背光模组及液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种背光模组及液晶显示装置，包括LED光源611、量子点薄膜612、保护层613、第一基板614、介质层615及金属线栅偏振层616；其中，所述量子点薄膜612设置于所述LED光源611上；所述保护层613设置于所述量子点薄膜612上；所述第一基板614设置于所述保护层613上；所述介质层615设置于所述第一基板614上；所述金属线栅偏振层616设置于所述介质层615上。本发明专利技术提供的LED背光模组光转换率高，能够在实现LED光源的高色域的特性的同时，提高发光亮度。

【技术实现步骤摘要】
背光模组及液晶显示装置
本专利技术涉及液晶显示领域，特别涉及一种背光模组及液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay,简称LCD)，属于平面显示器的一种，广泛应用于电视机、计算机、智能电话、手机、汽车导航装置、电子书等产品中。液晶显示装置具有耗电量低、体积小、辐射低的优点逐渐取代阴极射线管(CathodeRayTube,简称CRT)显示装置。目前LED背光的结构是利用蓝光LED去激发黄色或是红色与绿色荧光粉形成白光背光源。但是荧光粉发光效率低、光谱频宽较宽，使液晶显示器在亮度和色域遇到瓶颈。纳米量子点为一种最新型的半导体荧光材料，具有发光效率更高、使用寿命更长和颜色纯度更好等优点，已经以光学膜的形式应用在LCD的背光模块上。藉由量子点材料成膜后搭配蓝色LED光源的背光模块结构，应用到液晶显示器当中来取代传统荧光粉来提高发光效率。在目前的现有技术中，液晶显示装置架构上仍然需要使用吸收式的偏光片与彩色光阻，该结构限制了液晶显示装置的厚度，很难做到更加轻薄，此外应用于液晶显示装置量子点薄膜技术还存在材料利用率不高，光学效率不高的缺点。
技术实现思路
为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本专利技术提出一种背光模组及液晶显示装置。该背光模组包括LED光源611、量子点薄膜612、保护层613、第一基板614、介质层615及金属线栅偏振层616；其中，所述量子点薄膜612设置于所述LED光源611上；所述保护层613设置于所述量子点薄膜612上；所述第一基板614设置于所述保护层613上；所述介质层615设置于所述第一基板614上；所述金属线栅偏振层616设置于所述介质层615上。在本专利技术的一个实施例中，所述金属线栅偏振层616包括多个金属线6161；其中，所述金属线6161周期间隔排布于所述介质层615上。在本专利技术的一个实施例中，所述金属线栅偏振层616由铝、铜、金、银中的任意一种金属或者多种合金制成。在本专利技术的一个实施例中，所述金属线栅偏振层616的周期为20～500nm。在本专利技术的一个实施例中，所述介质层615为透明介质层，包括SiO2、SiO、MgO、Si3N4、TiO2、Ta2O5中的任意一种或者多种。在本专利技术的一个实施例中，所述量子点薄膜612包括红光量子点6121、黑色矩阵6122、蓝光量子点6123和透明光阻6124。在本专利技术的一个实施例中，所述LED光源611为双色LED芯片；其中，所述双色LED芯片包括蓝光光源和绿光光源。在本专利技术的一个实施例中，所述蓝光光源包括依次层叠设置的蓝光GaN缓冲层101、蓝光GaN稳定层102、蓝光n型GaN层103、蓝光InGaN/GaN多量子阱结构104、蓝光p型AlGaN阻挡层105、蓝光p型GaN层106。在本专利技术的一个实施例中，所述绿光光源包括依次层叠设置的绿光GaN缓冲层201、绿光GaN稳定层202、绿光n型GaN层203、绿光有源层204、绿光p型AlGaN阻挡层205、绿光p型GaN层206。本专利技术的另一个实施例提出的一种液晶显示装置，包括第一电极62、液晶分子层63、第二电极64、第二基板65及偏光片66，还包括由上述任一项实施例所述的背光模组61。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：1.本专利技术提出的背光模组采用金属线栅偏振层代替偏光片使用，利用金属线栅偏振层反射特性，重复激发量子点薄膜进行发光从而提高背光模组的发光效率；2.本专利技术提出的背光模组利用双色LED芯片作为背光模组的光源，该双色LED芯片集成了蓝光光源、绿光光源，发光效率高，面积小，成本低；3、本专利技术提出的液晶显示装置免去了彩色膜组的使用，极大地降低了液晶显示装置的厚度，提高出光效率，降低功耗。附图说明下面将结合附图，对本专利技术的具体实施方式进行详细的说明。图1为本专利技术实施例提供的一种背光模组结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种金属线栅偏振层结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种LED光源以及量子点薄膜结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种液晶显示装置结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种双色LED芯片的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种双色LED芯片的蓝光结构的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种双色LED芯片的蓝光InGaN/GaN多量子阱结构的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种双色LED芯片的绿光灯芯槽的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种双色LED芯片的绿光结构的结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的一种双色LED芯片的绿光InGaN/GaN多量子阱结构的结构示意图；图11为本专利技术实施例提供的一种双色LED芯片的键合层的结构示意图；图12为本专利技术实施例提供的一种双色LED芯片的俯视结构示意图；图13为本专利技术实施例提供的一种双色LED芯片的侧视结构示意图。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术做进一步详细的描述，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例一请参见图1～图3，图1为本专利技术实施例提供的一种背光模组结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种LED光源以及量子点薄膜结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种金属线栅偏振层结构示意图。本实施提出一种背光模组61，该背光模组包括依次层叠设置的LED光源611、量子点薄膜612、保护层613、第一基板614、介质层615及金属线栅偏振层616，如图1所示。所述金属线栅偏振层616包括多个同样尺寸的条状金属线6161，所述金属线6161周期性地间隔排布在所述介质层615上，所述金属线栅偏振层616用于透过振动方向垂直于金属线的TM偏振光，且用于反射偏振方向平行于所述金属线6161的TE偏振光，被反射的所述TE偏振光经过量子点薄膜612以激发量子点薄膜612发光。金属线栅偏振层616可以利用铝、铜、金、银等金属制作形成。其中，金属线栅偏振层616的周期Pitch优选为20～500nm，所述金属线栅偏振层616的周期是指相邻的两条金属线6161之间的介质层615的宽度加上一条金属线6161的宽度之和，金属线栅偏振层616的高度High优选为100～500nm，金属线栅偏振层616的占空比优选为0.1～0.9，由于金属线栅偏振层616具有偏光及反射的特性，因此可以很好地用来替换下偏光片以实现同样的偏振效果。其中，需要解释的是，金属线栅偏振层616的占空比为金属线栅偏振层616的宽度Width除以金属线栅偏振层616的周期Pitch，如图2所示。所述介质层615为透明介质层，一方面所述介质层615用于和所述金属线栅偏振层616中的金属线6161形成背光模组61的反射型偏光层，另一方面用于隔绝所述量子点薄膜612不受空气与水分的影响，以避免所述量子点薄膜612中的量子点荧光粉出现水氧失效的现象。所述介质层615包括SiO2、SiO、MgO、Si3N4、TiO2、Ta2O5中的任意一种或者多种。所述第一基板614为透明基板，所述第一基板614用于支撑所述介质层615及所述金属线栅偏振层616。所述保护层613用于隔绝所述量子点薄膜612不受空气与水分的影响，以避免所述量子点薄膜612中的量子点荧光粉出现水氧失效的现象。所述LED光源611为双色LED芯片，包括蓝光光源6111和绿光光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背光模组(61)，其特征在于，包括LED光源(611)、量子点薄膜(612)、保护层(613)、第一基板(614)、介质层(615)及金属线栅偏振层(616)；其中，所述量子点薄膜(612)设置于所述LED光源(611)上；所述保护层(613)设置于所述量子点薄膜(612)上；所述第一基板(614)设置于所述保护层(613)上；所述介质层(615)设置于所述第一基板(614)上；所述金属线栅偏振层(616)设置于所述介质层(615)上。

【技术特征摘要】
1.一种背光模组(61)，其特征在于，包括LED光源(611)、量子点薄膜(612)、保护层(613)、第一基板(614)、介质层(615)及金属线栅偏振层(616)；其中，所述量子点薄膜(612)设置于所述LED光源(611)上；所述保护层(613)设置于所述量子点薄膜(612)上；所述第一基板(614)设置于所述保护层(613)上；所述介质层(615)设置于所述第一基板(614)上；所述金属线栅偏振层(616)设置于所述介质层(615)上。2.根据权利要求1所述的背光模组(61)，其特征在于，所述金属线栅偏振层(616)包括多个金属线(6161)；其中，所述金属线(6161)周期间隔排布于所述介质层(615)上。3.根据权利要求1所述的背光模组(61)，其特征在于，所述金属线栅偏振层(616)由铝、铜、金、银中的任意一种金属或者多种合金制成。4.根据权利要求1所述的背光模组(61)，其特征在于，所述金属线栅偏振层(616)的周期为20～500nm。5.根据权利要求1所述的背光模组(61)，其特征在于，所述介质层(615)为透明介质层，包括SiO2、SiO、MgO、Si3N4、TiO2、Ta2O5中的任意一种或者多...

【专利技术属性】
技术研发人员：张捷，
申请(专利权)人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61