存储单元上实施；且使该第一叠层结构和第二叠层结构中位于该目标阶层(i)的邻接阶层(i+1和i...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴承润，谢志昌，徐子轩，吕函庭，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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