发光二极管及其制备方法、阵列基板、电子装置制造方法及图纸

一种发光二极管及其制备方法、阵列基板、电子装置，该发光二极管包括：衬底基板，层叠设置在所述衬底基板上的第一电极、量子柱发光层以及第二电极，其中，所述量子柱发光层包括多个量子柱，多个所述量子柱呈定向排列。本公开的实施例中的多个量子柱呈定向排列，在对第一电极和第二电极加电的条件下可以产生偏振光。

Light emitting diode and its preparation method, array substrate, and electronic device

A light emitting diode and a preparation method, an array substrate, an electronic device, which include a substrate substrate, a first electrode, a quantum column light emitting layer and a second electrode arranged on the substrate, wherein the luminescent layer of the quantum column includes a plurality of columns, and a plurality of the quantum columns are arranged in a directional row. Column. The plurality of quantum columns in the embodiment of the present disclosure are aligned, and polarized light can be generated on the condition that the first electrode and the second electrode are energized.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其制备方法、阵列基板、电子装置
本公开的实施例涉及一种发光二极管及其制备方法、阵列基板、电子装置。
技术介绍
发光二极管(LED)因其能耗低、发热少、寿命长等优点，在照明装置和显示装置中的应用越来越广泛。LED中的有机发光二极管(OLED)在封装技术及使用寿命上都存在着无法避免的问题。量子点(QD)或者量子柱(QR)具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，成为目前LED发光材料的研究热点。因此，以量子点或者量子柱作为发光层的量子点/柱发光二极管(QLED)成为了目前新型LED研究的主要方向。量子点/柱发光二极管(QLED)在照明以及显示
中具有广阔的应用前景。量子柱同量子点类似，具有光学特性，例如吸光特性和发光特性。量子柱发出光的波长与量子柱的尺寸和材料有关。通过调节量子柱的尺寸和材料可以调节量子柱的发光波长，量子柱的发光波长可以覆盖整个可见光的波长范围。
技术实现思路
本公开至少一实施例提供一种发光二极管，该发光二极管包括：衬底基板，层叠设置在所述衬底基板上的第一电极、量子柱发光层以及第二电极，其中，所述量子柱发光层包括多个量子柱，多个所述量子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包括：衬底基板，层叠设置在所述衬底基板上的第一电极、量子柱发光层以及第二电极，其中，所述量子柱发光层包括多个量子柱，多个所述量子柱呈定向排列。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括：衬底基板，层叠设置在所述衬底基板上的第一电极、量子柱发光层以及第二电极，其中，所述量子柱发光层包括多个量子柱，多个所述量子柱呈定向排列。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述定向排列包括多个所述量子柱平行于所述衬底基板所在平面定向排列、多个所述量子柱与所述衬底基板所在平面呈锐角定向排列或者多个所述量子柱垂直于所述衬底基板所在平面定向排列。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，各个所述量子柱的长径比为2～50。4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光二极管，还包括第三电极和第四电极，其中，所述第三电极和所述第四电极配置为在加电状态下产生平行或者基本平行于所述衬底基板所在平面的电场。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，所述第三电极和所述第四电极设置在同一层，且均为狭缝状电极。6.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，所述第三电极与所述量子柱发光层设置在同一层或者不同层。7.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，所述第三电极和所述第四电极设置在不同层，所述第三电极为狭缝状电极，所述第四电极为板状电极。8.根据权利要求7所述的发光二极管，其中，所述第三电极与所述量子柱发光层设置在同一层，或者，所述第三电极和所述第四电极均设置在所述量子柱发光层的靠近所述衬底基板的一侧。9.根据权利要求1～3中任一项所述的发光二极管，还包括第五电极，所述第五电极和所述第一电极在加电状态下产生平行或者基本平行于所述衬底基板所在平面的电场。10.根据权利要求1～3中任一项所述的发光二极管，其中，所述第一电极包...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈右儒，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11