【技术实现步骤摘要】
IGBT过流保护方法、电路及用电设备
本专利技术涉及用电设备
,特别涉及一种IGBT过流保护方法、电路及用电设备。
技术介绍
IGBT(Insulate-GateBipolarTransistor,绝缘栅双极晶体管)是场效应管与双极晶体管的复合器件,其既具有功率场效应管输入阻抗高、工作速度快、易驱动的优点,又具有双极达林顿功率管临界饱和电压低、电流容量大、耐压高的优点,在几十千赫兹频率范围内能正常工作,因此,在较高频率的大、中功率设备(如变频器、UPS电源、光伏逆变器等)应用中占据了主导地位。IGBT驱动电路通常采用监测集射极电压Vce实现IGBT的过流保护,其原理是在温度一定时IGBT的集射极电压Vce随着IGBT电流的增加而增加,如图1所示。现有的IGBT驱动电路通常设置保护阈值为固定值,当Vce超过该阈值,过流保护动作。IGBT一般都具有正温度特性,即在相同导通电流条件下,随着温度升高,Vce电压增大。此特性会造成如下后果:如果将保护阈值设置较高,当IGBT工作温度较低情况下发生发生过流保护动作,那么此时IGBT可能已经发生严重过流故障,造成IGBT损 ...
【技术保护点】
一种IGBT过流保护方法,其特征在于,包括以下步骤:建立保护电压与IGBT工作温度的第一关系函数;检测IGBT当前的工作温度;根据所述IGBT当前的工作温度和所述第一关系函数确定当前的保护电压;检测IGBT当前的集射极电压;在所述IGBT当前的集射极电压大于当前的保护电压时,开启过流保护。
【技术特征摘要】
1.一种IGBT过流保护方法,其特征在于,包括以下步骤:建立保护电压与IGBT工作温度的第一关系函数;检测IGBT当前的工作温度;根据所述IGBT当前的工作温度和所述第一关系函数确定当前的保护电压;检测IGBT当前的集射极电压;在所述IGBT当前的集射极电压大于当前的保护电压时,开启过流保护。2.如权利要求1所述的IGBT过流保护方法,其特征在于,所述建立保护电压与IGBT工作温度的第一关系函数的步骤具体包括:建立IGBT工作温度表;分别获取所述工作温度表中每一工作温度所对应的保护电压;关联所述工作温度表中每一工作温度与该工作温度所对应的保护电压,并生成所述第一关系函数。3.如权利要求1所述的IGBT过流保护方法,其特征在于,所述在所述IGBT当前的集射极电压大于当前的保护电压时,开启过流保护的步骤之前还包括:建立延时时长与IGBT工作温度的第二关系函数;根据所述IGBT当前的工作温度和所述第二关系函数确定目标延时时长;所述在所述IGBT当前的集射极电压大于当前的保护电压时,开启过流保护的步骤具体包括:在所述IGBT当前的集射极电压大于当前的保护电压,且持续目标延时时长时,开启过流保护。4.如权利要求3所述的IGBT过流保护方法,其特征在于,所述建立延时时长与IGBT工作温度的第二关系函数的步骤具体包括:建立IGBT工作温度表;分别获取所述IGBT工作温度表中每一工作温度所对应的延时时长;关联所述工作温度表中每一工作温度与该工作温度所对应的延时时长,并生成所述第二关系函数。5.一种IGBT过流保护电路,其特征在于,包括:信号处理电路,用于检测IGBT当前的工作温度,并输出与所述IGBT当前的工作温度对应的第一控制信号;开关驱动电路,用于在接收到所述第一控制信号时,输出与所述第一控制信号对应的第一驱动信号;保护电压输出电路,用于在接收到所述第一驱动信号时,输出与所述IGBT当前的工作温度对应的保护参考电压;电压检测电路,用于检测IGBT的集射极电压,并输出与所述集射极电压对应的检测电压;电压比较电路,用于在所述检测电压高于所述保护参考电压时,输出过流触发信号;其中,所述信号处理控制电路,还用于在接收到所述过流触发信号时,输出第二控制信号;所述开关驱动电路,还用于在接收到所述第二控制信号时,对所...
【专利技术属性】
技术研发人员:江雪晨,冯宇翔,张土明,
申请(专利权)人:广东美的制冷设备有限公司,美的集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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