一种阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及显示装置，所述阵列基板包括：基板；位于所述基板一侧的驱动晶体管；位于所述驱动晶体管背离基板一侧的发光结构，所述发光结构包括靠近所述驱动晶体管一侧的阳极，且所述阳极与所述驱动晶体管的栅极之间具有交叠区域；以及，设置于所述阳极与所述驱动晶体管的栅极之间的屏蔽结构。由上述内容可知，本发明专利技术提供的技术方案，阵列基板上的驱动晶体管的栅极与阳极之间设置有一屏蔽结构，屏蔽结构用于改善驱动晶体管的栅极和阳极之间的寄生电容，改善由于寄生电容存在而出现的信号串扰现象，进而改善显示装置的显示效果，提高显示装置显示亮度的均一性。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，更为具体的说，涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
显示器根据发光方式的不同，一般有液晶显示器和OLED显示器(有机电致发光显示器，OrganicLightEmittingDiode)。其中，有机电致发光显示器属于自主发光即有机发光层在电激发作用下发光，由于有机电致发光显示器具有广视角、高亮度、高对比度、低能耗、体积轻薄等优点，在过去多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。有机电致发光显示器虽然具有上述诸多优点，但是，现有的有机电致发光显示器的显示效果不佳，其显示亮度均一性较差。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种阵列基板及显示装置，阵列基板上的驱动晶体管的栅极与阳极之间设置有一屏蔽结构，屏蔽结构用于改善驱动晶体管的栅极和阳极之间的寄生电容，改善由于寄生电容存在而出现的信号串扰现象，进而改善显示装置的显示效果，提高显示装置显示亮度的均一性。为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：一种阵列基板，所述阵列基板包括：基板；位于所述基板一侧的驱动晶体管；位于所述驱动晶体管背离基板一侧的发光结构，所述发光结构包括靠近所述驱动晶体管一侧的阳极，且所述阳极与所述驱动晶体管的栅极之间具有交叠区域；以及，设置于所述阳极与所述驱动晶体管的栅极之间的屏蔽结构。可选的，所述屏蔽结构为位于所述阳极与所述驱动晶体管的栅极之间的屏蔽层，所述屏蔽层覆盖区域包括所述交叠区域。可选的，所述屏蔽层覆盖区域为所述阳极占用区域或所述驱动晶体管的栅极占用区域。可选的，所述屏蔽层为金属屏蔽层，且所述金属屏蔽层电连接一固定电位线。可选的，所述阳极与一阳极高电位线耦合、且所述发光结构的阴极与一阴极低电位线耦合；其中，所述金属屏蔽层与所述阳极高电位线电连接或与所述阴极低电位线电连接。可选的，所述阵列基板包括：所述基板；位于所述基板一侧的栅金属层，所述栅金属层包括所述驱动晶体管的栅极；位于所述栅金属层背离所述基板一侧的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层背离所述基板一侧的半导体层，所述半导体层包括所述驱动晶体管的硅岛层；以及，位于所述半导体层背离所述基板一侧的源漏金属层，所述源漏金属层包括所述驱动晶体管的源极和漏极。可选的，所述阵列基板包括：所述基板；位于所述基板一侧的半导体层，所述半导体层包括所述驱动晶体管的硅岛层；位于所述半导体层背离所述基板一侧的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层背离所述基板一侧的栅金属层，所述栅金属层包括所述驱动晶体管的栅极；位于所述栅金属层背离所述基板一侧的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层背离所述基板一侧的源漏金属层，所述源漏金属层包括所述驱动晶体管的源极和漏极。可选的，所述阵列基板包括：位于所述源漏金属层背离所述基板一侧的第二绝缘层；位于所述第二绝缘层背离所述基板一侧的所述屏蔽结构；位于所述屏蔽结构背离所述基板一侧的平坦化层；以及，位于所述平坦化层背离所述基板一侧的所述发光结构。可选的，所述阵列基板包括：位于所述源漏金属层背离所述基板一侧的平坦化层；位于所述平坦化层背离所述基板一侧的所述屏蔽结构；位于所述屏蔽结构背离所述基板一侧的第二绝缘层；以及，位于所述第二绝缘层背离所述基板一侧的所述发光结构。相应的，本专利技术还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的阵列基板。相较于现有技术，本专利技术提供的技术方案至少具有以下优点：本专利技术提供了一种阵列基板及显示装置，所述阵列基板包括：基板；位于所述基板一侧的驱动晶体管；位于所述驱动晶体管背离基板一侧的发光结构，所述发光结构包括靠近所述驱动晶体管一侧的阳极，且所述阳极与所述驱动晶体管的栅极之间具有交叠区域；以及，设置于所述阳极与所述驱动晶体管的栅极之间的屏蔽结构。由上述内容可知，本专利技术提供的技术方案，阵列基板上的驱动晶体管的栅极与阳极之间设置有一屏蔽结构，屏蔽结构用于改善驱动晶体管的栅极和阳极之间的寄生电容，改善由于寄生电容存在而出现的信号串扰现象，进而改善显示装置的显示效果，提高显示装置显示亮度的均一性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图2a为本申请实施例提供的一种金属屏蔽层的连接示意图；图2b为本申请实施例提供的另一种金属屏蔽层的连接示意图；图3为本申请实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图4为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图5为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图6为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图7为本申请实施例提供的一种等效电路图；图8为本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。正如
技术介绍
所述，显示器根据发光方式的不同分为液晶显示器和OLED显示器(有机电致发光显示器，OrganicLightEmittingDiode)。其中，有机电致发光显示器属于自主发光即有机发光层在电激发作用下发光，由于有机电致发光显示器具有广视角、高亮度、高对比度、低能耗、体积轻薄等优点，在过去多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。有机电致发光显示器虽然具有上述诸多优点，但是，现有的有机电致发光显示器的显示效果不佳，其显示亮度均一性较差。现有有机电致发光显示器的阵列基板包括有多条栅极线和多条数据线，多条栅极线和多条数据线交叉限定多个子像素区域，每个子像素区域包括有像素驱动电路，及在层次关系上位于像素驱动电路的上方、且通过像素驱动电路驱动发光的发光结构。其中，发光结构主要包括有靠近驱动像素电路的阳极，位于阳极背离像素驱动电路一侧的发光层和位于发光层背离阳极一侧的阴极；像素驱动电路包括有一为发光结构提供驱动电压的驱动晶体管，发光结构覆盖面积较大，故而发光结构的阳极通常与驱动晶体管的栅极之间具有交叠区域，而该交叠区域会形成寄生电容，在后续信号传输过程中，阳极与驱动晶体管的栅极之间由于具有寄生电容而出现信号串扰现象，进而影响有机电致发光显示器的显示效果。并且，由于不同子像素区域中阳极和驱动晶体管的栅极的寄生电容不同，因而子像素区域中出现的信号串扰现象也不同，进而会使得有机电致发光显示器的显示亮度均一性较差。有鉴于此，本申请实施例提供了一种阵列基板及显示装置，阵列基板上的驱动晶体管的栅极与阳极之间设置有一屏蔽结构，屏蔽结构用于改善驱动晶体管的栅极和阳极之间的寄生电容，改善由于寄生电容存在而出现的信号串扰现象，进而改善显示装置的显示效果，提高显示装置显示亮度的均一性。为实现上述目的，本申请实施例提供的技术方案如下，具体结合图1至图8对本申请实施例提供的技术方案进行详细的描述。参考图1所示，为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，其中，所述阵列基板包括：基板100；位于所述基板100一侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基板；位于所述基板一侧的驱动晶体管；位于所述驱动晶体管背离基板一侧的发光结构，所述发光结构包括靠近所述驱动晶体管一侧的阳极，且所述阳极与所述驱动晶体管的栅极之间具有交叠区域；以及，设置于所述阳极与所述驱动晶体管的栅极之间的屏蔽结构。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基板；位于所述基板一侧的驱动晶体管；位于所述驱动晶体管背离基板一侧的发光结构，所述发光结构包括靠近所述驱动晶体管一侧的阳极，且所述阳极与所述驱动晶体管的栅极之间具有交叠区域；以及，设置于所述阳极与所述驱动晶体管的栅极之间的屏蔽结构。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽结构为位于所述阳极与所述驱动晶体管的栅极之间的屏蔽层，所述屏蔽层覆盖区域包括所述交叠区域。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽层覆盖区域为所述阳极占用区域或所述驱动晶体管的栅极占用区域。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽层为金属屏蔽层，且所述金属屏蔽层电连接一固定电位线。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阳极与一阳极高电位线耦合、且所述发光结构的阴极与一阴极低电位线耦合；其中，所述金属屏蔽层与所述阳极高电位线电连接或与所述阴极低电位线电连接。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：所述基板；位于所述基板一侧的栅金属层，所述栅金属层包括所述驱动晶体管的栅极；位于所述栅金属层背离所述基板一侧的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层背离所述基板一侧的半导体层，所述半导体层包括所述驱动晶体管的硅岛层；以及，位...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玥，向东旭，朱仁远，高娅娜，蔡中兰，韩立静，陈娴，
申请(专利权)人：武汉天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42