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一种垂直双扩散场效应晶体管包括N型衬底、第一层N型外延、形成于第一层N型外延表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于第一沟槽与第二沟槽中的P型外延、形成于第一层N型外延及P型外延上的第二层P型外延、贯穿第二层P型外延的第三沟槽、位于第三沟槽中的第二...该专利属于深圳市晶特智造科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市晶特智造科技有限公司授权不得商用。
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一种垂直双扩散场效应晶体管包括N型衬底、第一层N型外延、形成于第一层N型外延表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于第一沟槽与第二沟槽中的P型外延、形成于第一层N型外延及P型外延上的第二层P型外延、贯穿第二层P型外延的第三沟槽、位于第三沟槽中的第二...