垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法技术

一种垂直双扩散场效应晶体管包括N型衬底、第一层N型外延、形成于第一层N型外延表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于第一沟槽与第二沟槽中的P型外延、形成于第一层N型外延及P型外延上的第二层P型外延、贯穿第二层P型外延的第三沟槽、位于第三沟槽中的第二层N型外延、位于第二层P型外延表面且对应第一、第二沟槽的第一N型注入区、与第二N型注入区、贯穿第一、第二N型注入区并延伸至第二层P型外延的第一、第二P型注入区、依次形成的氧化硅层与多晶硅层、形成于多晶硅层上、第一、第二及第三N型注入区上的介质层、贯穿介质层且对应第一N型与第一P型注入区的第一通孔、贯穿介质层且对应第二N型与第二P型注入区的第二通孔。

Vertical double diffused field effect transistor and its making method

A vertical double diffusion field effect transistor includes the N type substrate, the first layer N epitaxy, the first groove and the second groove formed on the first layer N epitaxial surface, the P type epitaxy formed in the first groove and the second groove, the second layer P type epitaxy formed on the first layer N epitaxy and the P type epitaxy, and the second layer P type epitaxy. Third grooves, second layer N epitaxy in the third groove, the first N type injection area of the first and second groove, the first and second groove, the first and second N injection regions and the second layer P type epitaxial injection zone, the first and second P injection zones and the sequentially formed silicon oxide layer. The polysilicon layer is formed on the polysilicon layer, the medium layer on the polysilicon layer, the first, second and three N injection zones, the penetrating medium layer and the first through holes of the first N and the first P injection zone, the penetrating medium layer and the second through holes of the second N and the second P injection zones.

【技术实现步骤摘要】
垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法
本专利技术涉及半导体芯片制作
，特别地，涉及一种垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)及其制作方法。
技术介绍
垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)的漏源两极分别在器件的两侧，使电流在器件内部垂直流通，增加了电流密度，改善了额定电流，单位面积的导通电阻也较小，是一种用途非常广泛的功率器件。垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)的最重要的性能参数就是工作损耗，工作损耗可以分为导通损耗，截止损耗和开关损耗三部分。其中导通损耗由导通电阻决定，截止损耗受反向漏电流大小影响，开关损耗是指器件开关过程中寄生电容充放电带来的损耗。为了满足功率器件适应高频应用的要求，降低功率器件的开关损耗，提高器件的工作效率，具有重要的意义。功率器件的开关损耗大小由寄生电容大小决定，寄生电容可以分为栅源电容，栅漏电容和源漏电容三部分。其中栅漏电容对器件的开关损耗影响最大，栅漏电容可以分为氧化层电容和耗尽层电容两部分，氧化层电容受栅氧厚度影响，耗尽层电容受工艺和器件结构影响较大。栅漏电容直接影响到器件的输入电容和开关时间,输入电容增大,从而使器件开关时间延长，进而增大开关本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的第一层N型外延、形成于所述第一层N型外延表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽与第二沟槽中的P型外延、形成于所述第一层N型外延及所述P型外延上的第二层P型外延、贯穿所述第二层P型外延且对应所述第一沟槽与第二沟槽之间的第一层N型外延层的第三沟槽、位于所述第三沟槽中的第二层N型外延、位于所述第二层P型外延表面且对应所述第一沟槽的第一N型注入区、位于所述第二层P型外延表面且对应所述第二沟槽的第二N型注入区、贯穿所述第一N型注入区并延伸至所述第二层P型外延的第一P型注入区、贯穿所述第二N型注入区并延伸至所述第二...

【技术特征摘要】
1.一种垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的第一层N型外延、形成于所述第一层N型外延表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽与第二沟槽中的P型外延、形成于所述第一层N型外延及所述P型外延上的第二层P型外延、贯穿所述第二层P型外延且对应所述第一沟槽与第二沟槽之间的第一层N型外延层的第三沟槽、位于所述第三沟槽中的第二层N型外延、位于所述第二层P型外延表面且对应所述第一沟槽的第一N型注入区、位于所述第二层P型外延表面且对应所述第二沟槽的第二N型注入区、贯穿所述第一N型注入区并延伸至所述第二层P型外延的第一P型注入区、贯穿所述第二N型注入区并延伸至所述第二层P型外延的第二P型注入区、依次形成于所述第二层P型外延、所述第二层N型外延、所述第一、第二N型注入区上的氧化硅层与多晶硅层、贯穿所述氧化硅层及多晶硅层且对应所述第一N型注入区与P型注入区的第一开口、贯穿所述氧化硅层与多晶硅层且对应所述第二N型注入区及所述第二P型注入区的第二开口、形成于所述多晶硅层上、所述第一、第二及第三N型注入区上的介质层、贯穿所述介质层且对应所述第一N型注入区与第一P型注入区的第一通孔、贯穿所述介质层且对应所述第二N型注入区与第二P型注入区的第二通孔。2.如权利要求1所述的垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管还包括第一金属层，所述第一金属层形成于所述介质层上，所述第一金属层还经由所述第一通孔连接所述第一N型注入区与第一P型注入区，所述第一金属层也经由所述第二通孔连接所述第二N型注入区与第二P型注入区。3.如权利要求2所述的垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管还包括第二金属层，所述第二金属层形成于所述N型衬底远离所述第一层N型外延的表面。4.如权利要求1所述的垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述第一、第二沟槽中的P型外延的电阻率小于所述第二层P型外延的电阻率。5.如权利要求1所述的垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述第一沟槽与所述第二沟槽均包括上半部分及下半部分，所述上半部分的宽度大于所述下半部分的宽度。6.一种垂直双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：提供具有N型衬底的第一层N型外延，在所述第一层N型外延依形成第一氧化硅层；使用第一光刻胶作为掩膜，刻蚀所述第一氧化硅层，形成贯穿所述第一氧化硅层并延伸至所述第一层N型外延中的第一沟槽与第二沟槽；去除所述第一氧化硅层，在所述第一及第二沟槽中形成P型外延以及在所述第一层N型外延上形成第二层P型外延。；刻蚀所...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：深圳市晶特智造科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44